FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
RCX300N20

RCX300N20

MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM

Rohm Semiconductor

240 -
RFQ
RCX300N20

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 30A (Tc) 10V 80mOhm @ 15A, 10V 5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±30V 3200 pF @ 25 V - 2.23W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
SPD08N50C3ATMA1

SPD08N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3

Infineon Technologies

12,119 -
RFQ
SPD08N50C3ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 32 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
NTMFS034N15MC

NTMFS034N15MC

MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN

onsemi

4,780 -
RFQ
NTMFS034N15MC

데이터시트

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 6.1A (Ta), 31A (Tc) - 31mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 70µA 12 nC @ 10 V ±20V 905 pF @ 75 V - 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
BUK9Y8R5-80EX

BUK9Y8R5-80EX

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

4,357 -
RFQ
BUK9Y8R5-80EX

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 5V 8mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 54.7 nC @ 5 V ±10V 8167 pF @ 25 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
SIR182LDP-T1-RE3

SIR182LDP-T1-RE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

4,137 -
RFQ
SIR182LDP-T1-RE3

데이터시트

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 31.7A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 10V 2.75mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 30 V - 5W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIHP15N80AEF-GE3

SIHP15N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

2,061 -
RFQ
SIHP15N80AEF-GE3

데이터시트

EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 350mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 1128 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF730APBF-BE3

IRF730APBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

Vishay Siliconix

984 -
RFQ
IRF730APBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) - 1Ohm @ 3.3A, 10V 4.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9Z20PBF

IRF9Z20PBF

MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB

Vishay Siliconix

532 -
RFQ
IRF9Z20PBF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 9.7A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 480 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPA60R380C6XKSA1

IPA60R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP

Infineon Technologies

484 -
RFQ
IPA60R380C6XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IRF730APBF

IRF730APBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

Vishay Siliconix

329 -
RFQ
IRF730APBF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AOTF190A60CL

AOTF190A60CL

MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

117 -
RFQ
AOTF190A60CL

데이터시트

aMOS5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tj) 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 4.6V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1935 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
FCD600N60Z

FCD600N60Z

MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK

onsemi

15,490 -
RFQ
FCD600N60Z

데이터시트

SuperFET® II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.4A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 3.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1120 pF @ 25 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q

MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

7,777 -
RFQ
TPH1R005PL,L1Q

데이터시트

U-MOSIX-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 1.04mOhm @ 50A, 10V 2.4V @ 1mA 99 nC @ 10 V ±20V 9600 pF @ 22.5 V - 960mW (Ta), 170W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
IPD90N08S405ATMA1

IPD90N08S405ATMA1

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Infineon Technologies

6,942 -
RFQ
IPD90N08S405ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 90A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 68 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-313
RD3S075CNTL1

RD3S075CNTL1

MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252

Rohm Semiconductor

3,225 -
RFQ
RD3S075CNTL1

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190 V 7.5A (Tc) 4V, 10V 336mOhm @ 3.8A, 10V 2.5V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
SIR180ADP-T1-RE3

SIR180ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,111 -
RFQ
SIR180ADP-T1-RE3

데이터시트

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 137A (Tc) 7.5V, 10V 2.2mOhm @ 10A, 10V 3.6V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3280 pF @ 30 V - 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
IRFI530GPBF

IRFI530GPBF

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3

Vishay Siliconix

996 -
RFQ
IRFI530GPBF

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 160mOhm @ 5.8A, 10V 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPP114N12N3GXKSA1

IPP114N12N3GXKSA1

MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3

Infineon Technologies

406 -
RFQ
IPP114N12N3GXKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 75A (Tc) 10V 11.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 83µA 65 nC @ 10 V ±20V 4310 pF @ 60 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
PSMN1R7-40YLDX

PSMN1R7-40YLDX

MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

8,342 -
RFQ
PSMN1R7-40YLDX

데이터시트

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 25A, 10V 2.05V @ 1mA 109 nC @ 10 V ±20V 7966 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
FDMC86340

FDMC86340

MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33

onsemi

5,281 -
RFQ
FDMC86340

데이터시트

PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 14A (Ta), 48A (Tc) 8V, 10V 6.5mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V 3885 pF @ 40 V - 2.3W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
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