FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFA20N85XHV

IXFA20N85XHV

MOSFET N-CH 850V 20A TO263

Littelfuse Inc.

200 -
RFQ
IXFA20N85XHV

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 20A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 63 nC @ 10 V ±30V 1660 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
SIHG47N60AEF-GE3

SIHG47N60AEF-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

Vishay Siliconix

216 -
RFQ
SIHG47N60AEF-GE3

데이터시트

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±30V 3576 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
STW56N65M2

STW56N65M2

MOSFET N-CH 650V 49A TO247

STMicroelectronics

114 -
RFQ
STW56N65M2

데이터시트

MDmesh™ M2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 49A (Tc) 10V 62mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±25V 3900 pF @ 100 V - 358W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
NTP055N65S3H

NTP055N65S3H

MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3

onsemi

730 -
RFQ
NTP055N65S3H

데이터시트

SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 55mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 4.8mA 96 nC @ 10 V ±30V 4305 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPDD60R050G7XTMA1

IPDD60R050G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10

Infineon Technologies

3,215 -
RFQ
IPDD60R050G7XTMA1

데이터시트

CoolMOS™ G7 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 50mOhm @ 15.9A, 10V 4V @ 800µA 68 nC @ 10 V ±20V 2670 pF @ 400 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1
NVHL082N65S3F

NVHL082N65S3F

MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3

onsemi

450 -
RFQ
NVHL082N65S3F

데이터시트

SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 4mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IXTP60N20X4

IXTP60N20X4

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220

Littelfuse Inc.

300 -
RFQ
IXTP60N20X4

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 21mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220 (IXTP)
IXFH160N15T2

IXFH160N15T2

MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD

Littelfuse Inc.

298 -
RFQ
IXFH160N15T2

데이터시트

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 160A (Tc) 10V 9mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 1mA 253 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 25 V - 880W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
FCH072N60

FCH072N60

MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3

onsemi

841 -
RFQ
FCH072N60

데이터시트

SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 52A (Tc) 10V 72mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 5890 pF @ 380 V - 481W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
NTH4LN067N65S3H

NTH4LN067N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

218 -
RFQ
NTH4LN067N65S3H

데이터시트

SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 67mOhm @ 20A, 10V 4V @ 3.9mA 80 nC @ 10 V ±30V 3750 pF @ 400 V - 266W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXFR36N60P

IXFR36N60P

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

268 -
RFQ
IXFR36N60P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 200mOhm @ 18A, 10V 5V @ 4mA 102 nC @ 10 V ±30V 5800 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
SIHG039N60EF-GE3

SIHG039N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC

Vishay Siliconix

435 -
RFQ
SIHG039N60EF-GE3

데이터시트

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 61A (Tc) 10V 40mOhm @ 32A, 10V 5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±30V 4323 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
NVBG089N65S3F

NVBG089N65S3F

SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L

onsemi

800 -
RFQ
NVBG089N65S3F

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 37A (Tc) 10V 89mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 970µA 74 nC @ 10 V ±30V 3598 pF @ 400 V - 291W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
NVHL080N120SC1A

NVHL080N120SC1A

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3

onsemi

890 -
RFQ
NVHL080N120SC1A

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25, -15V 1670 pF @ 800 V - 178W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
R6035KNZ4C13

R6035KNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
R6035KNZ4C13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 379W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IMZA65R057M1HXKSA1

IMZA65R057M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Infineon Technologies

150 -
RFQ
IMZA65R057M1HXKSA1

데이터시트

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 35A (Tc) 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 5.7V @ 5mA 28 nC @ 18 V +20V, -2V 930 pF @ 400 V - 133W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
R6547ENZ4C13

R6547ENZ4C13

650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

324 -
RFQ
R6547ENZ4C13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 80mOhm @ 25.8A, 10V 4V @ 1.72mA 150 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 480W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
R6025JNZ4C13

R6025JNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 25A TO247G

Rohm Semiconductor

597 -
RFQ
R6025JNZ4C13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 15V 182mOhm @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57 nC @ 15 V ±30V 1900 pF @ 100 V - 306W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
NTH4LN040N65S3H

NTH4LN040N65S3H

NTH4LN040N65S3H

onsemi

367 -
RFQ
NTH4LN040N65S3H

데이터시트

SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 62A (Tc) 10V 40mOhm @ 31A, 10V 4V @ 6.8mA 132 nC @ 10 V ±30V 6513 pF @ 400 V - 379W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXFH12N100P

IXFH12N100P

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

Littelfuse Inc.

570 -
RFQ
IXFH12N100P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4080 pF @ 25 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
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