FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019ATMA1

MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF

Infineon Technologies

822 -
RFQ
IAUT240N08S5N019ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 240A (Tc) 6V, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 160µA 130 nC @ 10 V ±20V 9264 pF @ 40 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
SQW33N65EF-GE3

SQW33N65EF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

480 -
RFQ
SQW33N65EF-GE3

데이터시트

E TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) 10V 109mOhm @ 16.5A, 10V 4V @ 250µA 173 nC @ 10 V ±30V 3972 pF @ 100 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD
IPP60R199CPXKSA1

IPP60R199CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3

Infineon Technologies

404 -
RFQ
IPP60R199CPXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 43 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 100 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3

MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

Vishay Siliconix

4,915 -
RFQ
SUM40014M-GE3

데이터시트

- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) - 0.99mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 275 nC @ 10 V ±20V 15780 pF @ 20 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SIHG186N60EF-GE3

SIHG186N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC

Vishay Siliconix

207 -
RFQ
SIHG186N60EF-GE3

데이터시트

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.4A (Tc) 10V 193mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1081 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IPLU300N04S41R1XTMA1

IPLU300N04S41R1XTMA1

MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

7,997 -
RFQ
IPLU300N04S41R1XTMA1

데이터시트

OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 1.15mOhm @ 100A, 10V 4V @ 125µA 151 nC @ 10 V ±20V 12090 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOF-8-1
R6020KNJTL

R6020KNJTL

MOSFET N-CH 600V 20A LPTS

Rohm Semiconductor

3,399 -
RFQ
R6020KNJTL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
R6020ENX

R6020ENX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Rohm Semiconductor

482 -
RFQ
R6020ENX

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
STD80N340K6

STD80N340K6

N-CHANNEL 800 V, 285 MOHM TYP.,

STMicroelectronics

2,442 -
RFQ
STD80N340K6

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 340mOhm @ 6A, 10V 4V @ 100µA 17.8 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 400 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
FDP100N10

FDP100N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

onsemi

308 -
RFQ
FDP100N10

데이터시트

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 10mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFS9N60APBF

IRFS9N60APBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

188 -
RFQ
IRFS9N60APBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STB200NF03T4

STB200NF03T4

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

STMicroelectronics

1,651 -
RFQ
STB200NF03T4

데이터시트

STripFET™ III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 4950 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FDPF18N50T

FDPF18N50T

MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

onsemi

986 -
RFQ
FDPF18N50T

데이터시트

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18A (Tc) 10V 265mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 2860 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IPA60R160C6XKSA1

IPA60R160C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP

Infineon Technologies

995 -
RFQ
IPA60R160C6XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 11.3A, 10V 3.5V @ 750µA 75 nC @ 10 V ±20V 1660 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
FDA59N25

FDA59N25

MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN

onsemi

697 -
RFQ
FDA59N25

데이터시트

UniFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 59A (Tc) 10V 49mOhm @ 29.5A, 10V 5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±30V 4020 pF @ 25 V - 392W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IPW65R190CFDFKSA2

IPW65R190CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3

Infineon Technologies

1,271 -
RFQ
IPW65R190CFDFKSA2

데이터시트

CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO220

Vishay Siliconix

1,081 -
RFQ
SIHA11N80E-GE3

데이터시트

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±30V 1670 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
STW28N60M2

STW28N60M2

MOSFET N-CH 600V 24A TO247

STMicroelectronics

598 -
RFQ
STW28N60M2

데이터시트

MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±25V 1370 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
PSMN1R0-40YSHX

PSMN1R0-40YSHX

MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

8,827 -
RFQ
PSMN1R0-40YSHX

데이터시트

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 290A (Tc) 10V 1mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 122 nC @ 10 V ±20V 9433 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
TK160F10N1L,LXGQ

TK160F10N1L,LXGQ

MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

5,719 -
RFQ
TK160F10N1L,LXGQ

데이터시트

U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Ta) 6V, 10V 2.4mOhm @ 80A, 10V 3.5V @ 1mA 122 nC @ 10 V ±20V 10100 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
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