FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APT20M20LFLLG

APT20M20LFLLG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264

Microchip Technology

7,054 -
RFQ
APT20M20LFLLG

데이터시트

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) - 20mOhm @ 50A, 10V 5V @ 2.5mA 110 nC @ 10 V - 6850 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
IXFE39N90

IXFE39N90

MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B

IXYS

4,160 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 34A (Tc) 10V 220mOhm @ 19.5A, 10V 5V @ 8mA 375 nC @ 10 V ±20V 13400 pF @ 25 V - 580W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT58M50JCU2

APT58M50JCU2

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Microchip Technology

5,636 -
RFQ
APT58M50JCU2

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 58A (Tc) 10V 65mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340 nC @ 10 V ±30V 10800 pF @ 25 V - 543W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
GA20SICP12-247

GA20SICP12-247

TRANS SJT 1200V 45A TO247AB

GeneSiC Semiconductor

5,702 -
RFQ
GA20SICP12-247

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 45A (Tc) - 50mOhm @ 20A - - - 3091 pF @ 800 V - 282W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
IXTK20N150

IXTK20N150

MOSFET N-CH 1500V 20A TO264

Littelfuse Inc.

9,601 -
RFQ
IXTK20N150

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 20A (Tc) 10V 1Ohm @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 215 nC @ 10 V ±30V 7800 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
APT1201R5BVRG

APT1201R5BVRG

MOSFET N-CH 1200V 10A TO247

Microchip Technology

4,901 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 10A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 28 nC @ 10 V - 4440 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247-3
APT30M40JVR

APT30M40JVR

MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP

Microchip Technology

9,701 -
RFQ
APT30M40JVR

데이터시트

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 70A (Tc) 10V 40mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 425 nC @ 10 V ±30V 10200 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT5010JVRU3

APT5010JVRU3

MOSFET N-CH 500V 44A SOT227

Microchip Technology

7,804 -
RFQ
APT5010JVRU3

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 44A (Tc) 10V 100mOhm @ 22A, 10V 4V @ 2.5mA 312 nC @ 10 V ±30V 7410 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
APT29F80J

APT29F80J

MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP

Microchip Technology

7,916 -
RFQ
APT29F80J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 31A (Tc) 10V 210mOhm @ 24A, 10V 5V @ 2.5mA 303 nC @ 10 V ±30V 9326 pF @ 25 V - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
MKE38P600LB-TUB

MKE38P600LB-TUB

MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

IXYS

6,170 -
RFQ
MKE38P600LB-TUB

데이터시트

- 9-SMD Module Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
APT22F100J

APT22F100J

MOSFET N-CH 1000V 23A ISOTOP

Microchip Technology

5,101 -
RFQ
APT22F100J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 23A (Tc) 10V 380mOhm @ 18A, 10V - 305 nC @ 10 V ±30V 9835 pF @ 25 V - 545W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT5010JLL

APT5010JLL

MOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP

Microchip Technology

4,998 -
RFQ
APT5010JLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 41A (Tc) - 100mOhm @ 20.5A, 10V 5V @ 2.5mA 95 nC @ 10 V - 4360 pF @ 25 V - - - - - Chassis Mount ISOTOP®
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Microchip Technology

7,687 -
RFQ
APT12057B2LLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 22A (Tc) 10V 570mOhm @ 11A, 10V 5V @ 2.5mA 290 nC @ 10 V ±30V 6200 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT50M50L2LLG

APT50M50L2LLG

MOSFET N-CH 500V 89A 264 MAX

Microchip Technology

5,440 -
RFQ
APT50M50L2LLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 89A (Tc) - 50mOhm @ 44.5A, 10V 5V @ 5mA 200 nC @ 10 V - 10550 pF @ 25 V - - - - - Through Hole 264 MAX™ [L2]
IXFN36N110P

IXFN36N110P

MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

IXYS

2,141 -
RFQ

-

HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1100 V 36A (Tc) 10V 240mOhm @ 500mA, 10V 6.5V @ 1mA 350 nC @ 10 V ±30V 23000 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
STE70NM60

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

STMicroelectronics

8,387 -
RFQ
STE70NM60

데이터시트

MDmesh™ ISOTOP Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 10V 55mOhm @ 30A, 10V 5V @ 250µA 266 nC @ 10 V ±30V 7300 pF @ 25 V - 600W (Tc) 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
IXFN44N80

IXFN44N80

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

IXYS

9,510 -
RFQ
IXFN44N80

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 165mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 380 nC @ 10 V ±20V 10000 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Microchip Technology

4,389 -
RFQ
APT26M100JCU2

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 26A (Tc) 10V 396mOhm @ 18A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 7868 pF @ 25 V - 543W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
APT6013JLL

APT6013JLL

MOSFET N-CH 600V 39A ISOTOP

Microchip Technology

7,416 -
RFQ
APT6013JLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 39A (Tc) 10V 130mOhm @ 19.5A, 10V 5V @ 2.5mA 130 nC @ 10 V ±30V 5630 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
IXFN39N90

IXFN39N90

MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

IXYS

5,916 -
RFQ
IXFN39N90

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 39A (Tc) 10V 220mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 390 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
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