FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPI65R660CFDXKSA1

IPI65R660CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3

Infineon Technologies

8,317 -
RFQ
IPI65R660CFDXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPP100N04S4H2AKSA1

IPP100N04S4H2AKSA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1

Infineon Technologies

3,903 -
RFQ
IPP100N04S4H2AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 100A, 10V 4V @ 70µA 90 nC @ 10 V ±20V 7180 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP120N04S401AKSA1

IPP120N04S401AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1

Infineon Technologies

8,563 -
RFQ
IPP120N04S401AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 4V @ 140µA 176 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP65R110CFDXKSA1

IPP65R110CFDXKSA1

MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3

Infineon Technologies

5,109 -
RFQ
IPP65R110CFDXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP65R190CFDXKSA1

IPP65R190CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3

Infineon Technologies

5,855 -
RFQ
IPP65R190CFDXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 730µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP65R310CFDXKSA1

IPP65R310CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3

Infineon Technologies

3,948 -
RFQ
IPP65R310CFDXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.4A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 440µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP65R380C6XKSA1

IPP65R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3

Infineon Technologies

8,175 -
RFQ
IPP65R380C6XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP65R660CFDXKSA1

IPP65R660CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3

Infineon Technologies

3,033 -
RFQ
IPP65R660CFDXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPW65R110CFDFKSA1

IPW65R110CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

Infineon Technologies

4,642 -
RFQ
IPW65R110CFDFKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IPW65R190C6FKSA1

IPW65R190C6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3

Infineon Technologies

4,110 -
RFQ
IPW65R190C6FKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 3.5V @ 730µA 73 nC @ 10 V ±20V 1620 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IPW65R190CFDFKSA1

IPW65R190CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3

Infineon Technologies

4,623 -
RFQ
IPW65R190CFDFKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 730µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IPW65R190E6FKSA1

IPW65R190E6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3

Infineon Technologies

8,788 -
RFQ
IPW65R190E6FKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 3.5V @ 730µA 73 nC @ 10 V ±20V 1620 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IPW65R310CFDFKSA1

IPW65R310CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3

Infineon Technologies

4,070 -
RFQ
IPW65R310CFDFKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.4A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 440µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IPW65R420CFDFKSA1

IPW65R420CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3

Infineon Technologies

7,987 -
RFQ
IPW65R420CFDFKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 340µA 32 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
SPP15P10PHXKSA1

SPP15P10PHXKSA1

MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

Infineon Technologies

9,727 -
RFQ
SPP15P10PHXKSA1

데이터시트

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 10V 240mOhm @ 10.6A, 10V 2.1V @ 1.54mA 48 nC @ 10 V ±20V 1280 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
R8002ANX

R8002ANX

MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM

Rohm Semiconductor

6,672 -
RFQ
R8002ANX

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 5V @ 1mA 12.7 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R8008ANX

R8008ANX

MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM

Rohm Semiconductor

2,182 -
RFQ
R8008ANX

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Ta) 10V 1.03Ohm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 39 nC @ 10 V ±30V 1080 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
DMP1096UCB4-7

DMP1096UCB4-7

MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4

Diodes Incorporated

4,894 -
RFQ

-

- 4-UFBGA, WLBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 2.6A (Ta) 1.5V, 4.5V 102mOhm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 3.7 nC @ 4.5 V -5V 251 pF @ 6 V - 820mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-WLB1010-4
AOD472A

AOD472A

MOSFET N-CH 25V 18A/46A TO252

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,924 -
RFQ
AOD472A

데이터시트

SDMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 18A (Ta), 46A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 12.5 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
VS-FB190SA10

VS-FB190SA10

MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,941 -
RFQ
VS-FB190SA10

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190A (Tj) 10V 6.5mOhm @ 180A, 10V 4.35V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 10700 pF @ 25 V - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
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