FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
TK40P03M1(T6RDS-Q)

TK40P03M1(T6RDS-Q)

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

7,945 -
RFQ
TK40P03M1(T6RDS-Q)

데이터시트

U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 10.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 100µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount DPAK
TK40S10K3Z(T6L1,NQ

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 100V 40A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

9,847 -
RFQ
TK40S10K3Z(T6L1,NQ

데이터시트

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Ta) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 61 nC @ 10 V ±20V 3110 pF @ 10 V - 93W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK45P03M1,RQ(S

TK45P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 45A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

7,402 -
RFQ
TK45P03M1,RQ(S

데이터시트

U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 45A (Ta) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 22.5A, 10V 2.3V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount DPAK
TK4A53D(STA4,Q,M)

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MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

5,468 -
RFQ
TK4A53D(STA4,Q,M)

데이터시트

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 4A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK4A55D(STA4,Q,M)

TK4A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

3,133 -
RFQ
TK4A55D(STA4,Q,M)

데이터시트

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 4A (Ta) 10V 1.88Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK4A60DB(STA4,Q,M)

TK4A60DB(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

5,265 -
RFQ

-

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.7A (Ta) 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK4A65DA(STA4,Q,M)

TK4A65DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,924 -
RFQ

-

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.5A (Ta) 10V 1.9Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)

TK4P50D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

8,825 -
RFQ
TK4P50D(T6RSS-Q)

데이터시트

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4A (Ta) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 9 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK4P55DA(T6RSS-Q)

TK4P55DA(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

5,355 -
RFQ

-

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 3.5A (Ta) 10V 2.45Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 9 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK4P55D(T6RSS-Q)

TK4P55D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 550V 4A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

6,302 -
RFQ
TK4P55D(T6RSS-Q)

데이터시트

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 4A (Ta) 10V 1.88Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK4P60DA(T6RSS-Q)

TK4P60DA(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

5,443 -
RFQ

-

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.5A (Ta) 10V 2.2Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK4P60DB(T6RSS-Q)

TK4P60DB(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

6,312 -
RFQ

-

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.7A (Ta) 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK50E06K3A,S1X(S

TK50E06K3A,S1X(S

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

5,229 -
RFQ
TK50E06K3A,S1X(S

데이터시트

U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 8.5mOhm @ 25A, 10V - 54 nC @ 10 V - - - - - - - Through Hole TO-220-3
TK50E06K3(S1SS-Q)

TK50E06K3(S1SS-Q)

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

5,209 -
RFQ

-

U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-220-3
TK50E08K3,S1X(S

TK50E08K3,S1X(S

MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

8,361 -
RFQ
TK50E08K3,S1X(S

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 50A (Tc) - 12mOhm @ 25A, 10V - 55 nC @ 10 V - - - - - - - Through Hole TO-220-3
TK50E10K3(S1SS-Q)

TK50E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB

Toshiba Semiconductor and Storage

8,179 -
RFQ

-

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-220-3
TK60E08K3,S1X(S

TK60E08K3,S1X(S

MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

5,814 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 60A - 9mOhm @ 30A, 10V - 75 nC @ 10 V - - - 128W - - - Through Hole TO-220-3
TK60P03M1,RQ(S

TK60P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,530 -
RFQ

-

U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Ta) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 30A, 10V 2.3V @ 500µA 40 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 10 V - 63W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK65S04K3L(T6L1,NQ

TK65S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

9,208 -
RFQ

-

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 6V, 10V 4.5mOhm @ 32.5A, 10V 3V @ 1mA 63 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 10 V - 88W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK80S04K3L(T6L1,NQ

TK80S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

4,452 -
RFQ

-

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Ta) 6V, 10V 3.1mOhm @ 40A, 10V 3V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 10 V - 100W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
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