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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    SIDR608EP-T1-RE3

    SIDR608EP-T1-RE3

    N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 5,990 -
    RFQ
    		SIDR608EP-T1-RE3 데이터시트 TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 56A (Ta), 228A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V, -16V 8900 pF @ 20 V - 7.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    STP76NF75

    STP76NF75

    MOSFET N-CH 75V 80A TO220

    STMicroelectronics

    		 987 -
    RFQ
    		STP76NF75 데이터시트 STripFET™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPF013N04NF2SATMA1

    IPF013N04NF2SATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    		 800 -
    RFQ
    		IPF013N04NF2SATMA1 데이터시트 StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta), 232A (Tc) 6V, 10V 1.35mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 126µA 159 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
    FCP360N65S3R0

    FCP360N65S3R0

    MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3

    onsemi

    		 407 -
    RFQ
    		FCP360N65S3R0 데이터시트 SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    TPWR8503NL,L1Q

    TPWR8503NL,L1Q

    MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 4,674 -
    RFQ
    		TPWR8503NL,L1Q 데이터시트 U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 0.85mOhm @ 50A, 10V 2.3V @ 1mA 74 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 15 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DSOP Advance
    R6006JNJGTL

    R6006JNJGTL

    MOSFET N-CH 600V 6A LPTS

    Rohm Semiconductor

    		 1,098 -
    RFQ
    		R6006JNJGTL 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V ±30V 410 pF @ 100 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    RD3L08BGNTL

    RD3L08BGNTL

    MOSFET N-CH 60V 80A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 1,285 -
    RFQ
    		RD3L08BGNTL 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 100µA 71 nC @ 10 V ±20V 3620 pF @ 30 V - 119W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    STP18N65M2

    STP18N65M2

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220

    STMicroelectronics

    		 1,003 -
    RFQ
    		STP18N65M2 데이터시트 MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 330mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V 770 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    PJMF900N60EC_T0_00001

    PJMF900N60EC_T0_00001

    600V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    		 1,986 -
    RFQ
    		PJMF900N60EC_T0_00001 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±30V 310 pF @ 400 V - 22.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    TPS1101D

    TPS1101D

    MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

    Texas Instruments

    		 69 -
    RFQ
    		TPS1101D 데이터시트 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 2.3A (Ta) 2.7V, 10V 90mOhm @ 2.5A, 10V 1.5V @ 250µA 11.25 nC @ 10 V +2V, -15V - - 791mW (Ta) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NVMYS005N10MCLTWG

    NVMYS005N10MCLTWG

    PTNG 100V LL LFPAK4

    onsemi

    		 4,714 -
    RFQ
    		NVMYS005N10MCLTWG 데이터시트 - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 34A, 10V 3V @ 192µA 55 nC @ 10 V ±20V 4100 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 131W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    NP89N055PUK-E1-AY

    NP89N055PUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,175 -
    RFQ
    		NP89N055PUK-E1-AY 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 90A (Tc) 10V 4mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 147W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-3
    RS1E350GNTB

    RS1E350GNTB

    MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    		 2,500 -
    RFQ
    		RS1E350GNTB 데이터시트 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 4060 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    R6509KNXC7G

    R6509KNXC7G

    650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

    Rohm Semiconductor

    		 3,990 -
    RFQ
    		R6509KNXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Ta) 10V 585mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 230µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    SIDR140DP-T1-RE3

    SIDR140DP-T1-RE3

    N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 2,998 -
    RFQ
    		SIDR140DP-T1-RE3 데이터시트 TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 79A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.67mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 170 nC @ 10 V +20V, -16V 8150 pF @ 10 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    RS1E350BNTB1

    RS1E350BNTB1

    NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35

    Rohm Semiconductor

    		 2,217 -
    RFQ
    		RS1E350BNTB1 데이터시트 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 185 nC @ 10 V ±20V 7900 pF @ 15 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SIHP12N60E-BE3

    SIHP12N60E-BE3

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 346 -
    RFQ
    		SIHP12N60E-BE3 데이터시트 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) - 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 937 pF @ 100 V - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    RJK0854DPB-00#J5

    RJK0854DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,540 -
    RFQ
    		RJK0854DPB-00#J5 데이터시트 - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 25A (Ta) 10V 13mOhm @ 12.5A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    R6524ENXC7G

    R6524ENXC7G

    650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    		 990 -
    RFQ
    		R6524ENXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 750µA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6524KNXC7G

    R6524KNXC7G

    650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    		 989 -
    RFQ
    		R6524KNXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 750µA 45 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
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