FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
R6547ENZ4C13

R6547ENZ4C13

650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

324 -
RFQ
R6547ENZ4C13 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 80mOhm @ 25.8A, 10V 4V @ 1.72mA 150 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 480W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
R6025JNZ4C13

R6025JNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 25A TO247G

Rohm Semiconductor

597 -
RFQ
R6025JNZ4C13 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 15V 182mOhm @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57 nC @ 15 V ±30V 1900 pF @ 100 V - 306W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
NTH4LN040N65S3H

NTH4LN040N65S3H

NTH4LN040N65S3H

onsemi

367 -
RFQ
NTH4LN040N65S3H 데이터시트 SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 62A (Tc) 10V 40mOhm @ 31A, 10V 4V @ 6.8mA 132 nC @ 10 V ±30V 6513 pF @ 400 V - 379W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXFH12N100P

IXFH12N100P

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

Littelfuse Inc.

570 -
RFQ
IXFH12N100P 데이터시트 HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4080 pF @ 25 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
STO68N65DM6

STO68N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

STMicroelectronics

187 -
RFQ
STO68N65DM6 데이터시트 - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 55A (Tc) 10V 65mOhm @ 27.5A, 10V 4.75V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±25V 3528 pF @ 100 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL (HV)
AUIRFP4568-E

AUIRFP4568-E

MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD

Infineon Technologies

355 -
RFQ
AUIRFP4568-E 데이터시트 HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 171A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V 10470 pF @ 50 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
NTH4L060N065SC1

NTH4L060N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

onsemi

499 -
RFQ
NTH4L060N065SC1 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
STW69N65M5-4

STW69N65M5-4

MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L

STMicroelectronics

385 -
RFQ
STW69N65M5-4 데이터시트 MDmesh™ V TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 45mOhm @ 29A, 10V 5V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±25V 6420 pF @ 100 V - 330W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
IXFH230N10T

IXFH230N10T

MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD

Littelfuse Inc.

300 -
RFQ
IXFH230N10T 데이터시트 HiPerFET™, Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 230A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 1mA 250 nC @ 10 V ±20V 15300 pF @ 25 V - 650W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Vishay Siliconix

225 -
RFQ
SIHG47N60E-E3 데이터시트 - TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 64mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±30V 9620 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
NTBL050N65S3H

NTBL050N65S3H

MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE

onsemi

1,278 -
RFQ
NTBL050N65S3H 데이터시트 - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 49A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 4.8mA 98 nC @ 10 V ±30V 4880 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
SCT3105KW7TL

SCT3105KW7TL

SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

Rohm Semiconductor

995 -
RFQ
SCT3105KW7TL 데이터시트 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 23A (Tc) - 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 125W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SIHK045N60E-T1-GE3

SIHK045N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

Vishay Siliconix

1,806 -
RFQ
SIHK045N60E-T1-GE3 데이터시트 E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 48A (Tc) 10V 49mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4013 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
UF4C120053K4S

UF4C120053K4S

1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,

Qorvo

505 -
RFQ
UF4C120053K4S 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 34A (Tc) 12V 67mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
FCA47N60-F109

FCA47N60-F109

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

onsemi

452 -
RFQ
FCA47N60-F109 데이터시트 SuperFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
NVHL040N60S5F

NVHL040N60S5F

SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-

onsemi

337 -
RFQ
NVHL040N60S5F 데이터시트 FRFET®, SUPERFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 59A (Tc) 10V 40mOhm @ 29.5A, 10V 4.8V @ 7.2mA 115 nC @ 10 V ±30V 6318 pF @ 400 V - 347W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPW60R075CPFKSA1

IPW60R075CPFKSA1

MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3

Infineon Technologies

237 -
RFQ
IPW60R075CPFKSA1 데이터시트 CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 39A (Tc) 10V 75mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 1.7mA 116 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
AUIRFP4568

AUIRFP4568

MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC

Infineon Technologies

386 -
RFQ
AUIRFP4568 데이터시트 HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 171A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V 10470 pF @ 50 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
SIHK045N60EF-T1GE3

SIHK045N60EF-T1GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

1,998 -
RFQ
SIHK045N60EF-T1GE3 데이터시트 EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 52mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±30V 4685 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
STB32N65M5

STB32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

STMicroelectronics

940 -
RFQ
STB32N65M5 데이터시트 MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 119mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±25V 3320 pF @ 100 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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