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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    NTH4L045N065SC1

    NTH4L045N065SC1

    SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

    onsemi

    		 181 -
    RFQ
    		NTH4L045N065SC1 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 55A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1870 pF @ 325 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    STW72N60DM2AG

    STW72N60DM2AG

    MOSFET N-CH 600V 66A TO247

    STMicroelectronics

    		 528 -
    RFQ
    		STW72N60DM2AG 데이터시트 MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 66A (Tc) 10V 42mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 121 nC @ 10 V ±25V 5508 pF @ 100 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFT340N075T2

    IXFT340N075T2

    MOSFET N-CH 75V 340A TO268

    Littelfuse Inc.

    		 459 -
    RFQ
    		IXFT340N075T2 데이터시트 HiPerFET™, TrenchT2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 340A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 3mA 300 nC @ 10 V ±20V 19000 pF @ 25 V - 935W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFH120N20P

    IXFH120N20P

    MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 302 -
    RFQ
    		IXFH120N20P 데이터시트 HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 152 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 714W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    LSIC1MO120E0160

    LSIC1MO120E0160

    SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3

    Littelfuse Inc.

    		 2,289 -
    RFQ
    		LSIC1MO120E0160 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 20V 200mOhm @ 10A, 20V 4V @ 5mA 57 nC @ 20 V +22V, -6V 870 pF @ 800 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NTHL050N65S3HF

    NTHL050N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3

    onsemi

    		 389 -
    RFQ
    		NTHL050N65S3HF 데이터시트 FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 50mOhm @ 29A, 10V 5V @ 1.7mA 125 nC @ 10 V ±30V 5017 pF @ 400 V - 378W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SCT3160KLHRC11

    SCT3160KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 592 -
    RFQ
    		SCT3160KLHRC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 18V 208mOhm @ 5A, 18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V, -4V 398 pF @ 800 V - 103W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXFK44N50P

    IXFK44N50P

    MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 260 -
    RFQ
    		IXFK44N50P 데이터시트 HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 44A (Tc) 10V 140mOhm @ 22A, 10V 5V @ 4mA 98 nC @ 10 V ±30V 5440 pF @ 25 V - 658W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXTP94N20X4

    IXTP94N20X4

    MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO220

    Littelfuse Inc.

    		 163 -
    RFQ
    		IXTP94N20X4 데이터시트 Ultra X4 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 94A (Tc) 10V 10.6mOhm @ 47A, 10V 4.5V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 5050 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SCTW40N120G2V

    SCTW40N120G2V

    SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

    STMicroelectronics

    		 555 -
    RFQ
    		SCTW40N120G2V 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 36A (Tc) 18V 100mOhm @ 20A, 18V 4.9V @ 1mA 61 nC @ 18 V +22V, -10V 1233 pF @ 800 V - 278W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
    GP2T080A120U

    GP2T080A120U

    SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

    SemiQ

    		 1,149 -
    RFQ
    		GP2T080A120U 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 35A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 58 nC @ 20 V +25V, -10V 1377 pF @ 1000 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTHL065N65S3F

    NTHL065N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

    onsemi

    		 6,586 -
    RFQ
    		NTHL065N65S3F 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 4.6mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SCT2450KEHRC11

    SCT2450KEHRC11

    1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    		 427 -
    RFQ
    		SCT2450KEHRC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 10A (Tc) 18V 585mOhm @ 3A, 18V 4V @ 900µA 27 nC @ 18 V +22V, -6V 463 pF @ 800 V - 85W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    STH12N120K5-2

    STH12N120K5-2

    MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

    STMicroelectronics

    		 2,999 -
    RFQ
    		STH12N120K5-2 데이터시트 MDmesh™ K5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) 10V 690mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 44.2 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
    IXFH180N20X3

    IXFH180N20X3

    MOSFET N-CH 200V 180A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 542 -
    RFQ
    		IXFH180N20X3 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 180A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 90A, 10V 4.5V @ 4mA 154 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    NTBL045N065SC1

    NTBL045N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

    onsemi

    		 1,688 -
    RFQ
    		NTBL045N065SC1 데이터시트 - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 73A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22.6V, -8V 1870 pF @ 325 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    IXTK150N15P

    IXTK150N15P

    MOSFET N-CH 150V 150A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 305 -
    RFQ
    		IXTK150N15P 데이터시트 Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 150A (Tc) 10V 13mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 5800 pF @ 25 V - 714W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
    IPW65R029CFD7XKSA1

    IPW65R029CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3

    Infineon Technologies

    		 154 -
    RFQ
    		IPW65R029CFD7XKSA1 데이터시트 CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 69A (Tc) - 29mOhm @ 35.8A, 10V 4.5V @ 1.79mA 145 nC @ 10 V ±20V 7149 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    IXFH50N85X

    IXFH50N85X

    MOSFET N-CH 850V 50A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 1,058 -
    RFQ
    		IXFH50N85X 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 50A (Tc) 10V 105mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 152 nC @ 10 V ±30V 4480 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IPW65R041CFDFKSA2

    IPW65R041CFDFKSA2

    MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3

    Infineon Technologies

    		 611 -
    RFQ
    		IPW65R041CFDFKSA2 데이터시트 CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 68.5A (Tc) 10V 41mOhm @ 33.1A, 10V 4.5V @ 3.3mA 300 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
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