FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFR80N60P3

IXFR80N60P3

MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

4,550 -
RFQ
IXFR80N60P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 48A (Tc) 10V 76mOhm @ 40A, 10V 5V @ 8mA 190 nC @ 10 V ±30V 13100 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
APT5015BVRG

APT5015BVRG

MOSFET N-CH 500V 32A TO247

Microchip Technology

9,624 -
RFQ
APT5015BVRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 32A (Tc) - 150mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 300 nC @ 10 V - 5280 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
APT43F60L

APT43F60L

MOSFET N-CH 600V 45A TO264

Microchip Technology

8,470 -
RFQ
APT43F60L

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 45A (Tc) 10V 150mOhm @ 21A, 10V 5V @ 2.5mA 215 nC @ 10 V ±30V 8590 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXFX24N100

IXFX24N100

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247

IXYS

3,481 -
RFQ
IXFX24N100

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 24A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V 5.5V @ 8mA 267 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
MKH24I650HR

MKH24I650HR

DISCMSFT NCHSUPRJUNCCFD-CLS ISO2

IXYS

5,994 -
RFQ
MKH24I650HR

데이터시트

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
APT31M100B2

APT31M100B2

MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Microchip Technology

9,528 -
RFQ
APT31M100B2

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 380mOhm @ 16A, 10V 5V @ 2.5mA 260 nC @ 10 V ±30V 8500 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT8065BVRG

APT8065BVRG

MOSFET N-CH 800V 13A TO247

Microchip Technology

3,660 -
RFQ
APT8065BVRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) - 650mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V - 3700 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
APT1003RSFLLG/TR

APT1003RSFLLG/TR

MOSFET N-CH 1KV 4A D3PAK

Microchip Technology

3,714 -
RFQ
APT1003RSFLLG/TR

데이터시트

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4A (Tc) 10V 3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 1mA 34 nC @ 10 V ±30V 694 pF @ 25 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
APT5017BVFRG

APT5017BVFRG

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

Microchip Technology

5,592 -
RFQ
APT5017BVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) - 170mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 300 nC @ 10 V - 5280 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXFH240N15X3

IXFH240N15X3

MOSFET N-CH 150V 240A TO247

Littelfuse Inc.

6,820 -
RFQ
IXFH240N15X3

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 240A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 120A, 10V 4.5V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 9580 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
APT56F50L

APT56F50L

MOSFET N-CH 500V 56A TO264

Microchip Technology

7,324 -
RFQ
APT56F50L

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 56A (Tc) 10V 100mOhm @ 28A, 10V 5V @ 2.5mA 220 nC @ 10 V ±30V 8800 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
UF4SC120023B7S

UF4SC120023B7S

1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

6,159 -
RFQ
UF4SC120023B7S

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active N-Channel, Depletion Mode SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 72A (Tc) 12V 30mOhm @ 40A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1430 pF @ 800 V - 385W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7L
IXFK26N90

IXFK26N90

MOSFET N-CH 900V 26A TO-264

IXYS

6,822 -
RFQ
IXFK26N90

데이터시트

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 26A (Tc) 10V 300mOhm @ 13A, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±20V 10800 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFK110N65X3

IXFK110N65X3

DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 TO2

Littelfuse Inc.

5,635 -
RFQ

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFX110N65X3

IXFX110N65X3

DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 PLU

Littelfuse Inc.

5,710 -
RFQ

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
GS66508T-MR

GS66508T-MR

GS66508T-MR

Infineon Technologies Canada Inc.

9,644 -
RFQ

-

- Die Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 6V 63mOhm @ 9A, 6V 2.6V @ 7mA 5.8 nC @ 6 V +7V, -10V 260 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
GS66508B-TR

GS66508B-TR

GS66508B-TR

Infineon Technologies Canada Inc.

5,090 -
RFQ

-

- Die Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 6V 63mOhm @ 9A, 6V 2.6V @ 7mA 6.1 nC @ 6 V +7V, -10V 242 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
GS66508T-TR

GS66508T-TR

GS66508T-TR

Infineon Technologies Canada Inc.

2,521 -
RFQ

-

- Die Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 6V 63mOhm @ 9A, 6V 2.6V @ 7mA 5.8 nC @ 6 V +7V, -10V 260 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
APT20M22B2VRG

APT20M22B2VRG

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

Microsemi Corporation

3,333 -
RFQ
APT20M22B2VRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 435 nC @ 10 V ±30V 10200 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXFR24N100

IXFR24N100

MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247

IXYS

7,102 -
RFQ
IXFR24N100

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 22A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V 5.5V @ 8mA 267 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 25 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
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