FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFT80N15Q

IXFT80N15Q

MOSFET N-CH 150V 80A TO268

IXYS

6,764 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 80A (Tc) 10V 22.5mOhm @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT40N85XHV

IXFT40N85XHV

MOSFET N-CH 850V 40A TO268

Littelfuse Inc.

4,088 -
RFQ
IXFT40N85XHV

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 40A (Tc) 10V 145mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 98 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 25 V - 860W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
STW55NM60N

STW55NM60N

MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3

STMicroelectronics

6,148 -
RFQ
STW55NM60N

데이터시트

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 51A (Tc) 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V 4V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±25V 5800 pF @ 50 V - 350W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFA3N120-TRL

IXFA3N120-TRL

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

Littelfuse Inc.

8,478 -
RFQ
IXFA3N120-TRL

데이터시트

HiPerFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 3A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 1.5mA 39 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
IXTK62N25

IXTK62N25

MOSFET N-CH 250V 62A TO264

IXYS

5,945 -
RFQ

-

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 62A (Tc) 10V 35mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
R6025JNZC8

R6025JNZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Rohm Semiconductor

13 -
RFQ

-

- TO-3P-3 Full Pack Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 15V 182mOhm @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57 nC @ 15 V ±30V 1900 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
R6046ANZC8

R6046ANZC8

MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF

Rohm Semiconductor

2,293 -
RFQ
R6046ANZC8

데이터시트

- TO-3P-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 46A (Tc) 10V 81mOhm @ 23A, 10V 4.5V @ 1mA 150 nC @ 10 V ±30V 6000 pF @ 25 V - 130W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
IXTT12N140

IXTT12N140

MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

IXYS

7,631 -
RFQ
IXTT12N140

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1400 V 12A (Tc) 10V 2Ohm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 106 nC @ 10 V ±20V 3720 pF @ 25 V - 890W (Tc) - - - Surface Mount TO-268AA
UJ3C120070K4S

UJ3C120070K4S

1200V/70MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

Qorvo

5,277 -
RFQ
UJ3C120070K4S

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34.5A (Tc) 12V 90mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 46 nC @ 15 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 254.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
APT5024SLLG

APT5024SLLG

MOSFET N-CH 500V 22A D3PAK

Microchip Technology

9,492 -
RFQ
APT5024SLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) - 240mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V - 1900 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
IXFT50N60X

IXFT50N60X

MOSFET N-CH 600V 50A TO268

IXYS

5,629 -
RFQ
IXFT50N60X

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 10V 73mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 4mA 116 nC @ 10 V ±30V 4660 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
IXFK120N25P

IXFK120N25P

MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA

Littelfuse Inc.

5,667 -
RFQ
IXFK120N25P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 120A (Tc) 10V 24mOhm @ 60A, 10V 5V @ 4mA 185 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFH60N60X

IXFH60N60X

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

IXYS

9,452 -
RFQ
IXFH60N60X

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 55mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 8mA 143 nC @ 10 V ±30V 5800 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFH16N60P3

IXFH16N60P3

MOSFET N-CH 600V 16A TO247

Littelfuse Inc.

4,260 -
RFQ
IXFH16N60P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 470mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 1.5mA 36 nC @ 10 V ±30V 1830 pF @ 25 V - 347W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFQ60N60X

IXFQ60N60X

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

IXYS

6,941 -
RFQ
IXFQ60N60X

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 55mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 8mA 143 nC @ 10 V ±30V 5800 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXTR16P60P

IXTR16P60P

MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

3,928 -
RFQ
IXTR16P60P

데이터시트

PolarP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 790mOhm @ 8A, 10V 4.5V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 5120 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXTR20P50P

IXTR20P50P

MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

4,819 -
RFQ
IXTR20P50P

데이터시트

PolarP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 10V 490mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 250µA 103 nC @ 10 V ±20V 5120 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFH6N100

IXFH6N100

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD

IXYS

2,308 -
RFQ
IXFH6N100

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 6A (Tc) 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 2.5mA 130 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
STWA40N95K5

STWA40N95K5

MOSFET N-CH 950V 38A TO247-3

STMicroelectronics

3,085 -
RFQ
STWA40N95K5

데이터시트

MDmesh™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 38A (Tc) 10V 130mOhm @ 19A, 10V 5V @ 100µA 93 nC @ 10 V ±30V 3300 pF @ 100 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
GS66506T-TR

GS66506T-TR

GS66506T-TR

Infineon Technologies Canada Inc.

6,500 -
RFQ

-

- 4-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 22.5A (Tc) 6V 90mOhm @ 6.7A, 6V 1.3V @ 5mA 4.4 nC @ 6 V +7V, -10V 195 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
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