FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFU024NPBF

IRFU024NPBF

MOSFET N-CH 55V 17A IPAK

Infineon Technologies

7,768 -
RFQ
IRFU024NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRLR120NPBF

IRLR120NPBF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Infineon Technologies

8,740 -
RFQ
IRLR120NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Tc) 4V, 10V 185mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 440 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF3710SPBF

IRF3710SPBF

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Infineon Technologies

2,397 -
RFQ
IRF3710SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR18N15DPBF

IRFR18N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Infineon Technologies

7,765 -
RFQ
IRFR18N15DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRL1104PBF

IRL1104PBF

MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB

Infineon Technologies

5,634 -
RFQ
IRL1104PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 104A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 1V @ 250µA 68 nC @ 4.5 V ±16V 3445 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF8010SPBF

IRF8010SPBF

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Infineon Technologies

2,874 -
RFQ
IRF8010SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 15mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3830 pF @ 25 V - 260W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR3910PBF

IRFR3910PBF

MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

Infineon Technologies

3,468 -
RFQ
IRFR3910PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Tc) 10V 115mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF1010NSPBF

IRF1010NSPBF

MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

Infineon Technologies

6,722 -
RFQ
IRF1010NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 85A (Tc) 10V 11mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3210 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF6215PBF

IRF6215PBF

MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB

Infineon Technologies

5,203 -
RFQ
IRF6215PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFR3706PBF

IRFR3706PBF

MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

Infineon Technologies

3,852 -
RFQ
IRFR3706PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 75A (Tc) 2.8V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFZ34EPBF

IRFZ34EPBF

MOSFET N-CH 60V 28A TO220AB

Infineon Technologies

9,649 -
RFQ
IRFZ34EPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 28A (Tc) 10V 42mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3711PBF

IRF3711PBF

MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB

Infineon Technologies

2,692 -
RFQ
IRF3711PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFU5505PBF

IRFU5505PBF

MOSFET P-CH 55V 18A IPAK

Infineon Technologies

6,511 -
RFQ
IRFU5505PBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFB33N15DPBF

IRFB33N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB

Infineon Technologies

6,479 -
RFQ
IRFB33N15DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 56mOhm @ 20A, 10V 5.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 2020 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3315PBF

IRF3315PBF

MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB

Infineon Technologies

2,862 -
RFQ
IRF3315PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 23A (Tc) 10V 70mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL2703PBF

IRL2703PBF

MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB

Infineon Technologies

8,875 -
RFQ
IRL2703PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFIZ48NPBF

IRFIZ48NPBF

MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP

Infineon Technologies

9,788 -
RFQ
IRFIZ48NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 40A (Tc) 10V 16mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRL3803LPBF

IRL3803LPBF

MOSFET N-CH 30V 140A TO262

Infineon Technologies

4,317 -
RFQ
IRL3803LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF3706PBF

IRF3706PBF

MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

Infineon Technologies

6,221 -
RFQ
IRF3706PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 2.8V, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3707PBF

IRF3707PBF

MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB

Infineon Technologies

8,156 -
RFQ
IRF3707PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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