FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
SCT2160KEHRC11

SCT2160KEHRC11

1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

Rohm Semiconductor

374 -
RFQ
SCT2160KEHRC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 18V 208mOhm @ 7A, 18V 4V @ 2.5mA 62 nC @ 18 V +22V, -6V 1200 pF @ 800 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
IXTR102N65X2

IXTR102N65X2

MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

300 -
RFQ
IXTR102N65X2

데이터시트

Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 33mOhm @ 51A, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±30V 10900 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
SCT4026DW7HRTL

SCT4026DW7HRTL

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

995 -
RFQ
SCT4026DW7HRTL

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 150W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7L
SCT4026DW7TL

SCT4026DW7TL

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

988 -
RFQ
SCT4026DW7TL

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tj) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 150W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
IPZA65R018CFD7XKSA1

IPZA65R018CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

238 -
RFQ
IPZA65R018CFD7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 106A (Tc) 10V 18mOhm @ 58.2A, 10V 4.5V @ 2.91mA 234 nC @ 10 V ±20V 11660 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
NVHL027N65S3F

NVHL027N65S3F

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

onsemi

479 -
RFQ
NVHL027N65S3F

데이터시트

SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 227 nC @ 10 V ±30V 7780 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IXFR24N100Q3

IXFR24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

337 -
RFQ
IXFR24N100Q3

데이터시트

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 490mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
C3M0075120D-A

C3M0075120D-A

75M 1200V 175C SIC FET

Wolfspeed, Inc.

379 -
RFQ
C3M0075120D-A

데이터시트

C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.6V @ 5mA 54 nC @ 15 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFL100N50P

IXFL100N50P

MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264

Littelfuse Inc.

225 -
RFQ
IXFL100N50P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 70A (Tc) 10V 52mOhm @ 50A, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 20000 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
SCTWA50N120

SCTWA50N120

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

STMicroelectronics

378 -
RFQ
SCTWA50N120

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tc) 20V 69mOhm @ 40A, 20V 3V @ 1mA 122 nC @ 20 V +25V, -10V 1900 pF @ 400 V - 318W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
STY100NM60N

STY100NM60N

MOSFET N CH 600V 98A MAX247

STMicroelectronics

600 -
RFQ
STY100NM60N

데이터시트

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 98A (Tc) 10V 29mOhm @ 49A, 10V 4V @ 250µA 330 nC @ 10 V 25V 9600 pF @ 50 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
IXFX44N80P

IXFX44N80P

MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

300 -
RFQ
IXFX44N80P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 198 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFK32N100P

IXFK32N100P

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

Littelfuse Inc.

300 -
RFQ
IXFK32N100P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 14200 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFB110N60P3

IXFB110N60P3

MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264

Littelfuse Inc.

118 -
RFQ
IXFB110N60P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 110A (Tc) 10V 56mOhm @ 55A, 10V 5V @ 8mA 245 nC @ 10 V ±30V 18000 pF @ 25 V - 1890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
S2M0040120D

S2M0040120D

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

SMC Diode Solutions

221 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-3
IXFR80N50Q3

IXFR80N50Q3

MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

192 -
RFQ
IXFR80N50Q3

데이터시트

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 72mOhm @ 40A, 10V 6.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 10000 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
S2M0040120K

S2M0040120K

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

SMC Diode Solutions

103 -
RFQ

-

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-4
NTH4L027N65S3F

NTH4L027N65S3F

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

onsemi

449 -
RFQ
NTH4L027N65S3F

데이터시트

FRFET®, SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 259 nC @ 10 V ±30V 7690 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
NTH027N65S3F-F155

NTH027N65S3F-F155

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

onsemi

472 -
RFQ
NTH027N65S3F-F155

데이터시트

FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 7.5mA 259 nC @ 10 V ±30V 7690 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXKR47N60C5

IXKR47N60C5

MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

107 -
RFQ
IXKR47N60C5

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
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