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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    STP150NF04

    STP150NF04

    MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 431 -
    RFQ
    		STP150NF04 데이터시트 STripFET™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 7mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3650 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    R6011END3TL1

    R6011END3TL1

    MOSFET N-CH 600V 11A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 300 -
    RFQ
    		R6011END3TL1 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 124W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    RD3P08BBDTL

    RD3P08BBDTL

    MOSFET N-CH 100V 80A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 9,410 -
    RFQ
    		RD3P08BBDTL 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 6V, 10V 11.6mOhm @ 80A, 10V 4V @ 1mA 37 nC @ 10 V ±20V 1940 pF @ 50 V - 119W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IAUT165N08S5N029ATMA2

    IAUT165N08S5N029ATMA2

    MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF

    Infineon Technologies

    		 1,980 -
    RFQ
    		IAUT165N08S5N029ATMA2 데이터시트 OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 165A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 108µA 90 nC @ 10 V ±20V 6370 pF @ 40 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
    STF10LN80K5

    STF10LN80K5

    MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 799 -
    RFQ
    		STF10LN80K5 데이터시트 MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±30V 427 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRFBC30APBF

    IRFBC30APBF

    MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 906 -
    RFQ
    		IRFBC30APBF 데이터시트 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TSM019NH04CR RLG

    TSM019NH04CR RLG

    40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 5,000 -
    RFQ
    		TSM019NH04CR RLG 데이터시트 PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 100A (Tc) 7V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 3.6V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 6029 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
    TSM019NH04LCR RLG

    TSM019NH04LCR RLG

    40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 4,965 -
    RFQ
    		TSM019NH04LCR RLG 데이터시트 PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±16V 6282 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
    STD5N95K3

    STD5N95K3

    MOSFET N-CH 950V 4A DPAK

    STMicroelectronics

    		 2,485 -
    RFQ
    		STD5N95K3 데이터시트 SuperMESH3™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 4A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 19 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SIHP22N60AE-BE3

    SIHP22N60AE-BE3

    N-CHANNEL 600V

    Vishay Siliconix

    		 1,944 -
    RFQ
    		SIHP22N60AE-BE3 데이터시트 E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V 1451 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPF039N08NF2SATMA1

    IPF039N08NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7

    Infineon Technologies

    		 682 -
    RFQ
    		IPF039N08NF2SATMA1 데이터시트 StrongIRFET™ 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 126A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 85µA 81 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-14
    IPB80N04S2H4ATMA2

    IPB80N04S2H4ATMA2

    MOSFET N-CHANNEL_30/40V

    Infineon Technologies

    		 602 -
    RFQ
    		IPB80N04S2H4ATMA2 데이터시트 CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 148 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    STF12N65M5

    STF12N65M5

    MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 128 -
    RFQ
    		STF12N65M5 데이터시트 MDmesh™ V TO-220-5 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.5A (Tc) 10V 430mOhm @ 4.3A, 10V 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±25V 900 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF640STRRPBF

    IRF640STRRPBF

    MOSFET N-CH 200V 18A TO263

    Vishay Siliconix

    		 1,458 -
    RFQ
    		IRF640STRRPBF 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6009ENXC7G

    R6009ENXC7G

    600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

    Rohm Semiconductor

    		 1,000 -
    RFQ
    		R6009ENXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Ta) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IRFZ48PBF

    IRFZ48PBF

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 978 -
    RFQ
    		IRFZ48PBF 데이터시트 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFZ48RPBF

    IRFZ48RPBF

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 948 -
    RFQ
    		IRFZ48RPBF 데이터시트 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF740ALPBF

    IRF740ALPBF

    MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK

    Vishay Siliconix

    		 615 -
    RFQ
    		IRF740ALPBF 데이터시트 - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1030 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRF740ASTRLPBF

    IRF740ASTRLPBF

    MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 550 -
    RFQ
    		IRF740ASTRLPBF 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1030 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6009KNXC7G

    R6009KNXC7G

    600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

    Rohm Semiconductor

    		 547 -
    RFQ
    		R6009KNXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Ta) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 1mA 16.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
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