FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
ZVN4210ASTOA

ZVN4210ASTOA

MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE

Diodes Incorporated

8,091 -
RFQ
ZVN4210ASTOA

데이터시트

- E-Line-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 450mA (Ta) 5V, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 2.4V @ 1mA - ±20V 100 pF @ 25 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
IRFB4215

IRFB4215

MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB

Infineon Technologies

9,737 -
RFQ
IRFB4215

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 115A (Tc) 10V 9mOhm @ 54A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 25 V - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

Infineon Technologies

6,412 -
RFQ
IRFR5305PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 65mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRL3803SPBF

IRL3803SPBF

MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

Infineon Technologies

8,848 -
RFQ
IRL3803SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR220NPBF

IRFR220NPBF

MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

Infineon Technologies

7,005 -
RFQ
IRFR220NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF540NSPBF

IRF540NSPBF

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

Infineon Technologies

6,481 -
RFQ
IRF540NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Tc) 10V 44mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 1960 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR024NPBF

IRFR024NPBF

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Infineon Technologies

9,391 -
RFQ
IRFR024NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR5505PBF

IRFR5505PBF

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

Infineon Technologies

9,513 -
RFQ
IRFR5505PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR120NPBF

IRFR120NPBF

MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

Infineon Technologies

9,392 -
RFQ
IRFR120NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.4A (Tc) 10V 210mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR9024NPBF

IRFR9024NPBF

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

Infineon Technologies

8,422 -
RFQ
IRFR9024NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 11A (Tc) 10V 175mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF640NSPBF

IRF640NSPBF

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Infineon Technologies

3,936 -
RFQ
IRF640NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1160 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR9120NPBF

IRFR9120NPBF

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Infineon Technologies

8,413 -
RFQ
IRFR9120NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.6A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF3415SPBF

IRF3415SPBF

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

Infineon Technologies

4,257 -
RFQ
IRF3415SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3205SPBF

IRF3205SPBF

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

Infineon Technologies

2,048 -
RFQ
IRF3205SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR3303PBF

IRFR3303PBF

MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

Infineon Technologies

3,470 -
RFQ
IRFR3303PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 33A (Tc) 10V 31mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRLL014NPBF

IRLL014NPBF

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

Infineon Technologies

9,206 -
RFQ
IRLL014NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2A (Ta) 4V, 10V 140mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±16V 230 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRF3711SPBF

IRF3711SPBF

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Infineon Technologies

9,619 -
RFQ
IRF3711SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLL3303PBF

IRLL3303PBF

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

Infineon Technologies

2,477 -
RFQ
IRLL3303PBF

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Ta) 4.5V, 10V 31mOhm @ 4.6A, 10V 1V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±16V 840 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRLL2705PBF

IRLL2705PBF

MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Infineon Technologies

5,529 -
RFQ
IRLL2705PBF

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.8A (Ta) 4V, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±16V 870 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRLR3410PBF

IRLR3410PBF

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

Infineon Technologies

2,215 -
RFQ
IRLR3410PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
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