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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    FQB19N20TM

    FQB19N20TM

    MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK

    onsemi

    		 2,224 -
    RFQ
    		FQB19N20TM

    데이터시트

         		QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 19.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.7A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    AOT410L

    AOT410L

    MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 988 -
    RFQ
    		AOT410L

    데이터시트

         		SDMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta), 150A (Tc) 7V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 129 nC @ 10 V ±25V 7950 pF @ 50 V - 1.9W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    RSH070P05GZETB

    RSH070P05GZETB

    MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    		 6,100 -
    RFQ
    		RSH070P05GZETB

    데이터시트

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 7A (Ta) 4V, 10V 27mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 47.6 nC @ 5 V ±20V 4100 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SI7110DN-T1-GE3

    SI7110DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    		 5,255 -
    RFQ
    		SI7110DN-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 13.5A (Ta) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 21.1A, 10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    R6006KND3TL1

    R6006KND3TL1

    MOSFET N-CH 600V 6A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 2,633 -
    RFQ
    		R6006KND3TL1

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 830mOhm @ 3A, 10V 5.5V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IRFI9Z14GPBF

    IRFI9Z14GPBF

    MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3

    Vishay Siliconix

    		 1,760 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.2A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRFI510GPBF

    IRFI510GPBF

    MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3

    Vishay Siliconix

    		 919 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Tc) 10V 540mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STD7NM60N

    STD7NM60N

    MOSFET N-CH 600V 5A DPAK

    STMicroelectronics

    		 11,162 -
    RFQ
    		STD7NM60N

    데이터시트

         		MDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±25V 363 pF @ 50 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TSM7ND60CI

    TSM7ND60CI

    MOSFET N-CH 600V 7A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 3,945 -
    RFQ
    		TSM7ND60CI

    데이터시트

         		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 3.8V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±30V 1108 pF @ 50 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    SUD35N10-26P-GE3

    SUD35N10-26P-GE3

    MOSFET N-CH 100V 35A TO252

    Vishay Siliconix

    		 1,914 -
    RFQ
    		SUD35N10-26P-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 7V, 10V 26mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 12 V - 8.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    R6015KNX

    R6015KNX

    MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    		 454 -
    RFQ
    		R6015KNX

    데이터시트

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    CSD18512Q5BT

    CSD18512Q5BT

    MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON

    Texas Instruments

    		 350 -
    RFQ
    		CSD18512Q5BT

    데이터시트

         		NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 211A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±20V 7120 pF @ 20 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    IXTP60N10T

    IXTP60N10T

    MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 255 -
    RFQ
    		IXTP60N10T

    데이터시트

         		Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 18mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 50µA 49 nC @ 10 V ±30V 2650 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NP75N04YLG-E1-AY

    NP75N04YLG-E1-AY

    ABU / MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,929 -
    RFQ
    		NP75N04YLG-E1-AY

    데이터시트

         		- 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Ta) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 38A, 10V 2.5V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 138W (Ta) 175°C - - Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
    SIHB11N80AE-GE3

    SIHB11N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 972 -
    RFQ
    		SIHB11N80AE-GE3

    데이터시트

         		E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 804 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6520KNX3C16

    R6520KNX3C16

    650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

    Rohm Semiconductor

    		 865 -
    RFQ
    		R6520KNX3C16

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @9.5A, 10V 5V @ 630µA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 220W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    CSD18511KTTT

    CSD18511KTTT

    MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK

    Texas Instruments

    		 554 -
    RFQ
    		CSD18511KTTT

    데이터시트

         		NexFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Ta), 194A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 2.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 5940 pF @ 20 V - 188W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
    STD6N80K5

    STD6N80K5

    MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK

    STMicroelectronics

    		 10,455 -
    RFQ
    		STD6N80K5

    데이터시트

         		SuperMESH5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 7.5 nC @ 10 V 30V 255 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IAUA180N04S5N012AUMA1

    IAUA180N04S5N012AUMA1

    MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1

    Infineon Technologies

    		 3,375 -
    RFQ
    		IAUA180N04S5N012AUMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 5 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 7V, 10V 1.2mOhm @ 90A, 10V 3.4V @ 70µA 100 nC @ 10 V ±20V 6158 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-2
    SI4490DY-T1-E3

    SI4490DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO

    Vishay Siliconix

    		 2,029 -
    RFQ
    		SI4490DY-T1-E3

    데이터시트

         		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.85A (Ta) 6V, 10V 80mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA (Min) 42 nC @ 10 V ±20V - - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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