FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFH36N55Q2

IXFH36N55Q2

MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD

IXYS

6,570 -
RFQ

-

HiPerFET™, Q2 Class TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 36A (Tc) 10V 180mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 110 nC @ 10 V ±30V 4100 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXKC23N60C5

IXKC23N60C5

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

IXYS

2,918 -
RFQ
IXKC23N60C5

데이터시트

CoolMOS™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 100mOhm @ 18A, 10V 3.9V @ 1.2mA 80 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
APT5018BLLG

APT5018BLLG

MOSFET N-CH 500V 27A TO247

Microchip Technology

8,883 -
RFQ
APT5018BLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 27A (Tc) 10V 180mOhm @ 13.5A, 10V 5V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±30V 2596 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXFX73N30Q

IXFX73N30Q

MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247-3

IXYS

9,659 -
RFQ

-

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 73A (Tc) 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 195 nC @ 10 V ±30V 5400 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
STW55NM60ND

STW55NM60ND

MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3

STMicroelectronics

3,647 -
RFQ
STW55NM60ND

데이터시트

FDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 51A (Tc) 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V 5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±25V 5800 pF @ 50 V - 350W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
BTS121AE3045ANTMA1

BTS121AE3045ANTMA1

MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB

Infineon Technologies

3,257 -
RFQ
BTS121AE3045ANTMA1

데이터시트

TEMPFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) 4.5V 100mOhm @ 9.5A, 4.5V 2.5V @ 1mA - ±10V 1500 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO220-3-5
IXFK32N90P

IXFK32N90P

MOSFET N-CH 900V 32A TO264AA

Littelfuse Inc.

3,347 -
RFQ
IXFK32N90P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 32A (Tc) 10V 300mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 1mA 215 nC @ 10 V ±30V 10600 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IPQC65R017CFD7XTMA1

IPQC65R017CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

4,962 -
RFQ
IPQC65R017CFD7XTMA1

데이터시트

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 136A (Tc) 10V 17mOhm @ 61.6A, 10V 4.5V @ 3.08mA 236 nC @ 10 V ±20V 12338 pF @ 400 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22
APT6038BLLG

APT6038BLLG

MOSFET N-CH 600V 17A TO247

Microchip Technology

4,771 -
RFQ
APT6038BLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) - 380mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V - 1850 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXFH170N15X3

IXFH170N15X3

MOSFET N-CH 150V 170A TO247

Littelfuse Inc.

6,968 -
RFQ
IXFH170N15X3

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 170A (Tc) 10V 6.7mOhm @ 85A, 10V 4.5V @ 4mA 122 nC @ 10 V ±20V 7620 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
APT5024SLLG/TR

APT5024SLLG/TR

MOSFET N-CH 500V 22A D3PAK

Microchip Technology

2,528 -
RFQ
APT5024SLLG/TR

데이터시트

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) 10V 240mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±30V 1900 pF @ 25 V - 265W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
IXFX120N20

IXFX120N20

MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247

IXYS

5,739 -
RFQ
IXFX120N20

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 17mOhm @ 60A, 10V 4V @ 8mA 300 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFH14N100Q2

IXFH14N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD

IXYS

3,109 -
RFQ
IXFH14N100Q2

데이터시트

HiPerFET™, Q2 Class TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 14A (Tc) 10V 950mOhm @ 7A, 10V 5.5V @ 4mA 83 nC @ 10 V ±30V 2800 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFX100N25

IXFX100N25

MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247-3

IXYS

4,330 -
RFQ
IXFX100N25

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 100A (Tc) 10V 27mOhm @ 50A, 10V 4V @ 8mA 300 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFX150N15

IXFX150N15

MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247

IXYS

2,321 -
RFQ
IXFX150N15

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 150A (Tc) 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFX180N085

IXFX180N085

MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247-3

IXYS

4,618 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 85 V 180A (Tc) 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 320 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFR32N80P

IXFR32N80P

MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

6,126 -
RFQ
IXFR32N80P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 290mOhm @ 16A, 10V 5V @ 8mA 150 nC @ 10 V ±30V 8800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
UJ4C075023L8SSR

UJ4C075023L8SSR

750V/23MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

6,778 -
RFQ
UJ4C075023L8SSR

데이터시트

- 8-PowerSFN Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 64A (Tj) 12V 29mOhm @ 40A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
APT5018BFLLG

APT5018BFLLG

MOSFET N-CH 500V 27A TO247

Microchip Technology

5,510 -
RFQ
APT5018BFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 27A (Tc) - 180mOhm @ 13.5A, 10V 5V @ 1mA 58 nC @ 10 V - 2596 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
AIMZHN120R030M1TXKSA1

AIMZHN120R030M1TXKSA1

SIC_DISCRETE

Infineon Technologies

5,219 -
RFQ
AIMZHN120R030M1TXKSA1

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 69A (Tc) 18V, 20V 38mOhm @ 27A, 20V 5.1V @ 8.6mA 57 nC @ 20 V +23V, -5V 1738 pF @ 800 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4-14
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