FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFH20N100P

IXFH20N100P

MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD

Littelfuse Inc.

277 -
RFQ
IXFH20N100P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 20A (Tc) 10V 570mOhm @ 10A, 10V 6.5V @ 1mA 126 nC @ 10 V ±30V 7300 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IPTG111N20NM3FDATMA1

IPTG111N20NM3FDATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

Infineon Technologies

1,726 -
RFQ
IPTG111N20NM3FDATMA1

데이터시트

OptiMOS™ 3 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 10.8A (Ta), 108A (Tc) 10V 11.1mOhm @ 96A, 10V 4V @ 267µA 81 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 100 V - 3.8W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
IPP410N30NAKSA1

IPP410N30NAKSA1

MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3

Infineon Technologies

429 -
RFQ
IPP410N30NAKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 44A (Tc) 10V 41mOhm @ 44A, 10V 4V @ 270µA 87 nC @ 10 V ±20V 7180 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
STW28NM50N

STW28NM50N

MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3

STMicroelectronics

510 -
RFQ
STW28NM50N

데이터시트

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 21A (Tc) 10V 158mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1735 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXTH3N150

IXTH3N150

MOSFET N-CH 1500V 3A TO247

Littelfuse Inc.

166 -
RFQ
IXTH3N150

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 3A (Tc) 10V 7.3Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 250µA 38.6 nC @ 10 V ±30V 1375 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IPW65R080CFDFKSA2

IPW65R080CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3

Infineon Technologies

244 -
RFQ
IPW65R080CFDFKSA2

데이터시트

CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 43.3A (Tc) 10V 80mOhm @ 17.6A, 10V 4.5V @ 1.8mA 167 nC @ 10 V ±20V 5030 pF @ 100 V - 391W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
STW57N65M5

STW57N65M5

MOSFET N-CH 650V 42A TO247

STMicroelectronics

443 -
RFQ
STW57N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 42A (Tc) 10V 63mOhm @ 21A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±25V 4200 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
SIHH068N60E-T1-GE3

SIHH068N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

217 -
RFQ
SIHH068N60E-T1-GE3

데이터시트

E 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 68mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±30V 2650 pF @ 100 V - 202W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
IPBE65R050CFD7AATMA1

IPBE65R050CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7

Infineon Technologies

2,851 -
RFQ
IPBE65R050CFD7AATMA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7A TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3-10
R6070JNZ4C13

R6070JNZ4C13

600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH

Rohm Semiconductor

550 -
RFQ
R6070JNZ4C13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 15V 58mOhm @ 35A, 15V 7V @ 3mA 165 nC @ 15 V ±30V 6000 pF @ 100 V - 770W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
IXFQ22N60P3

IXFQ22N60P3

MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

IXYS

107 -
RFQ
IXFQ22N60P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 360mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IPW60R099CPAFKSA1

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3

Infineon Technologies

163 -
RFQ
IPW60R099CPAFKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 31A (Tc) 10V 105mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 80 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 100 V - 255W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3
NTH4L075N065SC1

NTH4L075N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

onsemi

419 -
RFQ
NTH4L075N065SC1

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 61 nC @ 18 V +22V, -8V 1196 pF @ 325 V - 148W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
STW20N95DK5

STW20N95DK5

MOSFET N-CH 950V 18A TO247

STMicroelectronics

518 -
RFQ
STW20N95DK5

데이터시트

MDmesh™ DK5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 18A (Tc) 10V 330mOhm @ 9A, 10V 5V @ 100µA 50.7 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
NTBG160N120SC1

NTBG160N120SC1

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

onsemi

820 -
RFQ
NTBG160N120SC1

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 19.5A (Tc) 20V 224mOhm @ 12A, 20V 4.3V @ 2.5mA 33.8 nC @ 20 V +25V, -15V 678 pF @ 800 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
IXTH140P05T

IXTH140P05T

MOSFET P-CH 50V 140A TO247

Littelfuse Inc.

219 -
RFQ
IXTH140P05T

데이터시트

TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 140A (Tc) 10V 9mOhm @ 70A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±15V 13500 pF @ 25 V - 298W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IPB65R041CFD7ATMA1

IPB65R041CFD7ATMA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

377 -
RFQ
IPB65R041CFD7ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
NTB082N65S3F

NTB082N65S3F

MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK

onsemi

3,840 -
RFQ
NTB082N65S3F

데이터시트

SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 4mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
UJ4C075044K3S

UJ4C075044K3S

750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Qorvo

664 -
RFQ
UJ4C075044K3S

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 750 V 37.4A (Tc) 12V 56mOhm @ 25A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFP34N65X3

IXFP34N65X3

MOSFET 34A 650V X3 TO220

Littelfuse Inc.

599 -
RFQ
IXFP34N65X3

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) - 100mOhm @ 17A, 10V 5.2V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±20V 2025 pF @ 25 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3 (IXFP)
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