FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
PSMN013-100XS,127

PSMN013-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F

NXP USA Inc.

4,030 -
RFQ
PSMN013-100XS,127

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35.2A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 57.5 nC @ 10 V ±20V 3195 pF @ 50 V - 48.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
PSMN016-100XS,127

PSMN016-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 32.1A TO220F

NXP USA Inc.

5,588 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32.1A (Tc) 10V 16mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 46.2 nC @ 10 V ±20V 2404 pF @ 50 V - 46.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
PSMN027-100XS,127

PSMN027-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F

Nexperia USA Inc.

5,850 -
RFQ
PSMN027-100XS,127

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23.4A (Tc) 10V 26.8mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1624 pF @ 50 V - 41.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
PSMN5R0-100XS,127

PSMN5R0-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 67.5A TO220F

NXP USA Inc.

2,489 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 67.5A (Tc) 10V 5mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 153 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 50 V - 63.8W (Tc) - - - Through Hole TO-220F
PSMN5R6-100XS,127

PSMN5R6-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F

NXP USA Inc.

8,896 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 61.8A (Tc) 10V 5.6mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 145 nC @ 10 V ±20V 8061 pF @ 50 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
PSMN7R0-100XS,127

PSMN7R0-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 55A TO220F

NXP USA Inc.

3,012 -
RFQ
PSMN7R0-100XS,127

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 121 nC @ 10 V ±20V 6686 pF @ 50 V - 57.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
BSF030NE2LQXUMA1

BSF030NE2LQXUMA1

MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON

Infineon Technologies

2,372 -
RFQ
BSF030NE2LQXUMA1

데이터시트

OptiMOS™ 3-WDSON Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 24A (Ta), 75A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 12 V - 2.2W (Ta), 28W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Infineon Technologies

8,825 -
RFQ
IPB042N10N3GE8187ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 150µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N03S4LH0ATMA1

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

Infineon Technologies

3,008 -
RFQ
IPB180N03S4LH0ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 0.95mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 200µA 300 nC @ 10 V ±16V 23000 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
IPB45N04S4L08ATMA1

IPB45N04S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2

Infineon Technologies

2,568 -
RFQ
IPB45N04S4L08ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 45A (Tc) 4.5V, 10V 7.6mOhm @ 45A, 10V 2.2V @ 17µA 30 nC @ 10 V +20V, -16V 2340 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IPB65R660CFDATMA1

IPB65R660CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK

Infineon Technologies

9,814 -
RFQ
IPB65R660CFDATMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IPD100N06S403ATMA1

IPD100N06S403ATMA1

MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Infineon Technologies

7,368 -
RFQ
IPD100N06S403ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 90µA 128 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD50N06S4L12ATMA1

IPD50N06S4L12ATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

Infineon Technologies

5,397 -
RFQ
IPD50N06S4L12ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 20µA 40 nC @ 10 V ±16V 2890 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD65R660CFDBTMA1

IPD65R660CFDBTMA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

Infineon Technologies

2,884 -
RFQ
IPD65R660CFDBTMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
BSB012NE2LX

BSB012NE2LX

MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON

Infineon Technologies

4,230 -
RFQ
BSB012NE2LX

데이터시트

OptiMOS™ 3-WDSON Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 37A (Ta), 170A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 4900 pF @ 12 V - 2.8W (Ta), 57W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
BSS84PH6327XTSA1

BSS84PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

Infineon Technologies

2,496 -
RFQ
BSS84PH6327XTSA1

데이터시트

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 8Ohm @ 170mA, 10V 2V @ 20µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 19 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
SN7002NH6327XTSA1

SN7002NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

Infineon Technologies

5,790 -
RFQ
SN7002NH6327XTSA1

데이터시트

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200mA (Ta) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 1.8V @ 26µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 45 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOT23
BUZ30AHXKSA1

BUZ30AHXKSA1

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Infineon Technologies

3,465 -
RFQ
BUZ30AHXKSA1

데이터시트

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 21A (Tc) 10V 130mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1900 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
BUZ31L H

BUZ31L H

MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

Infineon Technologies

5,954 -
RFQ
BUZ31L H

데이터시트

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 13.5A (Tc) 5V 200mOhm @ 7A, 5V 2V @ 1mA - ±20V 1600 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
BUZ32 H

BUZ32 H

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

Infineon Technologies

9,378 -
RFQ
BUZ32 H

데이터시트

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.5A (Tc) 10V 400mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
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