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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    AOB66616L

    AOB66616L

    MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 570 -
    RFQ
    		AOB66616L

    데이터시트

         		AlphaSGT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 38.5A (Ta), 140A (Tc) 6V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 2870 pF @ 30 V - 8.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF840LCLPBF

    IRF840LCLPBF

    MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

    Vishay Siliconix

    		 1,965 -
    RFQ
    		IRF840LCLPBF

    데이터시트

         		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    R6020JNZC17

    R6020JNZC17

    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

    Rohm Semiconductor

    		 296 -
    RFQ
    		R6020JNZC17

    데이터시트

         		- TO-3P-3 Full Pack Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 15V 234mOhm @ 10A, 15V 7V @ 3.5mA 45 nC @ 15 V ±30V 1500 pF @ 100 V - 76W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    IPB120N04S402ATMA1

    IPB120N04S402ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 3,008 -
    RFQ
    		IPB120N04S402ATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 110µA 134 nC @ 10 V ±20V 10740 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IQE065N10NM5CGATMA1

    IQE065N10NM5CGATMA1

    TRENCH >=100V PG-TTFN-9

    Infineon Technologies

    		 9,915 -
    RFQ
    		IQE065N10NM5CGATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Ta), 85A (Tc) 6V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 48µA 42 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-1
    PJMP360N60EC_T0_00001

    PJMP360N60EC_T0_00001

    600V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    		 1,980 -
    RFQ
    		PJMP360N60EC_T0_00001

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V 735 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
    IPP77N06S212AKSA2

    IPP77N06S212AKSA2

    MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 495 -
    RFQ
    		IPP77N06S212AKSA2

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 77A (Tc) 10V 12mOhm @ 38A, 10V 4V @ 93µA 60 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IAUA250N04S6N008AUMA1

    IAUA250N04S6N008AUMA1

    OPTIMOS POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 1,950 -
    RFQ
    		IAUA250N04S6N008AUMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 6 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 51A (Ta) 7V, 10V 0.8mOhm @ 100A, 10V 3V @ 90µA 109 nC @ 10 V ±20V 7088 pF @ 25 V - 172W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOF-5-1
    IPB160N04S4H1ATMA1

    IPB160N04S4H1ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

    Infineon Technologies

    		 770 -
    RFQ
    		IPB160N04S4H1ATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 4V @ 110µA 137 nC @ 10 V ±20V 10920 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    IPA057N08N3GXKSA1

    IPA057N08N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP

    Infineon Technologies

    		 440 -
    RFQ
    		IPA057N08N3GXKSA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 6V, 10V 5.7mOhm @ 60A, 10V 3.5V @ 90µA 69 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 40 V - 39W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    STP200NF03

    STP200NF03

    MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 981 -
    RFQ
    		STP200NF03

    데이터시트

         		STripFET™ III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 4950 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STD9NM60N

    STD9NM60N

    MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

    STMicroelectronics

    		 2,500 -
    RFQ
    		STD9NM60N

    데이터시트

         		MDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.5A (Tc) 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 4V @ 250µA 17.4 nC @ 10 V ±25V 452 pF @ 50 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FDP120N10

    FDP120N10

    MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3

    onsemi

    		 226 -
    RFQ
    		FDP120N10

    데이터시트

         		PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 74A (Tc) 10V 12mOhm @ 74A, 10V 4.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 5605 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    SIDR390DP-T1-GE3

    SIDR390DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK

    Vishay Siliconix

    		 7,487 -
    RFQ
    		SIDR390DP-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 69.9A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.8mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V, -16V 10180 pF @ 15 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    RS6R035BHTB1

    RS6R035BHTB1

    NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    		 2,420 -
    RFQ
    		RS6R035BHTB1

    데이터시트

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 35A (Tc) 6V, 10V 41mOhm @ 35A, 10V 4V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 75 V - 3W (Ta), 73W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    IPF016N06NF2SATMA1

    IPF016N06NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    		 989 -
    RFQ
    		IPF016N06NF2SATMA1

    데이터시트

         		StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 223A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 129µA 162 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
    STI6N90K5

    STI6N90K5

    MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK

    STMicroelectronics

    		 125 -
    RFQ
    		STI6N90K5

    데이터시트

         		MDmesh™ K5 TO-262-3 Full Pack, I2PAK Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    NTMFS4C020NT1G

    NTMFS4C020NT1G

    MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN

    onsemi

    		 4,241 -
    RFQ
    		NTMFS4C020NT1G

    데이터시트

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 47A (Ta), 303A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SIDR402EP-T1-RE3

    SIDR402EP-T1-RE3

    N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 5,930 -
    RFQ
    		SIDR402EP-T1-RE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65.2A (Ta), 291A (Tc) 4.5V, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V, -16V 9100 pF @ 20 V - 7.5W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    R6009END3TL1

    R6009END3TL1

    MOSFET N-CH 600V 9A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 5,016 -
    RFQ
    		R6009END3TL1

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 94W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
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