FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
C2M0080170P

C2M0080170P

SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4

Wolfspeed, Inc.

3,763 -
RFQ

-

C2M™ TO-247-4 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 40A (Tc) 20V 125mOhm @ 28A, 20V 4V @ 10mA 120 nC @ 20 V +25V, -10V 2250 pF @ 1000 V - 277W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
APT58M50J

APT58M50J

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Microchip Technology

9,375 -
RFQ
APT58M50J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 58A (Tc) 10V 65mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340 nC @ 10 V ±30V 13500 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT20M22JVR

APT20M22JVR

MOSFET N-CH 200V 97A ISOTOP

Microchip Technology

9,590 -
RFQ
APT20M22JVR

데이터시트

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 97A (Tc) - 22mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 435 nC @ 10 V - 10200 pF @ 25 V - - - - - Chassis Mount ISOTOP®
APT10035LFLLG

APT10035LFLLG

MOSFET N-CH 1000V 28A TO264

Microchip Technology

9,822 -
RFQ
APT10035LFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 28A (Tc) - 370mOhm @ 14A, 10V 5V @ 2.5mA 186 nC @ 10 V - 5185 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Microchip Technology

2,342 -
RFQ
APT10M11JVRU2

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 142A (Tc) 10V 11mOhm @ 71A, 10V 4V @ 2.5mA 300 nC @ 10 V ±30V 8600 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Microchip Technology

4,243 -
RFQ
APT10M11JVRU3

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 142A (Tc) 10V 11mOhm @ 71A, 10V 4V @ 2.5mA 300 nC @ 10 V ±30V 8600 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Microchip Technology

4,190 -
RFQ
APT10035B2FLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 28A (Tc) 10V 370mOhm @ 14A, 10V 5V @ 2.5mA 186 nC @ 10 V ±30V 5185 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT20M22JVRU2

APT20M22JVRU2

MOSFET N-CH 200V 97A SOT227

Microchip Technology

6,223 -
RFQ
APT20M22JVRU2

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 97A (Tc) 10V 22mOhm @ 48.5A, 10V 4V @ 2.5mA 290 nC @ 10 V ±30V 8500 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
APT20M22JVRU3

APT20M22JVRU3

MOSFET N-CH 200V 97A SOT227

Microchip Technology

8,545 -
RFQ
APT20M22JVRU3

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 97A (Tc) 10V 22mOhm @ 48.5A, 10V 4V @ 2.5mA 290 nC @ 10 V ±30V 8500 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
HCT7000MTX

HCT7000MTX

MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD

TT Electronics/Optek Technology

6,057 -
RFQ
HCT7000MTX

데이터시트

- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200mA (Ta) 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 3V @ 1mA - ±40V 60 pF @ 25 V - 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-SMD
APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Microsemi Corporation

2,652 -
RFQ

-

- SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 18A (Tc) 10V 672mOhm @ 14A, 10V 5V @ 2.5mA 300 nC @ 10 V ±30V 7736 pF @ 25 V - 390W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
APTM120SK56T1G

APTM120SK56T1G

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Microsemi Corporation

9,088 -
RFQ
APTM120SK56T1G

데이터시트

- SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 18A (Tc) 10V 672mOhm @ 14A, 10V 5V @ 2.5mA 300 nC @ 10 V ±30V 7736 pF @ 25 V - 390W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
IXFE36N100

IXFE36N100

MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B

IXYS

3,486 -
RFQ
IXFE36N100

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 33A (Tc) 10V 240mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 8mA 455 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 25 V - 580W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
MMIX1F360N15T2

MMIX1F360N15T2

MOSFET N-CH 150V 235A 24SMPD

IXYS

4,165 -
RFQ
MMIX1F360N15T2

데이터시트

GigaMOS™, TrenchT2™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 235A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 715 nC @ 10 V ±20V 47500 pF @ 25 V - 680W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
APT32M80J

APT32M80J

MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP

Microchip Technology

8,366 -
RFQ
APT32M80J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 33A (Tc) 10V 190mOhm @ 24A, 10V 5V @ 2.5mA 303 nC @ 10 V ±30V 9326 pF @ 25 V - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT47M60J

APT47M60J

MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP

Microchip Technology

5 -
RFQ
APT47M60J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 49A (Tc) 10V 90mOhm @ 33A, 10V 5V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V ±30V 13190 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT58F50J

APT58F50J

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Microchip Technology

3,336 -
RFQ
APT58F50J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 58A (Tc) 10V 65mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340 nC @ 10 V ±30V 13500 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT20M18LVFRG

APT20M18LVFRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264

Microchip Technology

5,584 -
RFQ
APT20M18LVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) - 18mOhm @ 50A, 10V 4V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V - 9880 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT8020B2FLLG

APT8020B2FLLG

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

Microchip Technology

7,910 -
RFQ
APT8020B2FLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 38A (Tc) - 220mOhm @ 19A, 10V 5V @ 2.5mA 195 nC @ 10 V - 5200 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT50M75JLLU3

APT50M75JLLU3

MOSFET N-CH 500V 51A SOT227

Microchip Technology

4,801 -
RFQ
APT50M75JLLU3

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 51A (Tc) 10V 75mOhm @ 25.5A, 10V 5V @ 1mA 123 nC @ 10 V ±30V 5590 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
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