FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
R6530KNXC7G

R6530KNXC7G

650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

884 -
RFQ
R6530KNXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6530ENXC7G

R6530ENXC7G

650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW

Rohm Semiconductor

713 -
RFQ
R6530ENXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
NTPF450N80S3Z

NTPF450N80S3Z

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

onsemi

928 -
RFQ
NTPF450N80S3Z 데이터시트 SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tj) - 450mOhm @ 5.5A, 10V 3.8V @ 240µA 19.3 nC @ 10 V ±20V 885 pF @ 400 V - 29.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
RSJ301N10TL

RSJ301N10TL

NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3

Rohm Semiconductor

466 -
RFQ
RSJ301N10TL 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 30A (Ta) 4V, 10V 46mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 50W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
R6004PND3FRATL

R6004PND3FRATL

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

Rohm Semiconductor

4,512 -
RFQ
R6004PND3FRATL 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±25V 280 pF @ 25 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
STB85NF55T4

STB85NF55T4

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

STMicroelectronics

487 -
RFQ
STB85NF55T4 데이터시트 STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
NTMFS006N12MCT1G

NTMFS006N12MCT1G

POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN

onsemi

19,500 -
RFQ
NTMFS006N12MCT1G 데이터시트 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 15A (Ta), 93A (Tc) 6V, 10V 6mOhm @ 46A, 10V 4V @ 260µA 42 nC @ 10 V ±20V 3365 pF @ 60 V - 2.7W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Infineon Technologies

1,573 -
RFQ
IPB180N04S4H0ATMA1 데이터시트 OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 1.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 180µA 225 nC @ 10 V ±20V 17940 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
IRFS11N50ATRLP

IRFS11N50ATRLP

MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB

Vishay Siliconix

325 -
RFQ
IRFS11N50ATRLP 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
RS1P600BHTB1

RS1P600BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

Rohm Semiconductor

2,425 -
RFQ
RS1P600BHTB1 데이터시트 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 6V, 10V 8.8mOhm @ 18A, 10V 4V @ 1mA 64 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 50 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ

MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN

Toshiba Semiconductor and Storage

4,812 -
RFQ
TK20V60W5,LVQ 데이터시트 DTMOSIV 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 300 V - 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
PJMD360N60EC_L2_00001

PJMD360N60EC_L2_00001

600V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

5,985 -
RFQ
PJMD360N60EC_L2_00001 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V 735 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
NVMJST1D3N04CTXG

NVMJST1D3N04CTXG

TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

onsemi

2,955 -
RFQ
NVMJST1D3N04CTXG 데이터시트 - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 386A (Tc) 10V 1.39mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 170µA 65 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
IPBE65R230CFD7AATMA1

IPBE65R230CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7

Infineon Technologies

1,931 -
RFQ
IPBE65R230CFD7AATMA1 데이터시트 CoolMOS™ CFD7A TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 230mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 260µA 23 nC @ 10 V ±20V 1044 pF @ 400 V - 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3-10
NVMFS5C638NLWFT1G

NVMFS5C638NLWFT1G

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

onsemi

1,322 -
RFQ
NVMFS5C638NLWFT1G 데이터시트 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2880 pF @ 25 V - 4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
SIHG15N80AE-GE3

SIHG15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC

Vishay Siliconix

400 -
RFQ
SIHG15N80AE-GE3 데이터시트 E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
BUK7S1R5-40HJ

BUK7S1R5-40HJ

MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88

Nexperia USA Inc.

1,956 -
RFQ
BUK7S1R5-40HJ 데이터시트 - SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 260A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 93 nC @ 10 V +20V, -10V 6712 pF @ 25 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
IPB024N08NF2SATMA1

IPB024N08NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

Infineon Technologies

604 -
RFQ
IPB024N08NF2SATMA1 데이터시트 StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 107A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 85µA 133 nC @ 10 V ±20V 6200 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

482 -
RFQ
R6530ENZ4C13 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
R6530KNZ4C13

R6530KNZ4C13

650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

Rohm Semiconductor

353 -
RFQ
R6530KNZ4C13 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
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