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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    NTBG060N090SC1

    NTBG060N090SC1

    SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7

    onsemi

    		 786 -
    RFQ
    		NTBG060N090SC1

    데이터시트

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 5.8A (Ta), 44A (Tc) 15V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V, -10V 1800 pF @ 450 V - 3.6W (Ta), 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    TW083N65C,S1F

    TW083N65C,S1F

    G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 142 -
    RFQ
    		TW083N65C,S1F

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 18V 113mOhm @ 15A, 18V 5V @ 600µA 28 nC @ 18 V +25V, -10V 873 pF @ 400 V - 111W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247
    IXFT100N30X3HV

    IXFT100N30X3HV

    MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV

    Littelfuse Inc.

    		 550 -
    RFQ
    		IXFT100N30X3HV

    데이터시트

         		HiPerFET™, Ultra X3 TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 100A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 4mA 122 nC @ 10 V ±20V 7660 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
    S2M0080120D

    S2M0080120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 211 -
    RFQ
    		S2M0080120D

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 41A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +25V, -10V 1324 pF @ 1000 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NTHL033N65S3HF

    NTHL033N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3

    onsemi

    		 402 -
    RFQ
    		NTHL033N65S3HF

    데이터시트

         		FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 70A (Tc) 10V 33mOhm @ 35A, 10V 5V @ 2.5mA 188 nC @ 10 V ±30V 6720 pF @ 400 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFH54N65X3

    IXFH54N65X3

    MOSFET 54A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXFH54N65X3

    데이터시트

         		HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 59mOhm @ 27A, 10V 5.2V @ 4mA 49 nC @ 10 V ±20V 3360 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFX180N25T

    IXFX180N25T

    MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 509 -
    RFQ
    		IXFX180N25T

    데이터시트

         		HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 180A (Tc) 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 345 nC @ 10 V ±20V 28000 pF @ 25 V - 1390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    SIHS90N65E-GE3

    SIHS90N65E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,

    Vishay Siliconix

    		 233 -
    RFQ
    		SIHS90N65E-GE3

    데이터시트

         		E TO-274AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 87A (Tc) 10V 29mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 591 nC @ 10 V ±30V 11826 pF @ 100 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
    S2M0080120K

    S2M0080120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 260 -
    RFQ
    		S2M0080120K

    데이터시트

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 41A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +25V, -10V 1324 pF @ 1000 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IMZA65R030M1HXKSA1

    IMZA65R030M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

    Infineon Technologies

    		 144 -
    RFQ
    		IMZA65R030M1HXKSA1

    데이터시트

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 53A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 48 nC @ 18 V +20V, -2V 1643 pF @ 400 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
    SCT2280KEHRC11

    SCT2280KEHRC11

    1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    		 410 -
    RFQ
    		SCT2280KEHRC11

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 14A (Tc) 18V 364mOhm @ 4A, 18V 4V @ 1.4mA 36 nC @ 400 V +22V, -6V 667 pF @ 800 V - 108W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    FCH041N65EF-F155

    FCH041N65EF-F155

    MOSFET N-CH 650V 76A TO247

    onsemi

    		 358 -
    RFQ
    		FCH041N65EF-F155

    데이터시트

         		FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V 5V @ 7.6mA 298 nC @ 10 V ±20V 12560 pF @ 100 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTH4L040N65S3F

    NTH4L040N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

    onsemi

    		 310 -
    RFQ
    		NTH4L040N65S3F

    데이터시트

         		FRFET®, SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 158 nC @ 10 V ±30V 5940 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IXTH6N120

    IXTH6N120

    MOSFET N-CH 1200V 6A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 1,160 -
    RFQ
    		IXTH6N120

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 6A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXFK88N30P

    IXFK88N30P

    MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 596 -
    RFQ
    		IXFK88N30P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 88A (Tc) 10V 40mOhm @ 44A, 10V 5V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 6300 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    R6050JNZ4C13

    R6050JNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 50A TO247G

    Rohm Semiconductor

    		 531 -
    RFQ
    		R6050JNZ4C13

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 15V 83mOhm @ 25A, 15V 7V @ 5mA 120 nC @ 15 V ±30V 4500 pF @ 100 V - 615W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IXFK32N100X

    IXFK32N100X

    MOSFET N-CH 1000V 32A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 215 -
    RFQ
    		IXFK32N100X

    데이터시트

         		HiPerFET™, Ultra X TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 220mOhm @ 16A, 10V 6V @ 4mA 130 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
    IXFH24N90P

    IXFH24N90P

    MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 128 -
    RFQ
    		IXFH24N90P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 24A (Tc) 10V 420mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    SCT3080ALHRC11

    SCT3080ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 30A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 448 -
    RFQ
    		SCT3080ALHRC11

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 134W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXFH80N65X2-4

    IXFH80N65X2-4

    MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L

    Littelfuse Inc.

    		 120 -
    RFQ
    		IXFH80N65X2-4

    데이터시트

         		HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 38mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 8300 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
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