FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STE180NE10

STE180NE10

MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP

STMicroelectronics

6,273 -
RFQ
STE180NE10

데이터시트

STripFET™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 6Ohm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 795 nC @ 10 V ±20V 21000 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT6010LFLLG

APT6010LFLLG

MOSFET N-CH 600V 54A TO264

Microchip Technology

6,965 -
RFQ
APT6010LFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 54A (Tc) - 100mOhm @ 27A, 10V 5V @ 2.5mA 150 nC @ 10 V - 6710 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
IXFN52N90P

IXFN52N90P

MOSFET N-CH 900V 43A SOT227

Littelfuse Inc.

6,007 -
RFQ

-

HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 43A (Tc) 10V 160mOhm @ 26A, 10V 6.5V @ 1mA 308 nC @ 10 V ±30V 19000 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT55M65JFLL

APT55M65JFLL

MOSFET N-CH 550V 63A ISOTOP

Microsemi Corporation

7,138 -
RFQ
APT55M65JFLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 63A (Tc) 10V 65mOhm @ 31.5A, 10V 5V @ 5mA 205 nC @ 10 V ±30V 9165 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT12060LVFRG

APT12060LVFRG

MOSFET N-CH 1200V 20A TO264

Microchip Technology

7,668 -
RFQ
APT12060LVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 20A (Tc) - 600mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 650 nC @ 10 V - 9500 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT12067LFLLG

APT12067LFLLG

MOSFET N-CH 1200V 18A TO264

Microchip Technology

6,930 -
RFQ
APT12067LFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 18A (Tc) - 670mOhm @ 9A, 10V 5V @ 2.5mA 150 nC @ 10 V - 4420 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT25M100J

APT25M100J

MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP

Microchip Technology

9,647 -
RFQ
APT25M100J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 25A (Tc) 10V 330mOhm @ 18A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 9835 pF @ 25 V - 545W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Microsemi Corporation

9,444 -
RFQ
APTM100DA33T1G

데이터시트

- SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 23A (Tc) 10V 396mOhm @ 18A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 7868 pF @ 25 V - 390W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

IXYS

8,280 -
RFQ
IXFN38N100Q2

데이터시트

HiPerFET™, Q2 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 38A (Tc) 10V 250mOhm @ 19A, 10V 5V @ 8mA 250 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN20N120P

IXFN20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Littelfuse Inc.

3,068 -
RFQ
IXFN20N120P

데이터시트

HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 20A (Tc) 10V 570mOhm @ 10A, 10V 6.5V @ 1mA 193 nC @ 10 V ±30V 11100 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APTC60DAM35T1G

APTC60DAM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

Microsemi Corporation

4,500 -
RFQ
APTC60DAM35T1G

데이터시트

- SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 72A (Tc) 10V 35mOhm @ 72A, 10V 3.9V @ 5.4mA 518 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 25 V - 416W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
APTC60SKM35T1G

APTC60SKM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

Microsemi Corporation

3,297 -
RFQ
APTC60SKM35T1G

데이터시트

- SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 72A (Tc) 10V 35mOhm @ 72A, 10V 3.9V @ 5.4mA 518 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 25 V - 416W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
APT8020B2LLG

APT8020B2LLG

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

Microchip Technology

8,984 -
RFQ
APT8020B2LLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 38A (Tc) 10V 200mOhm @ 19A, 10V 5V @ 2.5mA 195 nC @ 10 V ±30V 5200 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B

Littelfuse Inc.

9,033 -
RFQ
IXFN320N17T2

데이터시트

HiPerFET™, TrenchT2™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 260A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 640 nC @ 10 V ±20V 45000 pF @ 25 V - 1070W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
SCTH70N120G2V-7

SCTH70N120G2V-7

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

STMicroelectronics

8,210 -
RFQ
SCTH70N120G2V-7

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 90A (Tc) 18V 30mOhm @ 50A, 18V 4.9V @ 1mA 150 nC @ 18 V +22V, -10V 3540 pF @ 800 V - 469W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-7
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

1 -
RFQ
SCTL90N65G2V

데이터시트

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 40A (Tc) 18V 24mOhm @ 40A, 18V 5V @ 1mA 157 nC @ 18 V +22V, -10V 3380 pF @ 400 V - 935W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
MMIX1F210N30P3

MMIX1F210N30P3

MOSFET N-CH 300V 108A 24SMPD

IXYS

3,953 -
RFQ
MMIX1F210N30P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 108A (Tc) - 16mOhm @ 105A, 10V 5V @ 8mA - - 16200 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount 24-SMPD
APT22F120B2

APT22F120B2

MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Microchip Technology

9,136 -
RFQ
APT22F120B2

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 23A (Tc) 10V 700mOhm @ 12A, 10V 5V @ 2.5mA 260 nC @ 10 V ±30V 8370 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT50M75JLL

APT50M75JLL

MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP

Microchip Technology

7,823 -
RFQ
APT50M75JLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 51A (Tc) - 75mOhm @ 25.5A, 10V 5V @ 2.5mA 125 nC @ 10 V - 5590 pF @ 25 V - - - - - Chassis Mount ISOTOP®
APT47F60J

APT47F60J

MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP

Microchip Technology

9,704 -
RFQ
APT47F60J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 49A (Tc) 10V 90mOhm @ 33A, 10V 5V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V ±30V 13190 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
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