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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    STF12N50DM2

    STF12N50DM2

    MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 981 -
    RFQ
    		STF12N50DM2

    데이터시트

         		MDmesh™ DM2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±25V 628 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF9Z34SPBF

    IRF9Z34SPBF

    MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 145 -
    RFQ
    		IRF9Z34SPBF

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIR688DP-T1-GE3

    SIR688DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 1,258 -
    RFQ
    		SIR688DP-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 20A, 10V 2.7V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 3105 pF @ 30 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    AOB12N65L

    AOB12N65L

    MOSFET N-CH 650V 12A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 1,011 -
    RFQ
    		AOB12N65L

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 720mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±30V 2150 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF4104PBF

    IRF4104PBF

    MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 888 -
    RFQ
    		IRF4104PBF

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHD7N60E-GE3

    SIHD7N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 134 -
    RFQ
    		SIHD7N60E-GE3

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 680 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK56A12N1,S4X

    TK56A12N1,S4X

    MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 118 -
    RFQ
    		TK56A12N1,S4X

    데이터시트

         		U-MOSVIII-H TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 56A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 28A, 10V 4V @ 1mA 69 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 60 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    BSZ011NE2LS5IATMA1

    BSZ011NE2LS5IATMA1

    MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON

    Infineon Technologies

    		 14,434 -
    RFQ
    		BSZ011NE2LS5IATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 5 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 35A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±16V 3400 pF @ 12 V - 2.1W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-34
    MCP200N06Y-BP

    MCP200N06Y-BP

    N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)

    Micro Commercial Co

    		 2,553 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200A 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 4165 pF @ 25 V - 260W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (H)
    STP11NK40Z

    STP11NK40Z

    MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 1,003 -
    RFQ
    		STP11NK40Z

    데이터시트

         		SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 9A (Tc) 10V 550mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 32 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPD90N10S406ATMA1

    IPD90N10S406ATMA1

    MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 2,170 -
    RFQ
    		IPD90N10S406ATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 90A (Tc) 10V 6.7mOhm @ 90A, 10V 3.5V @ 90µA 68 nC @ 10 V ±20V 4870 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-313
    SIHP11N80AE-GE3

    SIHP11N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 831 -
    RFQ
    		SIHP11N80AE-GE3

    데이터시트

         		E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 804 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPA65R380E6XKSA1

    IPA65R380E6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP

    Infineon Technologies

    		 408 -
    RFQ
    		IPA65R380E6XKSA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    SQJ401EP-T1_GE3

    SQJ401EP-T1_GE3

    MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 294 -
    RFQ
    		SQJ401EP-T1_GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 32A (Tc) 2.5V, 4.5V 6mOhm @ 15A, 4.5V 1.5V @ 250µA 164 nC @ 4.5 V ±8V 10015 pF @ 6 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STF16N60M2

    STF16N60M2

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 132 -
    RFQ
    		STF16N60M2

    데이터시트

         		MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±25V 700 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    STD7N80K5

    STD7N80K5

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

    STMicroelectronics

    		 11,891 -
    RFQ
    		STD7N80K5

    데이터시트

         		SuperMESH5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 13.4 nC @ 10 V ±30V 360 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    RJK1052DPB-00#J5

    RJK1052DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 6,572 -
    RFQ
    		RJK1052DPB-00#J5

    데이터시트

         		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 10A, 10V - 29 nC @ 4.5 V ±20V 4160 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    ISC012N04NM6ATMA1

    ISC012N04NM6ATMA1

    TRENCH <= 40V PG-TDSON-8

    Infineon Technologies

    		 13,858 -
    RFQ
    		ISC012N04NM6ATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 36A (Ta), 232A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2.8V @ 747µA 64 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 20 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
    SI4434ADY-T1-GE3

    SI4434ADY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO

    Vishay Siliconix

    		 9,208 -
    RFQ
    		SI4434ADY-T1-GE3

    데이터시트

         		ThunderFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) 7.5V, 10V 150mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 125 V - 2.9W (Ta), 6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF620SPBF

    IRF620SPBF

    MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 847 -
    RFQ
    		IRF620SPBF

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.2A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 3W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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