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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IPF016N06NF2SATMA1

    IPF016N06NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    		 989 -
    RFQ
    		IPF016N06NF2SATMA1 데이터시트 StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 223A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 129µA 162 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
    STI6N90K5

    STI6N90K5

    MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK

    STMicroelectronics

    		 125 -
    RFQ
    		STI6N90K5 데이터시트 MDmesh™ K5 TO-262-3 Full Pack, I2PAK Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    NTMFS4C020NT1G

    NTMFS4C020NT1G

    MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN

    onsemi

    		 4,241 -
    RFQ
    		NTMFS4C020NT1G 데이터시트 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 47A (Ta), 303A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SIDR402EP-T1-RE3

    SIDR402EP-T1-RE3

    N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 5,930 -
    RFQ
    		SIDR402EP-T1-RE3 데이터시트 TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65.2A (Ta), 291A (Tc) 4.5V, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V, -16V 9100 pF @ 20 V - 7.5W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    R6009END3TL1

    R6009END3TL1

    MOSFET N-CH 600V 9A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 5,016 -
    RFQ
    		R6009END3TL1 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 94W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    SIR846DP-T1-GE3

    SIR846DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 1,980 -
    RFQ
    		SIR846DP-T1-GE3 데이터시트 TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 7.5V, 10V 7.8mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2870 pF @ 50 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    RJK1054DPB-00#J5

    RJK1054DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,475 -
    RFQ
    		RJK1054DPB-00#J5 데이터시트 - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 10V 22mOhm @ 10A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    NP50P04SLG-E1-AY

    NP50P04SLG-E1-AY

    MP-3ZK

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,960 -
    RFQ
    		NP50P04SLG-E1-AY 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Ta) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 10 V - 1.2W (Ta), 84W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
    SIHA12N60E-E3

    SIHA12N60E-E3

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220

    Vishay Siliconix

    		 923 -
    RFQ
    		SIHA12N60E-E3 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 937 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    SIHD186N60EF-GE3

    SIHD186N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 19A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 6,140 -
    RFQ
    		SIHD186N60EF-GE3 데이터시트 EF TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 201mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1118 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    R6007ENXC7G

    R6007ENXC7G

    600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

    Rohm Semiconductor

    		 1,996 -
    RFQ
    		R6007ENXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Ta) 10V 620mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 46W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    SI4368DY-T1-E3

    SI4368DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

    Vishay Siliconix

    		 1,110 -
    RFQ
    		SI4368DY-T1-E3 데이터시트 TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 1.8V @ 250µA 80 nC @ 4.5 V ±12V 8340 pF @ 15 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SIHF12N65E-GE3

    SIHF12N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220

    Vishay Siliconix

    		 993 -
    RFQ
    		SIHF12N65E-GE3 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 1224 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    IRF840ASTRLPBF

    IRF840ASTRLPBF

    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 675 -
    RFQ
    		IRF840ASTRLPBF 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXTP05N100

    IXTP05N100

    MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXTP05N100 데이터시트 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 750mA (Tc) 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V 260 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    SIDR104ADP-T1-RE3

    SIDR104ADP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

    Vishay Siliconix

    		 5,920 -
    RFQ
    		SIDR104ADP-T1-RE3 데이터시트 TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.8A (Ta), 81A (Tc) 7.5V, 10V 6.1mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 50 V - 5.4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    IPD95R450PFD7ATMA1

    IPD95R450PFD7ATMA1

    MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 2,466 -
    RFQ
    		IPD95R450PFD7ATMA1 데이터시트 CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 13.3A (Tc) 10V 450mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 43 nC @ 10 V ±20V 1230 pF @ 400 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    R6006JNXC7G

    R6006JNXC7G

    MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    		 869 -
    RFQ
    		R6006JNXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V ±30V 410 pF @ 100 V - 43W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    BSC011N03LSTATMA1

    BSC011N03LSTATMA1

    MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON

    Infineon Technologies

    		 5,000 -
    RFQ
    		BSC011N03LSTATMA1 데이터시트 OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 39A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V ±20V 6300 pF @ 15 V - 3W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
    TK1R5R04PB,LXGQ

    TK1R5R04PB,LXGQ

    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 2,900 -
    RFQ
    		TK1R5R04PB,LXGQ 데이터시트 U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 3V @ 500µA 103 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount D2PAK+
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