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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IXFB44N100P

    IXFB44N100P

    MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXFB44N100P 데이터시트 HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 44A (Tc) 10V 220mOhm @ 22A, 10V 6.5V @ 1mA 305 nC @ 10 V ±30V 19000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    IXFN210N30P3

    IXFN210N30P3

    MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B

    IXYS

    		 300 -
    RFQ
    		IXFN210N30P3 데이터시트 HiPerFET™, Polar3™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 192A (Tc) 10V 14.5mOhm @ 105A, 10V 5V @ 8mA 268 nC @ 10 V ±20V 16200 pF @ 25 V - 1500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXKK85N60C

    IXKK85N60C

    MOSFET N-CH 600V 85A TO264A

    IXYS

    		 138 -
    RFQ
    		IXKK85N60C 데이터시트 CoolMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 85A (Tc) 10V 36mOhm @ 55A, 10V 4V @ 4mA 650 nC @ 10 V ±20V - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
    SCT3030AW7TL

    SCT3030AW7TL

    SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    		 432 -
    RFQ
    		SCT3030AW7TL 데이터시트 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 70A (Tc) - 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 267W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXTT3N200P3HV

    IXTT3N200P3HV

    MOSFET N-CH 2000V 3A TO268

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXTT3N200P3HV 데이터시트 Polar P3™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2000 V 3A (Tc) 10V 8Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1860 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXTT)
    SCT3040KW7TL

    SCT3040KW7TL

    SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    		 986 -
    RFQ
    		SCT3040KW7TL 데이터시트 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 56A (Tc) - 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 267W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SCT3030ALHRC11

    SCT3030ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 70A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 445 -
    RFQ
    		SCT3030ALHRC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 70A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    STY112N65M5

    STY112N65M5

    MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

    STMicroelectronics

    		 543 -
    RFQ
    		STY112N65M5 데이터시트 MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 96A (Tc) 10V 22mOhm @ 47A, 10V 5V @ 250µA 350 nC @ 10 V ±25V 16870 pF @ 100 V - 625W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    IXTX8N150L

    IXTX8N150L

    MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3

    IXYS

    		 256 -
    RFQ
    		IXTX8N150L 데이터시트 Linear TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 8A (Tc) 20V 3.6Ohm @ 4A, 20V 8V @ 250µA 250 nC @ 15 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    SCT3040KLHRC11

    SCT3040KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 849 -
    RFQ
    		SCT3040KLHRC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tc) 18V 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    S2M0025120D

    S2M0025120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 300 -
    RFQ
    		S2M0025120D 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tj) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 4V @ 15mA 130 nC @ 20 V +25V, -10V 4402 pF @ 1000 V - 446W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    S2M0025120K

    S2M0025120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 270 -
    RFQ
    		S2M0025120K 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tc) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 4V @ 15mA 130 nC @ 20 V +25V, -10V 4402 pF @ 1000 V - 446W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFN80N50Q3

    IXFN80N50Q3

    MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B

    IXYS

    		 140 -
    RFQ
    		IXFN80N50Q3 데이터시트 HiPerFET™, Q3 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 63A (Tc) 10V 65mOhm @ 40A, 10V 6.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 10000 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXTN17N120L

    IXTN17N120L

    MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

    Littelfuse Inc.

    		 240 -
    RFQ
    		IXTN17N120L 데이터시트 Linear SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 15A (Tc) 20V 900mOhm @ 8.5A, 20V 5V @ 250µA 155 nC @ 15 V ±30V 8300 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    SCT3022ALHRC11

    SCT3022ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 93A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 2,246 -
    RFQ
    		SCT3022ALHRC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 93A (Tc) 18V 28.6mOhm @ 36A, 18V 5.6V @ 18.2mA 133 nC @ 18 V +22V, -4V 2208 pF @ 500 V - 339W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    SCT3030KLHRC11

    SCT3030KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 72A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 580 -
    RFQ
    		SCT3030KLHRC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 72A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 131 nC @ 18 V +22V, -4V 2222 pF @ 800 V - 339W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXTB62N50L

    IXTB62N50L

    MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 195 -
    RFQ
    		IXTB62N50L 데이터시트 Linear TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 62A (Tc) 20V 100mOhm @ 31A, 20V 5.5V @ 250µA 550 nC @ 20 V ±30V 11500 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    IXTX1R4N450HV

    IXTX1R4N450HV

    MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS

    Littelfuse Inc.

    		 297 -
    RFQ
    		IXTX1R4N450HV 데이터시트 - TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4500 V 1.4A (Tc) 10V 40Ohm @ 50mA, 10V 6V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247PLUS-HV
    IXTN30N100L

    IXTN30N100L

    MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 593 -
    RFQ
    		IXTN30N100L 데이터시트 Linear SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) 20V 450mOhm @ 15A, 20V 5.5V @ 250µA 545 nC @ 20 V ±30V 13700 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXTF1R4N450

    IXTF1R4N450

    MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC

    IXYS

    		 41 -
    RFQ
    		IXTF1R4N450 데이터시트 - i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4500 V 1.4A (Tc) 10V 40Ohm @ 50mA, 10V 6V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
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