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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IMBG65R072M1HXTMA1

    IMBG65R072M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

    Infineon Technologies

    		 817 -
    RFQ
    		IMBG65R072M1HXTMA1 데이터시트 CoolSIC™ M1 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 33A (Tc) 18V 94mOhm @ 13.3A, 18V 5.7V @ 4mA 22 nC @ 18 V +23V, -5V 744 pF @ 400 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
    NVHL055N60S5F

    NVHL055N60S5F

    SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-

    onsemi

    		 528 -
    RFQ
    		NVHL055N60S5F 데이터시트 FRFET®, SUPERFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 45A (Tc) 10V 55mOhm @ 22.5A, 10V 4.8V @ 5.2mA 85.2 nC @ 10 V ±30V 4603 pF @ 400 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFH30N85X

    IXFH30N85X

    MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 290 -
    RFQ
    		IXFH30N85X 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 30A (Tc) 10V 220mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 68 nC @ 10 V ±30V 2460 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    SIHH070N60EF-T1GE3

    SIHH070N60EF-T1GE3

    MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    		 3,000 -
    RFQ
    		SIHH070N60EF-T1GE3 데이터시트 EF 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 71mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±30V 2647 pF @ 100 V - 202W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    R6535ENZC17

    R6535ENZC17

    MOSFET N-CH 650V 35A TO3

    Rohm Semiconductor

    		 300 -
    RFQ
    		R6535ENZC17 데이터시트 - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 115mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1.21mA 110 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    NVMFS5C404NLWFAFT1G

    NVMFS5C404NLWFAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN

    onsemi

    		 1,481 -
    RFQ
    		NVMFS5C404NLWFAFT1G 데이터시트 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 370A (Tc) 4.5V, 10V 0.67mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 81 nC @ 4.5 V ±20V 12168 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NTHL065N65S3HF

    NTHL065N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

    onsemi

    		 318 -
    RFQ
    		NTHL065N65S3HF 데이터시트 SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) - 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 1.3mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    R6020KNZ4C13

    R6020KNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 20A TO247

    Rohm Semiconductor

    		 410 -
    RFQ
    		R6020KNZ4C13 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 231W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    STW42N65M5

    STW42N65M5

    MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3

    STMicroelectronics

    		 498 -
    RFQ
    		STW42N65M5 데이터시트 MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 33A (Tc) 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±25V 4650 pF @ 100 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFQ72N20X3

    IXFQ72N20X3

    MOSFET N-CH 200V 72A TO3P

    Littelfuse Inc.

    		 304 -
    RFQ
    		IXFQ72N20X3 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X3 TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) 10V 20mOhm @ 36A, 10V 4.5V @ 1.5mA 55 nC @ 10 V ±20V 3780 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    UF4C120070K4S

    UF4C120070K4S

    1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,

    Qorvo

    		 240 -
    RFQ
    		UF4C120070K4S 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 27.5A (Tc) - 91mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 217W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFH46N65X3

    IXFH46N65X3

    MOSFET 46A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    		 352 -
    RFQ
    		IXFH46N65X3 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 73mOhm @ 23A, 10V 5.2V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±20V 2730 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    NVMTS0D6N04CLTXG

    NVMTS0D6N04CLTXG

    T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

    onsemi

    		 2,863 -
    RFQ
    		NVMTS0D6N04CLTXG 데이터시트 - - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 78.9A (Ta), 554.5A (Tc) 4.5V, 10V 0.42mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 265 nC @ 10 V ±20V 16013 pF @ 20 V - 5W (Ta), 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 - -
    IMW65R072M1HXKSA1

    IMW65R072M1HXKSA1

    MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

    Infineon Technologies

    		 260 -
    RFQ
    		IMW65R072M1HXKSA1 데이터시트 CoolSIC™ M1 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 26A (Tc) 18V 94mOhm @ 13.3A, 18V 5.7V @ 4mA 22 nC @ 18 V +23V, -5V 744 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
    NVH4L160N120SC1

    NVH4L160N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

    onsemi

    		 353 -
    RFQ
    		NVH4L160N120SC1 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17.3A (Tc) 20V 224mOhm @ 12A, 20V 4.3V @ 2.5mA 34 nC @ 20 V +25V, -15V 665 pF @ 800 V - 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCT4062KRC15

    SCT4062KRC15

    1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 4,925 -
    RFQ
    		SCT4062KRC15 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IXFH140N10P

    IXFH140N10P

    MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 306 -
    RFQ
    		IXFH140N10P 데이터시트 HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 140A (Tc) 10V 11mOhm @ 70A, 10V 5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    FDBL9401-F085T6

    FDBL9401-F085T6

    MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF

    onsemi

    		 5,193 -
    RFQ
    		FDBL9401-F085T6 데이터시트 - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 58.4A (Ta), 240A (Tc) - 0.67mOhm @ 50A, 10V 4V @ 290µA 148 nC @ 10 V +20V, -16V 10000 pF @ 25 V - 4.3W (Ta), 180.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
    PJMH074N60FRC_T0_00601

    PJMH074N60FRC_T0_00601

    600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER

    Panjit International Inc.

    		 2,984 -
    RFQ
    		PJMH074N60FRC_T0_00601 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 53A (Tc) 10V 74mOhm @ 26.5A, 10V 4.5V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V 3871 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    IPP65R050CFD7AAKSA1

    IPP65R050CFD7AAKSA1

    MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 500 -
    RFQ
    		IPP65R050CFD7AAKSA1 데이터시트 CoolMOS™ CFD7A TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3
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