FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APT1201R4BLLG

APT1201R4BLLG

MOSFET N-CH 1200V 9A TO247

Microchip Technology

7,515 -
RFQ

-

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 9A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 4.5A, 10V 5V @ 1mA 120 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFE48N50Q

IXFE48N50Q

MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

IXYS

6,266 -
RFQ

-

HiPerFET™, Q Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 41A (Tc) 10V 110mOhm @ 24A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 25 V - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT20M45SVFRG

APT20M45SVFRG

MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK

Microchip Technology

6,787 -
RFQ
APT20M45SVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 56A (Tc) - 45mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 195 nC @ 10 V - 4860 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
APT6029BFLLG

APT6029BFLLG

MOSFET N-CH 600V 21A TO247

Microchip Technology

5,138 -
RFQ
APT6029BFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) - 290mOhm @ 10.5A, 10V 5V @ 1mA 65 nC @ 10 V - 2615 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXFT44N50Q3

IXFT44N50Q3

MOSFET N-CH 500V 44A TO268

Littelfuse Inc.

3,328 -
RFQ
IXFT44N50Q3

데이터시트

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 44A (Tc) 10V 140mOhm @ 22A, 10V 6.5V @ 4mA 93 nC @ 10 V ±30V 4800 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 18A TO268

Littelfuse Inc.

7,226 -
RFQ
IXFT18N100Q3

데이터시트

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 660mOhm @ 9A, 10V 6.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±30V 4890 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFR34N80

IXFR34N80

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

IXYS

8,146 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 28A (Tc) 10V 240mOhm @ 17A, 10V 4V @ 8mA 270 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXTR140P10T

IXTR140P10T

MOSFET P-CH 100V 110A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

9,053 -
RFQ
IXTR140P10T

데이터시트

TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 13mOhm @ 70A, 10V 4V @ 250µA 400 nC @ 10 V ±15V 31400 pF @ 25 V - 270W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
SCT4013DTW

SCT4013DTW

SIC FET TOP SIDE COOLING

Rohm Semiconductor

2,829 -
RFQ

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
LSIC1MO120T0080-TU

LSIC1MO120T0080-TU

1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7

IXYS

8,986 -
RFQ

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 39A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-263-7
APT5017SVRG

APT5017SVRG

MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Microchip Technology

2,444 -
RFQ
APT5017SVRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) - 170mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 300 nC @ 10 V - 5280 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
IXFT16N120P-TRL

IXFT16N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

Littelfuse Inc.

7,260 -
RFQ

-

HiPerFET™, Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 16A (Tc) 10V 950mOhm @ 8A, 10V 6.5V @ 1mA 120 nC @ 10 V ±30V 6900 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Microchip Technology

1 -
RFQ
APT47N60BC3G

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 70mOhm @ 30A, 10V 3.9V @ 2.7mA 260 nC @ 10 V ±20V 7015 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXTD5N100A

IXTD5N100A

MOSFET N-CH 1000V 5A DIE

IXYS

2,971 -
RFQ

-

- Die Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 5A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount Die
APT70SM70B

APT70SM70B

SICFET N-CH 700V 65A TO247

Microsemi Corporation

7,076 -
RFQ

-

- TO-247-3 Bulk Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 65A (Tc) 20V 70mOhm @ 32.5A, 20V 2.5V @ 1mA 125 nC @ 20 V +25V, -10V - - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
APT8065BVFRG

APT8065BVFRG

MOSFET N-CH 800V 13A TO247

Microchip Technology

8,465 -
RFQ
APT8065BVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) - 650mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V - 3700 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXTH30N25L2

IXTH30N25L2

MOSFET N-CH 250V 30A TO247

Littelfuse Inc.

3,100 -
RFQ
IXTH30N25L2

데이터시트

Linear L2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 355W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
APT24M120B2

APT24M120B2

MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Microchip Technology

2 -
RFQ
APT24M120B2

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 24A (Tc) 10V 630mOhm @ 12A, 10V 5V @ 2.5mA 260 nC @ 10 V ±30V 8370 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT29F100L

APT29F100L

MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Microchip Technology

4,104 -
RFQ
APT29F100L

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) 10V 460mOhm @ 16A, 10V 5V @ 2.5mA 260 nC @ 10 V ±30V 8500 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
IXTT10N100D

IXTT10N100D

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

Littelfuse Inc.

9,220 -
RFQ
IXTT10N100D

데이터시트

Depletion TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
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