FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
ISC012N04NM6ATMA1

ISC012N04NM6ATMA1

TRENCH <= 40V PG-TDSON-8

Infineon Technologies

13,858 -
RFQ
ISC012N04NM6ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 36A (Ta), 232A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2.8V @ 747µA 64 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 20 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO

Vishay Siliconix

9,208 -
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

데이터시트

ThunderFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) 7.5V, 10V 150mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 125 V - 2.9W (Ta), 6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF620SPBF

IRF620SPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

Vishay Siliconix

847 -
RFQ
IRF620SPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.2A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 3W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFZ44PBF-BE3

IRFZ44PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

680 -
RFQ
IRFZ44PBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPP50R190CEXKSA1

IPP50R190CEXKSA1

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3

Infineon Technologies

495 -
RFQ
IPP50R190CEXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ CE TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18.5A (Tc) 13V 190mOhm @ 6.2A, 13V 3.5V @ 510µA 47.2 nC @ 10 V ±20V 1137 pF @ 100 V - 127W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPA95R750P7XKSA1

IPA95R750P7XKSA1

MOSFET N-CH 950V 9A TO220

Infineon Technologies

429 -
RFQ
IPA95R750P7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 9A (Tc) 10V 750mOhm @ 4.5A, 10V 3.5V @ 220µA 23 nC @ 10 V ±20V 712 pF @ 400 V - 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IPB018N06NF2SATMA1

IPB018N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

243 -
RFQ
IPB018N06NF2SATMA1

데이터시트

StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 34A (Ta), 187A (Tc) 6V, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 129µA 162 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IRF9640PBF-BE3

IRF9640PBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB

Vishay Siliconix

135 -
RFQ
IRF9640PBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IXFQ20N50P3

IXFQ20N50P3

MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

IXYS

294 -
RFQ
IXFQ20N50P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 300mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1.5mA 36 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RS3E130ATTB1

RS3E130ATTB1

PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3

Rohm Semiconductor

7,111 -
RFQ
RS3E130ATTB1

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 13A, 10V 2.5V @ 2mA 83 nC @ 10 V ±20V 3730 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
FDMC8360L

FDMC8360L

MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33

onsemi

6,051 -
RFQ
FDMC8360L

데이터시트

PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 27A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 5795 pF @ 20 V - 2.3W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
STU6N95K5

STU6N95K5

MOSFET N-CH 950V 9A IPAK

STMicroelectronics

2,563 -
RFQ
STU6N95K5

데이터시트

SuperMESH5™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 9A (Tc) 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 13 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
NTD5C632NLT4G

NTD5C632NLT4G

T6 60V LL DPAK

onsemi

2,225 -
RFQ
NTD5C632NLT4G

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Ta), 155A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 250µA 34 nC @ 4.5 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 4W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
BUK9Y4R8-60E,115

BUK9Y4R8-60E,115

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

14,699 -
RFQ
BUK9Y4R8-60E,115

데이터시트

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 5V 4.1mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 50 nC @ 5 V ±10V 7853 pF @ 25 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
FDD86326

FDD86326

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK

onsemi

9,450 -
RFQ
FDD86326

데이터시트

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8A (Ta), 37A (Tc) 6V, 10V 23mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 1035 pF @ 50 V - 3.1W (Ta), 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
IPB35N10S3L26ATMA1

IPB35N10S3L26ATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

Infineon Technologies

3,411 -
RFQ
IPB35N10S3L26ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 26.3mOhm @ 35A, 10V 2.4V @ 39µA 39 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
FDB2572

FDB2572

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB

onsemi

1,015 -
RFQ
FDB2572

데이터시트

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4A (Ta), 29A (Tc) 6V, 10V 54mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPP015N04NF2SAKMA1

IPP015N04NF2SAKMA1

TRENCH PG-TO220-3

Infineon Technologies

797 -
RFQ
IPP015N04NF2SAKMA1

데이터시트

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
R6530KNX3C16

R6530KNX3C16

MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB

Rohm Semiconductor

478 -
RFQ
R6530KNX3C16

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 307W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STB5N80K5

STB5N80K5

MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK

STMicroelectronics

135 -
RFQ
STB5N80K5

데이터시트

MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 5 nC @ 10 V ±30V 177 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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