FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF840PBF

IRF840PBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Infineon Technologies

8,489 -
RFQ

-

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB4710PBF

IRFB4710PBF

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

Infineon Technologies

9,800 -
RFQ
IRFB4710PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 14mOhm @ 45A, 10V 5.5V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 6160 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFP460PBF

IRFP460PBF

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

Infineon Technologies

5,534 -
RFQ

-

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 270mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFR6215PBF

IRFR6215PBF

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

Infineon Technologies

4,272 -
RFQ
IRFR6215PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFB11N50APBF

IRFB11N50APBF

MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

Infineon Technologies

2,758 -
RFQ

-

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFR3707PBF

IRFR3707PBF

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

Infineon Technologies

6,974 -
RFQ
IRFR3707PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 61A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF1404SPBF

IRF1404SPBF

MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

Infineon Technologies

8,596 -
RFQ
IRF1404SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 162A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3205LPBF

IRF3205LPBF

MOSFET N-CH 55V 110A TO262

Infineon Technologies

4,059 -
RFQ
IRF3205LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF3704PBF

IRF3704PBF

MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

Infineon Technologies

8,508 -
RFQ
IRF3704PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF530NSPBF

IRF530NSPBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Infineon Technologies

4,363 -
RFQ
IRF530NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 90mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 920 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF630NSPBF

IRF630NSPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Infineon Technologies

2,292 -
RFQ
IRF630NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.3A (Tc) 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 575 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFB31N20DPBF

IRFB31N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB

Infineon Technologies

4,373 -
RFQ
IRFB31N20DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB41N15DPBF

IRFB41N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB

Infineon Technologies

4,988 -
RFQ
IRFB41N15DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 41A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2520 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFR2407PBF

IRFR2407PBF

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

Infineon Technologies

9,822 -
RFQ
IRFR2407PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 26mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFZ48VPBF

IRFZ48VPBF

MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB

Infineon Technologies

8,145 -
RFQ
IRFZ48VPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 72A (Tc) 10V 12mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1985 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL2203NPBF

IRL2203NPBF

MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB

Infineon Technologies

9,260 -
RFQ
IRL2203NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 116A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 1V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±16V 3290 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL3303PBF

IRL3303PBF

MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB

Infineon Technologies

3,865 -
RFQ
IRL3303PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 38A (Tc) 4.5V, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±16V 870 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL530NPBF

IRL530NPBF

MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

Infineon Technologies

5,546 -
RFQ
IRL530NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFP4710PBF

IRFP4710PBF

MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC

Infineon Technologies

6,134 -
RFQ
IRFP4710PBF

데이터시트

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 72A (Tc) 10V 14mOhm @ 45A, 10V 5.5V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 6160 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFB59N10DPBF

IRFB59N10DPBF

MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB

Infineon Technologies

4,034 -
RFQ
IRFB59N10DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 25mOhm @ 35.4A, 10V 5.5V @ 250µA 114 nC @ 10 V ±30V 2450 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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