FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
R6530ENZC17

R6530ENZC17

MOSFET N-CH 650V 30A TO3

Rohm Semiconductor

300 -
RFQ
R6530ENZC17

데이터시트

- TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
RSS095N05HZGTB

RSS095N05HZGTB

NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09

Rohm Semiconductor

2,250 -
RFQ
RSS095N05HZGTB

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 9.5A (Ta) 4V, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V 2.5V @ 1mA 26.5 nC @ 5 V ±20V 1830 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
PJMF390N65EC_T0_00001

PJMF390N65EC_T0_00001

650V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

1,785 -
RFQ
PJMF390N65EC_T0_00001

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 390mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 726 pF @ 400 V - 29.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
STP12NK30Z

STP12NK30Z

MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB

STMicroelectronics

1,490 -
RFQ
STP12NK30Z

데이터시트

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 50µA 35 nC @ 10 V ±30V 670 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
NVMFS4C302NT1G

NVMFS4C302NT1G

MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

onsemi

1,455 -
RFQ
NVMFS4C302NT1G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 43A (Ta), 241A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 5780 pF @ 15 V - 3.75W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
N0436N-ZK-E1-AY

N0436N-ZK-E1-AY

ABU / MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,857 -
RFQ
N0436N-ZK-E1-AY

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Ta) 10V 4.7mOhm @ 28A, 10V 4V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 1W (Ta), 87.4W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252
RJK5035DPP-A0#T2

RJK5035DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP

Renesas Electronics Corporation

2,015 -
RFQ
RJK5035DPP-A0#T2

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Ta) 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V - 19 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 29W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220FP
SIHA15N80AE-GE3

SIHA15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 6A TO220

Vishay Siliconix

973 -
RFQ
SIHA15N80AE-GE3

데이터시트

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IPP60R210CFD7XKSA1

IPP60R210CFD7XKSA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

435 -
RFQ
IPP60R210CFD7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FCPF1300N80Z

FCPF1300N80Z

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F

onsemi

380 -
RFQ
FCPF1300N80Z

데이터시트

SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 400µA 21 nC @ 10 V ±20V 880 pF @ 100 V - 24W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
TK1R4F04PB,LXGQ

TK1R4F04PB,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

1,000 -
RFQ
TK1R4F04PB,LXGQ

데이터시트

U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.9mOhm @ 80A, 6V 3V @ 500µA 103 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
IPA60R180C7XKSA1

IPA60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

Infineon Technologies

203 -
RFQ
IPA60R180C7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
STD8N65M5

STD8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

STMicroelectronics

4,523 -
RFQ
STD8N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 690 pF @ 100 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STF16N60M6

STF16N60M6

MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP

STMicroelectronics

1,174 -
RFQ
STF16N60M6

데이터시트

UltraFASTmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4.75V @ 250µA 16.7 nC @ 10 V ±25V 575 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
HUF75639S3ST

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

onsemi

735 -
RFQ
HUF75639S3ST

데이터시트

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A (Tc) 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 20 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIDR608EP-T1-RE3

SIDR608EP-T1-RE3

N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

5,990 -
RFQ
SIDR608EP-T1-RE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 56A (Ta), 228A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V, -16V 8900 pF @ 20 V - 7.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
STP76NF75

STP76NF75

MOSFET N-CH 75V 80A TO220

STMicroelectronics

987 -
RFQ
STP76NF75

데이터시트

STripFET™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IPF013N04NF2SATMA1

IPF013N04NF2SATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

800 -
RFQ
IPF013N04NF2SATMA1

데이터시트

StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta), 232A (Tc) 6V, 10V 1.35mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 126µA 159 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
FCP360N65S3R0

FCP360N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3

onsemi

407 -
RFQ
FCP360N65S3R0

데이터시트

SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TPWR8503NL,L1Q

TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Toshiba Semiconductor and Storage

4,674 -
RFQ
TPWR8503NL,L1Q

데이터시트

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 0.85mOhm @ 50A, 10V 2.3V @ 1mA 74 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 15 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DSOP Advance
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