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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    FCP400N80Z

    FCP400N80Z

    MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3

    onsemi

    		 840 -
    RFQ
    		FCP400N80Z 데이터시트 SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 4.5V @ 1.1mA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 1000 V - 195W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTMJS0D8N04CLTWG

    NTMJS0D8N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK

    onsemi

    		 2,886 -
    RFQ
    		NTMJS0D8N04CLTWG 데이터시트 - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Ta), 368A (Tc) 4.5V, 10V 0.72mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±20V 9600 pF @ 25 V - 4.2W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
    IPDD60R125CFD7XTMA1

    IPDD60R125CFD7XTMA1

    MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10

    Infineon Technologies

    		 1,688 -
    RFQ
    		IPDD60R125CFD7XTMA1 데이터시트 CoolMOS™ CFD7 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Tc) - 125mOhm @ 6.8A, 10V 4.5V @ 340µA 31 nC @ 10 V ±20V 1329 pF @ 400 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1
    NP179N04TUK-E1-AY

    NP179N04TUK-E1-AY

    AUTOMOTIVE MOS

    Renesas Electronics Corporation

    		 790 -
    RFQ
    		NP179N04TUK-E1-AY 데이터시트 - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Strip Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 13350 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 288W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    IXFA12N65X2

    IXFA12N65X2

    MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

    Littelfuse Inc.

    		 238 -
    RFQ
    		IXFA12N65X2 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 310mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 18.5 nC @ 10 V ±30V 1134 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
    AOW125A60

    AOW125A60

    MOSFET N-CH 600V 28A TO262

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 7,987 -
    RFQ
    		AOW125A60 데이터시트 aMOS5™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 125mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2993 pF @ 100 V - 312.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IPB180N06S4H1ATMA2

    IPB180N06S4H1ATMA2

    MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

    Infineon Technologies

    		 7,667 -
    RFQ
    		IPB180N06S4H1ATMA2 데이터시트 OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 4V @ 200µA 270 nC @ 10 V ±20V 21900 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
    TK170V65Z,LQ

    TK170V65Z,LQ

    MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 4,950 -
    RFQ
    		TK170V65Z,LQ 데이터시트 DTMOSVI 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Ta) 10V 170mOhm @ 9A, 10V 4V @ 730µA 29 nC @ 10 V ±30V 1635 pF @ 300 V - 150W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
    SUM70030M-GE3

    SUM70030M-GE3

    MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7

    Vishay Siliconix

    		 1,070 -
    RFQ
    		SUM70030M-GE3 데이터시트 TrenchFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) - 3.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 214 nC @ 10 V ±20V 10870 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IPP60R160C6XKSA1

    IPP60R160C6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 488 -
    RFQ
    		IPP60R160C6XKSA1 데이터시트 CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 11.3A, 10V 3.5V @ 750µA 75 nC @ 10 V ±20V 1660 pF @ 100 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    NP109N055PUK-E1-AY

    NP109N055PUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 55V 110A TO263

    Renesas Electronics Corporation

    		 1,560 -
    RFQ
    		NP109N055PUK-E1-AY 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±20V 11250 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 250W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
    RX3G18BGNC16

    RX3G18BGNC16

    NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    		 2,896 -
    RFQ
    		RX3G18BGNC16 데이터시트 - TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.64mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 168 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 20 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R6018VNXC7G

    R6018VNXC7G

    600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

    Rohm Semiconductor

    		 1,050 -
    RFQ
    		R6018VNXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V, 15V 204mOhm @ 4A, 15V 6.5V @ 600µA 27 nC @ 10 V ±30V 1250 pF @ 100 V - 61W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6009ENX

    R6009ENX

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    		 188 -
    RFQ
    		R6009ENX 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    RS6G120BGTB1

    RS6G120BGTB1

    NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    		 2,094 -
    RFQ
    		RS6G120BGTB1 데이터시트 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.34mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 67 nC @ 10 V ±20V 4240 pF @ 20 V - 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    IPF009N04NF2SATMA1

    IPF009N04NF2SATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    		 650 -
    RFQ
    		IPF009N04NF2SATMA1 데이터시트 StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 49A (Ta), 302A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 249µA 315 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
    IRFBE30STRLPBF

    IRFBE30STRLPBF

    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 700 -
    RFQ
    		IRFBE30STRLPBF 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIHG180N60E-GE3

    SIHG180N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 329 -
    RFQ
    		SIHG180N60E-GE3 데이터시트 E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 180mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 1085 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IXFP7N80P

    IXFP7N80P

    MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 299 -
    RFQ
    		IXFP7N80P 데이터시트 HiPerFET™, Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 5V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±30V 1890 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STP80N240K6

    STP80N240K6

    N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,

    STMicroelectronics

    		 973 -
    RFQ
    		STP80N240K6 데이터시트 MDmesh™ K6 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 16A (Tc) 10V 220mOhm @ 7A, 10V 4V @ 100µA 25.9 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 100 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
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