FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
NP88N075MUE-S18-AY

NP88N075MUE-S18-AY

MOSFET N-CH 75V 88A TO220-3

Renesas Electronics Corporation

8,852 -
RFQ
NP88N075MUE-S18-AY

데이터시트

- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 88A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 12300 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 288W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NP90N04MUG-S18-AY

NP90N04MUG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3

Renesas Electronics Corporation

8,144 -
RFQ
NP90N04MUG-S18-AY

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 3mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 182 nC @ 10 V ±20V 11200 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 217W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NP90N06VLG-E1-AY

NP90N06VLG-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 90A TO252

Renesas Electronics Corporation

4,165 -
RFQ
NP90N06VLG-E1-AY

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 105W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
RJK6024DPD-00#J2

RJK6024DPD-00#J2

MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A

Renesas Electronics Corporation

2,394 -
RFQ
RJK6024DPD-00#J2

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 400mA (Ta) 10V 42Ohm @ 200mA, 10V - 4.3 nC @ 10 V ±30V 37.5 pF @ 25 V - 27.2W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount MP-3A
DMS3016SFG-7

DMS3016SFG-7

MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8

Diodes Incorporated

5,475 -
RFQ
DMS3016SFG-7

데이터시트

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 11.2A, 10V 2.2V @ 250µA 44.6 nC @ 10 V ±12V 1886 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 980mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Vishay Siliconix

2,193 -
RFQ
SIHP30N60E-E3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Vishay Siliconix

8,540 -
RFQ
SIHG30N60E-E3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
TK10S04K3L(T6L1,NQ

TK10S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 10A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,123 -
RFQ
TK10S04K3L(T6L1,NQ

데이터시트

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 6V, 10V 28mOhm @ 5A, 10V 3V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 10 V - 25W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK11A60D(STA4,Q,M)

TK11A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,995 -
RFQ
TK11A60D(STA4,Q,M)

데이터시트

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Ta) 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±30V 1550 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK15A60D(STA4,Q,M)

TK15A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2,606 -
RFQ
TK15A60D(STA4,Q,M)

데이터시트

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 370mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK16A45D(STA4,Q,M)

TK16A45D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 450V 16A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,048 -
RFQ
TK16A45D(STA4,Q,M)

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 16A - 270mOhm @ 8A, 10V - - - - - - - - - Through Hole TO-220SIS
TK16A55D(STA4,Q,M)

TK16A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

4,421 -
RFQ
TK16A55D(STA4,Q,M)

데이터시트

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 16A (Ta) - 330mOhm @ 8A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V - 2600 pF @ 25 V - - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK18E10K3,S1X(S

TK18E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

9,959 -
RFQ
TK18E10K3,S1X(S

데이터시트

U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Ta) - 42mOhm @ 9A, 10V - 33 nC @ 10 V - - - - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TK20P04M1,RQ(S

TK20P04M1,RQ(S

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,536 -
RFQ
TK20P04M1,RQ(S

데이터시트

U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 29mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±20V 985 pF @ 10 V - 27W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK20S04K3L(T6L1,NQ

TK20S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

4,802 -
RFQ
TK20S04K3L(T6L1,NQ

데이터시트

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 6V, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V 820 pF @ 10 V - 38W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK20S06K3L(T6L1,NQ

TK20S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

6,402 -
RFQ
TK20S06K3L(T6L1,NQ

데이터시트

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 6V, 10V 29mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V 780 pF @ 10 V - 38W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK25E06K3,S1X(S

TK25E06K3,S1X(S

MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

7,605 -
RFQ
TK25E06K3,S1X(S

데이터시트

U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 25A (Ta) - 18mOhm @ 12.5A, 10V - 29 nC @ 10 V - - - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TK2P60D(TE16L1,NQ)

TK2P60D(TE16L1,NQ)

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

8,820 -
RFQ
TK2P60D(TE16L1,NQ)

데이터시트

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 4.4V @ 1mA 7 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

3,283 -
RFQ
TK30S06K3L(T6L1,NQ

데이터시트

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 6V, 10V 18Ohm @ 15A, 10V 3V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 10 V - 58W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK+
TK40E10K3,S1X(S

TK40E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

3,959 -
RFQ
TK40E10K3,S1X(S

데이터시트

U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Ta) - 15mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 84 nC @ 10 V - 4000 pF @ 10 V - - - - - Through Hole TO-220-3
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