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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IXFH90N65X3

    IXFH90N65X3

    MOSFET 90A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXFH90N65X3

    데이터시트

         		HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 90A (Tc) 10V 33mOhm @ 45A, 10V 5.2V @ 4mA 95 nC @ 10 V ±20V 6080 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFH18N100Q3

    IXFH18N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 691 -
    RFQ
    		IXFH18N100Q3

    데이터시트

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 660mOhm @ 9A, 10V 6.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±30V 4890 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    NVH4L040N120SC1

    NVH4L040N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

    onsemi

    		 221 -
    RFQ
    		NVH4L040N120SC1

    데이터시트

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 58A (Tc) 20V 56mOhm @ 35A, 20V 4.3V @ 10mA 106 nC @ 20 V +25V, -15V 1762 pF @ 800 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFK150N30X3

    IXFK150N30X3

    MOSFET N-CH 300V 150A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 575 -
    RFQ
    		IXFK150N30X3

    데이터시트

         		HiPerFET™, Ultra X3 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 150A (Tc) 10V 8.3mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 4mA 177 nC @ 10 V ±20V 13100 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
    GAN063-650WSAQ

    GAN063-650WSAQ

    GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

    Nexperia USA Inc.

    		 547 -
    RFQ
    		GAN063-650WSAQ

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 650 V 34.5A (Tc) 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFX320N17T2

    IXFX320N17T2

    MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 152 -
    RFQ
    		IXFX320N17T2

    데이터시트

         		HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 320A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 640 nC @ 10 V ±20V 45000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK44N80P

    IXFK44N80P

    MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 516 -
    RFQ
    		IXFK44N80P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 198 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXTX90P20P

    IXTX90P20P

    MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 496 -
    RFQ
    		IXTX90P20P

    데이터시트

         		PolarP™ TO-247-3 Variant Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 44mOhm @ 22A, 10V 4V @ 1mA 205 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFN102N30P

    IXFN102N30P

    MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 285 -
    RFQ
    		IXFN102N30P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 88A (Tc) 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 224 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    APT60N60BCSG

    APT60N60BCSG

    MOSFET N-CH 600V 60A TO247

    Microchip Technology

    		 132 -
    RFQ
    		APT60N60BCSG

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.9V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
    IXTH7P50

    IXTH7P50

    MOSFET P-CH 500V 7A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 204 -
    RFQ
    		IXTH7P50

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    C3M0045065D

    C3M0045065D

    GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET

    Wolfspeed, Inc.

    		 454 -
    RFQ
    		C3M0045065D

    데이터시트

         		C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 49A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.6V @ 4.84mA 63 nC @ 15 V +19V, -8V 1621 pF @ 600 V - 176W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    C3M0075120K-A

    C3M0075120K-A

    75M 1200V 175C SIC FET

    Wolfspeed, Inc.

    		 299 -
    RFQ
    		C3M0075120K-A

    데이터시트

         		C3M™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.6V @ 5mA 53 nC @ 15 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SCT3080KLHRC11

    SCT3080KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 816 -
    RFQ
    		SCT3080KLHRC11

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V - 165W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    SCT4036KEHRC11

    SCT4036KEHRC11

    1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 368 -
    RFQ
    		SCT4036KEHRC11

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 43A (Tc) 18V 47mOhm @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    NTBG025N065SC1

    NTBG025N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

    onsemi

    		 2,245 -
    RFQ
    		NTBG025N065SC1

    데이터시트

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 106A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 325 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    IXFX140N30P

    IXFX140N30P

    MOSFET N-CH 300V 140A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 330 -
    RFQ
    		IXFX140N30P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 140A (Tc) 10V 24mOhm @ 70A, 10V 5V @ 8mA 185 nC @ 10 V ±20V 14800 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFR44N80P

    IXFR44N80P

    MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 240 -
    RFQ
    		IXFR44N80P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 25A (Tc) 10V 200mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IPZ65R019C7XKSA1

    IPZ65R019C7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

    Infineon Technologies

    		 1,153 -
    RFQ
    		IPZ65R019C7XKSA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ C7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 19mOhm @ 58.3A, 10V 4V @ 2.92mA 215 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    IXFN44N80P

    IXFN44N80P

    MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B

    Littelfuse Inc.

    		 244 -
    RFQ
    		IXFN44N80P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 39A (Tc) 10V 190mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
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