FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFZ44NSPBF

IRFZ44NSPBF

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

Infineon Technologies

4,117 -
RFQ
IRFZ44NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR3708PBF

IRFR3708PBF

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

Infineon Technologies

2,118 -
RFQ
IRFR3708PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 61A (Tc) 2.8V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2417 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFZ44NLPBF

IRFZ44NLPBF

MOSFET N-CH 55V 49A TO262

Infineon Technologies

4,238 -
RFQ
IRFZ44NLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFZ48NLPBF

IRFZ48NLPBF

MOSFET N-CH 55V 64A TO262

Infineon Technologies

4,839 -
RFQ
IRFZ48NLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 14mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 1970 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF3710LPBF

IRF3710LPBF

MOSFET N-CH 100V 57A TO262

Infineon Technologies

9,479 -
RFQ
IRF3710LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFU3303PBF

IRFU3303PBF

MOSFET N-CH 30V 33A IPAK

Infineon Technologies

6,880 -
RFQ
IRFU3303PBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 33A (Tc) 10V 31mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFI1010NPBF

IRFI1010NPBF

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP

Infineon Technologies

3,961 -
RFQ
IRFI1010NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 12mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRF1010EZSPBF

IRF1010EZSPBF

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Infineon Technologies

5,167 -
RFQ
IRF1010EZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 4V @ 100µA 86 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3103PBF

IRL3103PBF

MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB

Infineon Technologies

3,954 -
RFQ
IRL3103PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 64A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±16V 1650 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFZ48NSPBF

IRFZ48NSPBF

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

Infineon Technologies

2,267 -
RFQ
IRFZ48NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 14mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 1970 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFIB41N15DPBF

IRFIB41N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP

Infineon Technologies

5,473 -
RFQ
IRFIB41N15DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 41A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2520 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRFR12N25DPBF

IRFR12N25DPBF

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

Infineon Technologies

2,565 -
RFQ
IRFR12N25DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 260mOhm @ 8.4A, 10V 5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 810 pF @ 25 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRLIZ44NPBF

IRLIZ44NPBF

MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB FP

Infineon Technologies

2,407 -
RFQ
IRLIZ44NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 4V, 10V 22mOhm @ 17A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRFIZ48VPBF

IRFIZ48VPBF

MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP

Infineon Technologies

2,341 -
RFQ
IRFIZ48VPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 39A (Tc) 10V 12mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1985 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRLI540NPBF

IRLI540NPBF

MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP

Infineon Technologies

2,484 -
RFQ
IRLI540NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 4V, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 2V @ 250µA 74 nC @ 5 V ±16V 1800 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRFP048NPBF

IRFP048NPBF

MOSFET N-CH 55V 64A TO247AC

Infineon Technologies

3,397 -
RFQ
IRFP048NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-247-3 Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 16mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFZ46ZPBF

IRFZ46ZPBF

MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB

Infineon Technologies

7,534 -
RFQ
IRFZ46ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.6mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1460 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFP044NPBF

IRFP044NPBF

MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC

Infineon Technologies

9,480 -
RFQ
IRFP044NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 53A (Tc) 10V 20mOhm @ 29A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRL3502PBF

IRL3502PBF

MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB

Infineon Technologies

6,796 -
RFQ
IRL3502PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 7V 7mOhm @ 64A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 110 nC @ 4.5 V ±10V 4700 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRLI520NPBF

IRLI520NPBF

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP

Infineon Technologies

3,543 -
RFQ
IRLI520NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.1A (Tc) 4V, 10V 180mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 440 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
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