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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    SIHB24N80AE-GE3

    SIHB24N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 1,036 -
    RFQ
    		SIHB24N80AE-GE3

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 21A (Tc) - 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V 1836 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIHB22N60ET1-GE3

    SIHB22N60ET1-GE3

    MOSFET N-CH 600V 21A TO263

    Vishay Siliconix

    		 520 -
    RFQ
    		SIHB22N60ET1-GE3

    데이터시트

         		E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V 1920 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    RCX330N25

    RCX330N25

    MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    		 308 -
    RFQ
    		RCX330N25

    데이터시트

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 33A (Tc) 10V - - - ±30V - - 2.23W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    STD7NM80

    STD7NM80

    MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK

    STMicroelectronics

    		 4,281 -
    RFQ
    		STD7NM80

    데이터시트

         		MDmesh™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6.5A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 3.25A, 10V 5V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    STP13N80K5

    STP13N80K5

    MOSFET N-CH 800V 12A TO220

    STMicroelectronics

    		 1,013 -
    RFQ
    		STP13N80K5

    데이터시트

         		SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 450mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±30V 870 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    FCPF11N60F

    FCPF11N60F

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

    onsemi

    		 960 -
    RFQ
    		FCPF11N60F

    데이터시트

         		SuperFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1490 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    APT8M100B

    APT8M100B

    MOSFET N-CH 1000V 8A TO247

    Microchip Technology

    		 536 -
    RFQ
    		APT8M100B

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 8A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±30V 1885 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
    PSMN1R7-60BS,118

    PSMN1R7-60BS,118

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 4,895 -
    RFQ
    		PSMN1R7-60BS,118

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 137 nC @ 10 V ±20V 9997 pF @ 30 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IPB180N04S400ATMA1

    IPB180N04S400ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

    Infineon Technologies

    		 3,937 -
    RFQ
    		IPB180N04S400ATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 0.98mOhm @ 100A, 10V 4V @ 230µA 286 nC @ 10 V ±20V 22880 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    IRFBF30STRLPBF

    IRFBF30STRLPBF

    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263

    Vishay Siliconix

    		 1,600 -
    RFQ
    		IRFBF30STRLPBF

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IST007N04NM6AUMA1

    IST007N04NM6AUMA1

    MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5

    Infineon Technologies

    		 1,043 -
    RFQ
    		IST007N04NM6AUMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 6 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 54A (Ta), 440A (Tc) 6V, 10V 0.7mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±20V 7900 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-4
    STP10N105K5

    STP10N105K5

    MOSFET N-CH 1050V 6A TO220

    STMicroelectronics

    		 913 -
    RFQ
    		STP10N105K5

    데이터시트

         		MDmesh™ K5 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 6A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 21.5 nC @ 10 V 30V 545 pF @ 100 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STB28N65M2

    STB28N65M2

    MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

    STMicroelectronics

    		 4,928 -
    RFQ
    		STB28N65M2

    데이터시트

         		MDmesh™ M2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1440 pF @ 100 V - 170W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SPP21N50C3XKSA1

    SPP21N50C3XKSA1

    MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 1,903 -
    RFQ
    		SPP21N50C3XKSA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SPA15N60C3XKSA1

    SPA15N60C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP

    Infineon Technologies

    		 211 -
    RFQ
    		SPA15N60C3XKSA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 280mOhm @ 9.4A, 10V 3.9V @ 675µA 63 nC @ 10 V ±20V 1660 pF @ 25 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    RS6L120BGTB1

    RS6L120BGTB1

    NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    		 2,079 -
    RFQ
    		RS6L120BGTB1

    데이터시트

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 51 nC @ 10 V ±20V 3520 pF @ 30 V - 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    IRFS9N60ATRRPBF

    IRFS9N60ATRRPBF

    MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 875 -
    RFQ
    		IRFS9N60ATRRPBF

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FDP023N08B-F102

    FDP023N08B-F102

    MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

    onsemi

    		 594 -
    RFQ
    		FDP023N08B-F102

    데이터시트

         		PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 2.35mOhm @ 75A, 10V 3.8V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 13765 pF @ 37.5 V - 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPP016N08NF2SAKMA1

    IPP016N08NF2SAKMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    		 482 -
    RFQ
    		IPP016N08NF2SAKMA1

    데이터시트

         		StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 35A (Ta), 196A (Tc) 6V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 267µA 255 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    FDMS5672

    FDMS5672

    MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP

    onsemi

    		 2,846 -
    RFQ
    		FDMS5672

    데이터시트

         		UltraFET™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.6A (Ta), 22A (Tc) 6V, 10V 11.5mOhm @ 10.6A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
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