FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXTH06N220P3HV

IXTH06N220P3HV

MOSFET N-CH 2200V 600MA TO247HV

IXYS

3,879 -
RFQ
IXTH06N220P3HV

데이터시트

Polar P3™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2200 V 600mA (Tc) 10V 80Ohm @ 300mA, 10V 4V @ 250µA 10.4 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
IPW65R041CFDFKSA1

IPW65R041CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3

Infineon Technologies

9,056 -
RFQ
IPW65R041CFDFKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 68.5A (Tc) 10V 41mOhm @ 33.1A, 10V 4.5V @ 3.3mA 300 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IXFK120N25

IXFK120N25

MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA

IXYS

7,643 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 120A (Tc) 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 400 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFK150N15

IXFK150N15

MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA

IXYS

9,048 -
RFQ
IXFK150N15

데이터시트

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 150A (Tc) 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
G3R75MT12J

G3R75MT12J

SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

2 -
RFQ
G3R75MT12J

데이터시트

G3R™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 42A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 2.69V @ 7.5mA 54 nC @ 15 V ±15V 1560 pF @ 800 V - 224W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
APT17F100S

APT17F100S

MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

Microchip Technology

4,310 -
RFQ
APT17F100S

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 17A (Tc) 10V 780mOhm @ 9A, 10V 5V @ 1mA 150 nC @ 10 V ±30V 4845 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
IXFT13N100

IXFT13N100

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268

IXYS

8,408 -
RFQ
IXFT13N100

데이터시트

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12.5A (Tc) 10V 900mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 300W (Tc) - - - Surface Mount TO-268AA
APT43F60B2

APT43F60B2

MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Microchip Technology

3,111 -
RFQ
APT43F60B2

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 45A (Tc) 10V 150mOhm @ 21A, 10V 5V @ 2.5mA 215 nC @ 10 V ±30V 8590 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXTK160N20

IXTK160N20

MOSFET N-CH 200V 160A TO264

IXYS

4,331 -
RFQ

-

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 160A (Tc) 10V 13mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 415 nC @ 10 V ±20V 12900 pF @ 25 V - 730W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
IXFT15N100Q3-TRL

IXFT15N100Q3-TRL

MOSFET N-CH 1000V 15A TO268

Littelfuse Inc.

2,321 -
RFQ

-

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 15A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 7.5A, 10V 6.5V @ 4mA 64 nC @ 10 V ±30V 3250 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
APT5016BLLG

APT5016BLLG

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

Microchip Technology

4,615 -
RFQ
APT5016BLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 160mOhm @ 15A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±30V 2833 pF @ 25 V - 329W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXTK33N50

IXTK33N50

MOSFET N-CH 500V 33A TO264

IXYS

6,110 -
RFQ
IXTK33N50

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 33A (Tc) 10V 170mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 4900 pF @ 25 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
APT42F50S

APT42F50S

MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Microchip Technology

6,706 -
RFQ
APT42F50S

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 42A (Tc) 10V 130mOhm @ 21A, 10V 5V @ 1mA 170 nC @ 10 V ±30V 6810 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
IRFL4310TR

IRFL4310TR

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223

Infineon Technologies

5,199 -
RFQ
IRFL4310TR

데이터시트

- TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.6A (Ta) - 200mOhm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V - 330 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount SOT-223
GA10JT12-263

GA10JT12-263

TRANS SJT 1200V 25A

GeneSiC Semiconductor

3,878 -
RFQ
GA10JT12-263

데이터시트

- - Tube Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 25A (Tc) - 120mOhm @ 10A - - - 1403 pF @ 800 V - 170W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount -
GA10JT12-247

GA10JT12-247

TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

GeneSiC Semiconductor

9,793 -
RFQ
GA10JT12-247

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 10A (Tc) - 140mOhm @ 10A - - - - - 170W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
IXFH67N10

IXFH67N10

MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD

IXYS

3,334 -
RFQ
IXFH67N10

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 67A (Tc) 10V 25mOhm @ 33.5A, 10V 4V @ 4mA 260 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFX25N90

IXFX25N90

MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247-3

IXYS

9,292 -
RFQ
IXFX25N90

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 25A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±20V 10800 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT5018SLLG

APT5018SLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK

Microchip Technology

2,456 -
RFQ
APT5018SLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 27A (Tc) - 180mOhm @ 13.5A, 10V 5V @ 1mA 58 nC @ 10 V - 2596 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
APT56M50B2

APT56M50B2

MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX

Microchip Technology

6,407 -
RFQ
APT56M50B2

데이터시트

- TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 56A (Tc) 10V 100mOhm @ 28A, 10V 5V @ 2.5mA 220 nC @ 10 V ±30V 8800 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™
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