FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPF012N06NF2SATMA1

IPF012N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

245 -
RFQ
IPF012N06NF2SATMA1

데이터시트

StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 41A (Ta), 282A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 186µA 233 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
STF16N65M5

STF16N65M5

MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP

STMicroelectronics

1,610 -
RFQ
STF16N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 299mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1250 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
SI7192DP-T1-GE3

SI7192DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,895 -
RFQ
SI7192DP-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V 5800 pF @ 15 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
PSMN4R4-80BS,118

PSMN4R4-80BS,118

MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

Nexperia USA Inc.

6,485 -
RFQ
PSMN4R4-80BS,118

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 40 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FDBL86566-F085

FDBL86566-F085

MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

onsemi

5,883 -
RFQ
FDBL86566-F085

데이터시트

PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6655 pF @ 30 V - 300W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
R6030ENXC7G

R6030ENXC7G

600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW

Rohm Semiconductor

846 -
RFQ
R6030ENXC7G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 1mA 85 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IPL65R160CFD7AUMA1

IPL65R160CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

Infineon Technologies

2,650 -
RFQ
IPL65R160CFD7AUMA1

데이터시트

CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1283 pF @ 400 V - 98W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
IXTP170N075T2

IXTP170N075T2

MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

Littelfuse Inc.

326 -
RFQ
IXTP170N075T2

데이터시트

TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 170A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 109 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
R8005ANJFRGTL

R8005ANJFRGTL

MOSFET N-CH 800V 5A LPTS

Rohm Semiconductor

1,848 -
RFQ
R8005ANJFRGTL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5A (Tc) 10V 2.1Ohm @ 2.5A, 10V 5V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±30V 500 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
AOTF190A60L

AOTF190A60L

MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

496 -
RFQ
AOTF190A60L

데이터시트

aMOS5™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 4.6V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1935 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
SIHG17N80AEF-GE3

SIHG17N80AEF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

294 -
RFQ
SIHG17N80AEF-GE3

데이터시트

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 305mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
NTP6410ANG

NTP6410ANG

MOSFET N-CH 100V 76A TO220AB

onsemi

137 -
RFQ
NTP6410ANG

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 76A (Tc) 10V 13mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IPBE65R190CFD7AATMA1

IPBE65R190CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7

Infineon Technologies

5,785 -
RFQ
IPBE65R190CFD7AATMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) - 190mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 7 nC @ 10 V ±20V 1291 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-11
STB11NK50ZT4

STB11NK50ZT4

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

STMicroelectronics

472 -
RFQ
STB11NK50ZT4

데이터시트

SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10A (Tc) 10V 520mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 68 nC @ 10 V ±30V 1390 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IXTA12N50P

IXTA12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A TO263

Littelfuse Inc.

307 -
RFQ
IXTA12N50P

데이터시트

Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 500mOhm @ 6A, 10V 5.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 1830 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
FCPF650N80Z

FCPF650N80Z

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

onsemi

986 -
RFQ
FCPF650N80Z

데이터시트

SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 650mOhm @ 4A, 10V 4.5V @ 800µA 35 nC @ 10 V ±20V 1565 pF @ 100 V - 30.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
SIHP23N60E-GE3

SIHP23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB

Vishay Siliconix

813 -
RFQ
SIHP23N60E-GE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 158mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±30V 2418 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHA120N60E-GE3

SIHA120N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

Vishay Siliconix

994 -
RFQ
SIHA120N60E-GE3

데이터시트

E TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 120mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 1562 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
R6024KNZ4C13

R6024KNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Rohm Semiconductor

570 -
RFQ
R6024KNZ4C13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
SIHB125N60EF-GE3

SIHB125N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

Vishay Siliconix

2,720 -
RFQ
SIHB125N60EF-GE3

데이터시트

EF TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±30V 1533 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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