FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STF24N60DM2

STF24N60DM2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

STMicroelectronics

780 -
RFQ
STF24N60DM2

데이터시트

FDmesh™ II Plus TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 200mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1055 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
R6011ENX

R6011ENX

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Rohm Semiconductor

476 -
RFQ
R6011ENX

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
STW7N105K5

STW7N105K5

MOSFET N-CH 1050V 4A TO247

STMicroelectronics

367 -
RFQ
STW7N105K5

데이터시트

SuperMESH5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7

Vishay Siliconix

1,290 -
RFQ
SUM70040M-GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 7.5V, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SUP70090E-GE3

SUP70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

364 -
RFQ
SUP70090E-GE3

데이터시트

ThunderFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 50A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SUP70040E-GE3

SUP70040E-GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

310 -
RFQ
SUP70040E-GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 7.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SUP50020EL-GE3

SUP50020EL-GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

261 -
RFQ
SUP50020EL-GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V 11113 pF @ 30 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STB10LN80K5

STB10LN80K5

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK

STMicroelectronics

890 -
RFQ
STB10LN80K5

데이터시트

MDmesh™ K5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±30V 427 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Infineon Technologies

844 -
RFQ
IPI045N10N3GXKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 150µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
SUP70042E-GE3

SUP70042E-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-

Vishay Siliconix

575 -
RFQ
SUP70042E-GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6490 pF @ 50 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
IAUS165N08S5N029ATMA1

IAUS165N08S5N029ATMA1

MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8

Infineon Technologies

1,665 -
RFQ
IAUS165N08S5N029ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 165A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 108µA 90 nC @ 10 V ±20V 6370 pF @ 40 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-8-1
IPA60R160P6XKSA1

IPA60R160P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP

Infineon Technologies

389 -
RFQ
IPA60R160P6XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ P6 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V 2080 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IRF3805PBF

IRF3805PBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Infineon Technologies

1,658 -
RFQ
IRF3805PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V 7960 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPB65R190CFD7AATMA1

IPB65R190CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3

Infineon Technologies

962 -
RFQ
IPB65R190CFD7AATMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) - 190mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1291 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
BUK963R3-60E,118

BUK963R3-60E,118

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Nexperia USA Inc.

3,882 -
RFQ
BUK963R3-60E,118

데이터시트

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 5V 3mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 95 nC @ 5 V ±10V 13490 pF @ 25 V - 293W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
STP240N10F7

STP240N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

STMicroelectronics

9,232 -
RFQ
STP240N10F7

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 176 nC @ 10 V ±20V 12600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SUP60020E-GE3

SUP60020E-GE3

MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

Vishay Siliconix

500 -
RFQ
SUP60020E-GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±20V 10680 pF @ 40 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
FDPF17N60NT

FDPF17N60NT

MOSFET N-CH 600V 17A TO220F

onsemi

1,234 -
RFQ
FDPF17N60NT

데이터시트

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 340mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±30V 3040 pF @ 25 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
SIHG17N80AE-GE3

SIHG17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

Vishay Siliconix

748 -
RFQ
SIHG17N80AE-GE3

데이터시트

E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1260 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRF840ASTRRPBF

IRF840ASTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

725 -
RFQ
IRF840ASTRRPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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