FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFPS3810

IRFPS3810

MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Infineon Technologies

8,797 -
RFQ
IRFPS3810

데이터시트

HEXFET® TO-274AA Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 170A (Tc) 10V 9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±30V 6790 pF @ 25 V - 580W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
APT10M25BVRG

APT10M25BVRG

MOSFET N-CH 100V 75A TO247

Microchip Technology

3,500 -
RFQ
APT10M25BVRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) - 25mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V - 5160 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXFT24N90P-TRL

IXFT24N90P-TRL

MOSFET N-CH 900V 24A TO268

Littelfuse Inc.

5,107 -
RFQ

-

HiPerFET™, Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 24A (Tc) 10V 420mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
IXTH12N120

IXTH12N120

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

IXYS

5,035 -
RFQ

-

- TO-247-3 Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±30V 3400 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
AUIRFS8407-7P

AUIRFS8407-7P

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

Infineon Technologies

4 -
RFQ
AUIRFS8407-7P

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7437 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
APT1003RSLLG

APT1003RSLLG

MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK

Microchip Technology

7,858 -
RFQ
APT1003RSLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4A (Tc) - 3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 1mA 34 nC @ 10 V - 694 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
IXFK98N60X3

IXFK98N60X3

DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO26

Littelfuse Inc.

6,183 -
RFQ

-

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFT400N075T2

IXFT400N075T2

MOSFET N-CH 75V 400A TO268

Littelfuse Inc.

5,342 -
RFQ
IXFT400N075T2

데이터시트

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 400A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 420 nC @ 10 V ±20V 24000 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXTK90N15

IXTK90N15

MOSFET N-CH 150V 90A TO264

IXYS

6,160 -
RFQ

-

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 90A (Tc) 10V 16mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6400 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
APT17F100B

APT17F100B

MOSFET N-CH 1000V 17A TO247

Microchip Technology

1 -
RFQ
APT17F100B

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 17A (Tc) 10V 800mOhm @ 9A, 10V 5V @ 1mA 150 nC @ 10 V ±30V 4845 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXTT30N50P

IXTT30N50P

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

Littelfuse Inc.

4,775 -
RFQ
IXTT30N50P

데이터시트

Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 200mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 4150 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
APT30M70SVRG

APT30M70SVRG

MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK

Microsemi Corporation

3,395 -
RFQ

-

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 48A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 5870 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
IXFT12N100

IXFT12N100

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

IXYS

8,652 -
RFQ
IXFT12N100

데이터시트

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFX44N50Q

IXFX44N50Q

MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3

IXYS

7,073 -
RFQ
IXFX44N50Q

데이터시트

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 44A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT20M38BVFRG

APT20M38BVFRG

MOSFET N-CH 200V 67A TO247

Microsemi Corporation

7,410 -
RFQ
APT20M38BVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 67A (Tc) 10V 38mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 6120 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXFH12N120

IXFH12N120

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD

IXYS

5,833 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 95 nC @ 10 V ±30V 3400 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFK90N65X3

IXFK90N65X3

MOSFET 90A 650V X3 TO264K

Littelfuse Inc.

4,936 -
RFQ

-

HiPerFET™, Ultra X3 - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFPC60LC

IRFPC60LC

MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

Vishay Siliconix

5,183 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 400mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
STW60NM50N

STW60NM50N

MOSFET N-CH 500V 68A TO247

STMicroelectronics

9,105 -
RFQ
STW60NM50N

데이터시트

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 68A (Tc) 10V 43mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 178 nC @ 10 V ±25V 5790 pF @ 100 V - 446W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
TP90H050WS

TP90H050WS

GANFET N-CH 900V 34A TO247-3

Transphorm

3,977 -
RFQ
TP90H050WS

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 900 V 34A (Tc) 10V 63mOhm @ 22A, 10V 4.4V @ 700µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 980 pF @ 600 V - 119W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-247-3
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