FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFK80N65X2

IXFK80N65X2

MOSFET N-CH 650V 80A TO264

Littelfuse Inc.

491 -
RFQ
IXFK80N65X2

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 40mOhm @ 40A, 10V 5.5V @ 4mA 143 nC @ 10 V ±30V 8245 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
IXFX66N85X

IXFX66N85X

MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

250 -
RFQ
IXFX66N85X

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 66A (Tc) 10V 65mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 8mA 230 nC @ 10 V ±30V 8900 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
NTHL040N65S3HF

NTHL040N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

onsemi

393 -
RFQ
NTHL040N65S3HF

데이터시트

FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 159 nC @ 10 V ±30V 5945 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFH26N100X

IXFH26N100X

MOSFET N-CH 1000V 26A TO247

Littelfuse Inc.

260 -
RFQ
IXFH26N100X

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 26A (Tc) 10V 320mOhm @ 13A, 10V 6V @ 4mA 113 nC @ 10 V ±30V 3290 pF @ 25 V - 860W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXFK32N80P

IXFK32N80P

MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA

Littelfuse Inc.

300 -
RFQ
IXFK32N80P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 32A (Tc) 10V 270mOhm @ 16A, 10V 5V @ 8mA 150 nC @ 10 V ±30V 8800 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFX24N100Q3

IXFX24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

IXYS

300 -
RFQ
IXFX24N100Q3

데이터시트

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 24A (Tc) 10V 440mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
SCT3080KW7TL

SCT3080KW7TL

SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

Rohm Semiconductor

785 -
RFQ
SCT3080KW7TL

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 30A (Tc) - 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V - 159W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
IXTH60N20L2

IXTH60N20L2

MOSFET N-CH 200V 60A TO247

Littelfuse Inc.

329 -
RFQ
IXTH60N20L2

데이터시트

Linear L2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 255 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
FCH060N80-F155

FCH060N80-F155

MOSFET N-CH 800V 56A TO247

onsemi

850 -
RFQ
FCH060N80-F155

데이터시트

SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 56A (Tc) 10V 60mOhm @ 29A, 10V 4.5V @ 5.8mA 350 nC @ 10 V ±20V 14685 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFX80N60P3

IXFX80N60P3

MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

202 -
RFQ
IXFX80N60P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 80A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 190 nC @ 10 V ±30V 13100 pF @ 25 V - 1300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

onsemi

790 -
RFQ
NVBG045N065SC1

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 62A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1890 pF @ 325 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
NTHL019N65S3H

NTHL019N65S3H

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

onsemi

430 -
RFQ
NTHL019N65S3H

데이터시트

SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) - 19.3mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 14.3mA 282 nC @ 10 V ±30V 15993 pF @ 400 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFX420N10T

IXFX420N10T

MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

289 -
RFQ
IXFX420N10T

데이터시트

HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 420A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670 nC @ 10 V ±20V 47000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
NTH4L025N065SC1

NTH4L025N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

onsemi

247 -
RFQ
NTH4L025N065SC1

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 99A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 15 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
NVBG060N065SC1

NVBG060N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

onsemi

1,580 -
RFQ
NVBG060N065SC1

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V - 1473 pF @ 325 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
NTH4LN019N65S3H

NTH4LN019N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

309 -
RFQ
NTH4LN019N65S3H

데이터시트

SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 19.3mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 14.3mA 282 nC @ 10 V ±30V 15993 pF @ 400 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXFK200N10P

IXFK200N10P

MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA

Littelfuse Inc.

300 -
RFQ
IXFK200N10P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 200A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 235 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
SCT4026DRHRC15

SCT4026DRHRC15

750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

460 -
RFQ
SCT4026DRHRC15

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
SCT4026DEHRC11

SCT4026DEHRC11

750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

320 -
RFQ
SCT4026DEHRC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
SCT4026DEC11

SCT4026DEC11

750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

4,887 -
RFQ
SCT4026DEC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
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