FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFS33N15D

IRFS33N15D

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

Infineon Technologies

7,411 -
RFQ
IRFS33N15D

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 56mOhm @ 20A, 10V 5.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 2020 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IXTA130N10T7

IXTA130N10T7

MOSFET N-CH 100V 130A TO263

Littelfuse Inc.

4,122 -
RFQ
IXTA130N10T7

데이터시트

Trench TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±20V 5080 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7 (IXTA)
IRF3711S

IRF3711S

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Infineon Technologies

4,377 -
RFQ
IRF3711S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STL90N3LLH6

STL90N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT

STMicroelectronics

7,520 -
RFQ
STL90N3LLH6

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 12A, 10V 1V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
AOB11S60L

AOB11S60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

6,468 -
RFQ
AOB11S60L

데이터시트

aMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 399mOhm @ 3.8A, 10V 4.1V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 545 pF @ 100 V - 178W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STL8N65M2

STL8N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

STMicroelectronics

7,780 -
RFQ
STL8N65M2

데이터시트

MDmesh™ M2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4A (Tc) 10V 1.25Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±25V 270 pF @ 100 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
IRF1104L

IRF1104L

MOSFET N-CH 40V 100A TO262

Infineon Technologies

9,499 -
RFQ
IRF1104L

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 9mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF1104S

IRF1104S

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

Infineon Technologies

6,156 -
RFQ
IRF1104S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 9mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IXTA3N50D2-TRL

IXTA3N50D2-TRL

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

Littelfuse Inc.

8,280 -
RFQ
IXTA3N50D2-TRL

데이터시트

Depletion TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3A (Tj) 0V 1.5Ohm @ 1.5A, 0V 4.5V @ 250µA 40 nC @ 5 V ±20V 1070 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF7809PBF

IRF7809PBF

MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO

Infineon Technologies

4,935 -
RFQ
IRF7809PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 14.5A (Ta) 4.5V - 1V @ 250µA - ±12V - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRFZ46NSTRLPBF

IRFZ46NSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK

Infineon Technologies

5,836 -
RFQ
IRFZ46NSTRLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 53A (Tc) 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1696 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
BSF450NE7NH3XUMA1

BSF450NE7NH3XUMA1

MOSFET N-CH 75V 5A/15A 2WDSON

Infineon Technologies

4,375 -
RFQ
BSF450NE7NH3XUMA1

데이터시트

OptiMOS™ 3-WDSON Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 5A (Ta), 15A (Tc) 7V, 10V 45mOhm @ 8A, 10V 3.5V @ 8µA 6 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 37.5 V - 2.2W (Ta), 18W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
NVMFS6H801NWFT3G

NVMFS6H801NWFT3G

TRENCH 8 80V NFET

onsemi

2,367 -
RFQ
NVMFS6H801NWFT3G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 23A (Ta), 157A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 4120 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
IRFB4110

IRFB4110

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

UMW

4,709 -
RFQ
IRFB4110

데이터시트

* TO-220-3 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA - ±20V - - 370W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STI360N4F6

STI360N4F6

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

STMicroelectronics

6,445 -
RFQ
STI360N4F6

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 340 nC @ 10 V ±20V 17930 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-262 (I2PAK)
IXTQ110N055P

IXTQ110N055P

MOSFET N-CH 55V 110A TO3P

IXYS

8,099 -
RFQ

-

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IRLU2905

IRLU2905

MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

Infineon Technologies

3,163 -
RFQ
IRLU2905

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4V, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRLU2905Z

IRLU2905Z

MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

Infineon Technologies

5,515 -
RFQ
IRLU2905Z

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V 3V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±16V 1570 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IXTU01N100

IXTU01N100

MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251

IXYS

8,088 -
RFQ
IXTU01N100

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 100mA (Tc) 10V 80Ohm @ 100mA, 10V 4.5V @ 25µA 6.9 nC @ 10 V ±20V 54 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
STH180N10F3-6

STH180N10F3-6

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

STMicroelectronics

5,894 -
RFQ
STH180N10F3-6

데이터시트

STripFET™ III TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 114.6 nC @ 10 V ±20V 6665 pF @ 25 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-6
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