FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APT24M80S

APT24M80S

MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Microchip Technology

4,827 -
RFQ
APT24M80S

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 25A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V 5V @ 1mA 150 nC @ 10 V ±30V 4595 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
GS-065-030-6-LT-MR

GS-065-030-6-LT-MR

GS-065-030-6-LT-MR

Infineon Technologies Canada Inc.

5,384 -
RFQ

-

- - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
IGT60R042D1ATMA1

IGT60R042D1ATMA1

GAN HV

Infineon Technologies

2,436 -
RFQ

-

CoolGaN™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy - GaNFET (Gallium Nitride) 600 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
APT1204R7SFLLG

APT1204R7SFLLG

MOSFET N-CH 1200V 3.5A D3PAK

Microchip Technology

2,029 -
RFQ
APT1204R7SFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 3.5A (Tc) - 4.7Ohm @ 1.75A, 10V 5V @ 1mA 31 nC @ 10 V - 715 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
IXTK110N30

IXTK110N30

MOSFET N-CH 300V 110A TO264

IXYS

8,839 -
RFQ

-

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 110A (Tc) 10V 26mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±20V 7800 pF @ 25 V - 730W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
APT20M45SVRG

APT20M45SVRG

MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK

Microchip Technology

4,106 -
RFQ
APT20M45SVRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 56A (Tc) - 45mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 195 nC @ 10 V - 4860 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
APT20M38SVRG/TR

APT20M38SVRG/TR

MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Microchip Technology

8,015 -
RFQ
APT20M38SVRG/TR

데이터시트

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 67A (Tc) 10V 38mOhm @ 33.5A, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 6120 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
IXFR102N30P

IXFR102N30P

MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

9,756 -
RFQ
IXFR102N30P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 60A (Tc) 10V 36mOhm @ 51A, 10V 5V @ 4mA 224 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFR180N06

IXFR180N06

MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247

IXYS

6,737 -
RFQ
IXFR180N06

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 10V 5mOhm @ 90A, 10V 4V @ 8mA 420 nC @ 10 V ±20V 7650 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFK20N120

IXFK20N120

MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA

IXYS

2,416 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 20A (Tc) 10V 750mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 160 nC @ 10 V ±30V 7400 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IGOT60R042D1AUMA2

IGOT60R042D1AUMA2

GANFET N-CH

Infineon Technologies

5,871 -
RFQ

-

- 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-DSO-20-87
IGO60R042D1AUMA2

IGO60R042D1AUMA2

GAN HV

Infineon Technologies

4,107 -
RFQ

-

CoolGaN™ 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy - GaNFET (Gallium Nitride) 600 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-DSO-20-85
IRFP26N60L

IRFP26N60L

MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3

Vishay Siliconix

8,924 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 250mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±30V 5020 pF @ 25 V - 470W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IXFK90N30

IXFK90N30

MOSFET N-CH 300V 90A TO-264

IXYS

6,297 -
RFQ
IXFK90N30

데이터시트

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 90A (Tc) 10V 33mOhm @ 45A, 10V 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V ±20V 10000 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
GAN039-650NTBZ

GAN039-650NTBZ

650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Nexperia USA Inc.

2,713 -
RFQ

-

- 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 58.5A (Tc) 10V 39mOhm @ 32A, 10V 4.6V @ 1mA 26 nC @ 10 V ±20V 1980 pF @ 400 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount CCPAK1212i
IXFK32N60

IXFK32N60

MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA

IXYS

8,677 -
RFQ
IXFK32N60

데이터시트

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 32A (Tc) 10V 250mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 325 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IRFP32N50K

IRFP32N50K

MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3

Vishay Siliconix

9,245 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 32A (Tc) 10V 160mOhm @ 32A, 10V 5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±30V 5280 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IXFR12N100

IXFR12N100

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

IXYS

2,195 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10A (Tc) - 1.1Ohm @ 6A, 10V 5.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V - 2900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFT15N100Q

IXFT15N100Q

MOSFET N-CH 1000V 15A TO268

IXYS

5,239 -
RFQ
IXFT15N100Q

데이터시트

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 15A (Tc) 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 170 nC @ 5 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
APT1003RSFLLG

APT1003RSFLLG

MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK

Microchip Technology

9,612 -
RFQ

-

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4A (Tc) - 3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 1mA 34 nC @ 10 V - 694 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
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