FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFP26N30X3

IXFP26N30X3

MOSFET N-CH 300V 26A TO220AB

Littelfuse Inc.

461 -
RFQ
IXFP26N30X3

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 26A (Tc) 10V 66mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 500µA 22 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Infineon Technologies

9,298 -
RFQ
IPB016N06L3GATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 196µA 166 nC @ 4.5 V ±20V 28000 pF @ 30 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
SPB21N50C3ATMA1

SPB21N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3

Infineon Technologies

2,683 -
RFQ
SPB21N50C3ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IPB65R150CFDATMA2

IPB65R150CFDATMA2

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3

Infineon Technologies

1,327 -
RFQ
IPB65R150CFDATMA2

데이터시트

CoolMOS™ CFD2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
STP31N65M5

STP31N65M5

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

STMicroelectronics

801 -
RFQ
STP31N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 148mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 816 pF @ 100 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SIHA105N60EF-GE3

SIHA105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Vishay Siliconix

1,033 -
RFQ
SIHA105N60EF-GE3

데이터시트

EF TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 102mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1804 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
PSMN3R8-100BS,118

PSMN3R8-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Nexperia USA Inc.

16,235 -
RFQ
PSMN3R8-100BS,118

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 170 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 50 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
BUK964R2-80E,118

BUK964R2-80E,118

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Nexperia USA Inc.

5,004 -
RFQ
BUK964R2-80E,118

데이터시트

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 5V 4mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 123 nC @ 5 V ±10V 17130 pF @ 25 V - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
SUM90N03-2M2P-E3

SUM90N03-2M2P-E3

MOSFET N-CH 30V 90A TO263

Vishay Siliconix

933 -
RFQ
SUM90N03-2M2P-E3

데이터시트

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 32A, 10V 2.5V @ 250µA 257 nC @ 10 V ±20V 12065 pF @ 15 V - 3.75W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPF017N08NF2SATMA1

IPF017N08NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7

Infineon Technologies

1,455 -
RFQ
IPF017N08NF2SATMA1

데이터시트

StrongIRFET™ 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 259A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 194µA 186 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 40 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-14
STP28N60DM2

STP28N60DM2

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

STMicroelectronics

1,210 -
RFQ
STP28N60DM2

데이터시트

MDmesh™ DM2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V 5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
FDPF20N50T

FDPF20N50T

MOSFET N-CH 500V 20A TO220F

onsemi

990 -
RFQ
FDPF20N50T

데이터시트

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 230mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 59.5 nC @ 10 V ±30V 3120 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
FCP190N60E

FCP190N60E

MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3

onsemi

1,468 -
RFQ
FCP190N60E

데이터시트

SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.6A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 3175 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPB013N06NF2SATMA1

IPB013N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

898 -
RFQ
IPB013N06NF2SATMA1

데이터시트

StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Ta), 198A (Tc) 6V, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 246µA 305 nC @ 10 V ±20V 13800 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AOB66916L

AOB66916L

MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,697 -
RFQ
AOB66916L

데이터시트

AlphaSGT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35.5A (Ta), 120A (Tc) 6V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 6180 pF @ 50 V - 8.3W (Ta), 277W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FDB150N10

FDB150N10

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

onsemi

441 -
RFQ
FDB150N10

데이터시트

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 15mOhm @ 49A, 10V 4.5V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 4760 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPW60R190E6FKSA1

IPW60R190E6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

Infineon Technologies

139 -
RFQ
IPW60R190E6FKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 3.5V @ 630µA 63 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IPL60R105P7AUMA1

IPL60R105P7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON

Infineon Technologies

10,206 -
RFQ
IPL60R105P7AUMA1

데이터시트

CoolMOS™ P7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 33A (Tc) 10V 105mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 530µA 45 nC @ 10 V ±20V 1952 pF @ 400 V - 137W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
PSMNR90-40YLHX

PSMNR90-40YLHX

MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

5,034 -
RFQ
PSMNR90-40YLHX

데이터시트

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 4.5V, 10V 0.94mOhm @ 25A, 10V 2.05V @ 1mA 168 nC @ 10 V ±20V 12673 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
SQM35N30-97_GE3

SQM35N30-97_GE3

MOSFET N-CH 300V 35A TO263

Vishay Siliconix

1,467 -
RFQ
SQM35N30-97_GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 35A (Tc) 10V 97mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 5650 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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