FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF840STRRPBF

IRF840STRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

691 -
RFQ
IRF840STRRPBF 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
R6024KNX

R6024KNX

MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Rohm Semiconductor

291 -
RFQ
R6024KNX 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

1,100 -
RFQ
SIHJ240N60E-T1-GE3 데이터시트 E PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 240mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 783 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
RJK0703DPP-A0#T2

RJK0703DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 75V 70A TO220FPA

Renesas Electronics Corporation

8,351 -
RFQ
RJK0703DPP-A0#T2 데이터시트 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 70A (Ta) 10V 6.7mOhm @ 35A, 10V 4V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 4150 pF @ 10 V - 25W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220ABA
IPP60R160P7XKSA1

IPP60R160P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1

Infineon Technologies

496 -
RFQ
IPP60R160P7XKSA1 데이터시트 CoolMOS™ P7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.3A, 10V 4V @ 350µA 31 nC @ 10 V ±20V 1317 pF @ 400 V - 81W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
R6015KNJTL

R6015KNJTL

MOSFET N-CH 600V 15A LPTS

Rohm Semiconductor

3,982 -
RFQ
R6015KNJTL 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 37.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON

Infineon Technologies

2,922 -
RFQ
IPL60R185C7AUMA1 데이터시트 CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 185mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
NVD5C648NLT4G

NVD5C648NLT4G

MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK

onsemi

1,455 -
RFQ
NVD5C648NLT4G 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.1mOhm @ 45A, 10V 2.1V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
IPB012N04NF2SATMA1

IPB012N04NF2SATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

795 -
RFQ
IPB012N04NF2SATMA1 데이터시트 StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 41A (Ta), 197A (Tc) 6V, 10V 1.25mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 189µA 239 nC @ 10 V ±20V 11300 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
RJK1055DPB-00#J5

RJK1055DPB-00#J5

MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

7,335 -
RFQ
RJK1055DPB-00#J5 데이터시트 - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Ta) 10V 17mOhm @ 11.5A, 10V - 35 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
R6524KNZ4C13

R6524KNZ4C13

650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

Rohm Semiconductor

1,010 -
RFQ
R6524KNZ4C13 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 750µA 45 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
R6524ENZ4C13

R6524ENZ4C13

650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

475 -
RFQ
R6524ENZ4C13 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 750µA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
IPL60R185CFD7AUMA1

IPL60R185CFD7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON

Infineon Technologies

2,973 -
RFQ
IPL60R185CFD7AUMA1 데이터시트 CoolMOS™ CFD7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 185mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 85W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
SIHP21N80AE-GE3

SIHP21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB

Vishay Siliconix

976 -
RFQ
SIHP21N80AE-GE3 데이터시트 E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17.4A (Tc) 10V 235mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 1388 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHP17N80AEF-GE3

SIHP17N80AEF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

928 -
RFQ
SIHP17N80AEF-GE3 데이터시트 EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 305mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IQE050N08NM5ATMA1

IQE050N08NM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8

Infineon Technologies

9,048 -
RFQ
IQE050N08NM5ATMA1 데이터시트 OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16A (Ta), 101A (Tc) 6V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 49µA 43.2 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 40 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-4
RD3L07BBGTL1

RD3L07BBGTL1

NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF

Rohm Semiconductor

2,359 -
RFQ
RD3L07BBGTL1 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 47 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 30 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
IXFP8N85X

IXFP8N85X

MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB

IXYS

278 -
RFQ
IXFP8N85X 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4A, 10V 5.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 654 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (IXFP)
TSM13ND50CI

TSM13ND50CI

MOSFET N-CH 500V 13A ITO220

Taiwan Semiconductor Corporation

3,848 -
RFQ
TSM13ND50CI 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.3A, 10V 3.8V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1877 pF @ 50 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
PSMN0R7-25YLDX

PSMN0R7-25YLDX

MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

3,113 -
RFQ
PSMN0R7-25YLDX 데이터시트 - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 300A (Tc) 4.5V, 10V 0.72mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 110.2 nC @ 10 V ±20V 8320 pF @ 12 V - 158W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
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