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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    FKV460S

    FKV460S

    MOSFET 40V/60A/0.007

    Sanken Electric USA Inc.

    		 4,428 -
    RFQ
    		FKV460S

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Ta) 10V 7mOhm @ 25A, 10V 2.3V @ 250µA - +20V, -10V 2800 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-220S
    SPP20N60C3HKSA1

    SPP20N60C3HKSA1

    MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 7,627 -
    RFQ
    		SPP20N60C3HKSA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SPI20N60C3HKSA1

    SPI20N60C3HKSA1

    MOSFET N-CH 600V 20.7A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 6,853 -
    RFQ
    		SPI20N60C3HKSA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    GS61004B-TR

    GS61004B-TR

    GS61004B-TR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 9,385 -
    RFQ

    -

    		 - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 45A (Tc) 6V 20mOhm @ 13.5A, 6V 1.3V @ 7mA 6.2 nC @ 6 V +7V, -10V 295 pF @ 50 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
    IRFP260

    IRFP260

    MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD

    IXYS

    		 8,367 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 46A (Tc) 10V 55mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IRFP264

    IRFP264

    MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD

    IXYS

    		 3,681 -
    RFQ
    		IRFP264

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 38A (Tc) 10V 75mOhm @ 23A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXFA10N80P-TRL

    IXFA10N80P-TRL

    MOSFET N-CH 800V 10A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 7,304 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V 5.5V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±30V 2050 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF9Z24STRR

    IRF9Z24STRR

    MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 7,477 -
    RFQ
    		IRF9Z24STRR

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STW20NB50

    STW20NB50

    MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

    STMicroelectronics

    		 5,472 -
    RFQ
    		STW20NB50

    데이터시트

         		PowerMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4700 pF @ 25 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPB180P04P403ATMA1

    IPB180P04P403ATMA1

    MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

    Infineon Technologies

    		 2,932 -
    RFQ
    		IPB180P04P403ATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 410µA 250 nC @ 10 V ±20V 17640 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3
    IXTA26P10T

    IXTA26P10T

    MOSFET P-CH 100V 26A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 4,242 -
    RFQ
    		IXTA26P10T

    데이터시트

         		TrenchP™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 26A (Tc) 10V 90mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±15V 3820 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IRFB7430GPBF

    IRFB7430GPBF

    MOSFET N CH 40V 195A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 2,416 -
    RFQ
    		IRFB7430GPBF

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-220AB
    IRLR8103

    IRLR8103

    MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK

    Infineon Technologies

    		 5,353 -
    RFQ
    		IRLR8103

    데이터시트

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 89A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA (Min) 50 nC @ 5 V ±20V - - 89W (Ta) - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    SPD30P06P

    SPD30P06P

    MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 9,519 -
    RFQ
    		SPD30P06P

    데이터시트

         		SIPMOS® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 10V 75mOhm @ 21.5A, 10V 4V @ 1.7mA 48 nC @ 10 V ±20V 1535 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IRF640NLPBF

    IRF640NLPBF

    MOSFET N-CH 200V 18A TO262

    Infineon Technologies

    		 5,537 -
    RFQ
    		IRF640NLPBF

    데이터시트

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1160 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    CSD16407Q5C

    CSD16407Q5C

    MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON

    Texas Instruments

    		 5,130 -
    RFQ
    		CSD16407Q5C

    데이터시트

         		NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 31A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 1.9V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V +16V, -12V 2660 pF @ 12.5 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    IPB035N12NM6ATMA1

    IPB035N12NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 7,037 -
    RFQ
    		IPB035N12NM6ATMA1

    데이터시트

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRL3803STRL

    IRL3803STRL

    MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 9,795 -
    RFQ
    		IRL3803STRL

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    SIHG22N60AEL-GE3

    SIHG22N60AEL-GE3

    MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 9,865 -
    RFQ
    		SIHG22N60AEL-GE3

    데이터시트

         		EL TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±30V 1757 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFR220TRRPBF

    IRFR220TRRPBF

    MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 9,940 -
    RFQ
    		IRFR220TRRPBF

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.8A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
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