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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    SCT3060ALGC11

    SCT3060ALGC11

    SICFET N-CH 650V 39A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 462 -
    RFQ
    		SCT3060ALGC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 39A (Tc) 18V 78mOhm @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58 nC @ 18 V +22V, -4V 852 pF @ 500 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    IXFX520N075T2

    IXFX520N075T2

    MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 310 -
    RFQ
    		IXFX520N075T2 데이터시트 HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 520A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 545 nC @ 10 V ±20V 41000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK520N075T2

    IXFK520N075T2

    MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 315 -
    RFQ
    		IXFK520N075T2 데이터시트 HiPerFET™, TrenchT2™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 520A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 545 nC @ 10 V ±20V 41000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    NVHL040N65S3F

    NVHL040N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

    onsemi

    		 573 -
    RFQ
    		NVHL040N65S3F 데이터시트 SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 153 nC @ 10 V ±30V 5875 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    FCH041N65F-F085

    FCH041N65F-F085

    MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

    onsemi

    		 306 -
    RFQ
    		FCH041N65F-F085 데이터시트 SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V 5V @ 250µA 304 nC @ 10 V ±20V 13566 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFK360N10T

    IXFK360N10T

    MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 242 -
    RFQ
    		IXFK360N10T 데이터시트 HiPerFET™, Trench TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 360A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 3mA 525 nC @ 10 V ±20V 33000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    SCTH35N65G2V-7

    SCTH35N65G2V-7

    SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

    STMicroelectronics

    		 1,694 -
    RFQ
    		SCTH35N65G2V-7 데이터시트 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +22V, -10V 1370 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-7
    SCT4045DRC15

    SCT4045DRC15

    750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 3,459 -
    RFQ
    		SCT4045DRC15 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    MSC035SMA070B4

    MSC035SMA070B4

    TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4

    Microchip Technology

    		 136 -
    RFQ
    		MSC035SMA070B4 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 77A (Tc) 20V 44mOhm @ 30A, 20V 2.7V @ 2mA (Typ) 99 nC @ 20 V +23V, -10V 2010 pF @ 700 V - 283W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXTK120N65X2

    IXTK120N65X2

    MOSFET N-CH 650V 120A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 221 -
    RFQ
    		IXTK120N65X2 데이터시트 Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 120A (Tc) 10V 24mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 13600 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
    R6047ENZ4C13

    R6047ENZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247

    Rohm Semiconductor

    		 594 -
    RFQ
    		R6047ENZ4C13 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 72mOhm @ 25.8A, 10V 4V @ 1mA 145 nC @ 10 V ±20V 3850 pF @ 25 V - 481W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    SCT4062KEC11

    SCT4062KEC11

    1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 4,717 -
    RFQ
    		SCT4062KEC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    NVBG080N120SC1

    NVBG080N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

    onsemi

    		 580 -
    RFQ
    		NVBG080N120SC1 데이터시트 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 30A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V, -15V 1154 pF @ 800 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    IXFH32N100X

    IXFH32N100X

    MOSFET N-CH 1000V 32A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 274 -
    RFQ
    		IXFH32N100X 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 220mOhm @ 16A, 10V 6V @ 4mA 130 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    SCT4036KW7TL

    SCT4036KW7TL

    1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 413 -
    RFQ
    		SCT4036KW7TL 데이터시트 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40A (Tj) 18V 47mOhm @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - 150W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
    IXFX64N60P

    IXFX64N60P

    MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 787 -
    RFQ
    		IXFX64N60P 데이터시트 HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 64A (Tc) 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXTP64N10L2

    IXTP64N10L2

    MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 678 -
    RFQ
    		IXTP64N10L2 데이터시트 Linear L2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 64A (Tc) 10V 32mOhm @ 32A, 10V 4.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3620 pF @ 25 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXTH68P20T

    IXTH68P20T

    MOSFET P-CH 200V 68A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 291 -
    RFQ
    		IXTH68P20T 데이터시트 TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 68A (Tc) 10V 55mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±15V 33400 pF @ 25 V - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    UJ3C065030B3

    UJ3C065030B3

    MOSFET N-CH 650V 65A TO263

    Qorvo

    		 4,289 -
    RFQ
    		UJ3C065030B3 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel - 650 V 65A (Tc) 12V 35mOhm @ 50A, 12V 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXTH220N20X4

    IXTH220N20X4

    MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247

    Littelfuse Inc.

    		 245 -
    RFQ
    		IXTH220N20X4 데이터시트 Ultra X4 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 220A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 110A, 10V 4.5V @ 250µA 157 nC @ 10 V ±20V 12300 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISO TO-247-3
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