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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IXFN38N100P

    IXFN38N100P

    MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

    Littelfuse Inc.

    		 270 -
    RFQ
    		IXFN38N100P 데이터시트 HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 38A (Tc) 10V 210mOhm @ 19A, 10V 6.5V @ 1mA 350 nC @ 10 V ±30V 24000 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFN300N20X3

    IXFN300N20X3

    MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 271 -
    RFQ
    		IXFN300N20X3 데이터시트 HiPerFET™, Ultra X3 SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 300A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 150A, 10V 4.5V @ 8mA 375 nC @ 10 V ±20V 23800 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    SCT3030KLGC11

    SCT3030KLGC11

    SICFET N-CH 1200V 72A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 265 -
    RFQ
    		SCT3030KLGC11 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 72A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 131 nC @ 18 V +22V, -4V 2222 pF @ 800 V - 339W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    TW015N120C,S1F

    TW015N120C,S1F

    G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 30 -
    RFQ
    		TW015N120C,S1F 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 100A (Tc) 18V 20mOhm @ 50A, 18V 5V @ 11.7mA 158 nC @ 18 V +25V, -10V 6000 pF @ 800 V - 431W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247
    APT50M38JLL

    APT50M38JLL

    MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP

    Microchip Technology

    		 89 -
    RFQ
    		APT50M38JLL 데이터시트 POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 88A (Tc) 10V 38mOhm @ 44A, 10V 5V @ 5mA 270 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT10021JFLL

    APT10021JFLL

    MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP

    Microchip Technology

    		 56 -
    RFQ
    		APT10021JFLL 데이터시트 POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 37A (Tc) 10V 210mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 5mA 395 nC @ 10 V ±30V 9750 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT12040JVR

    APT12040JVR

    MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227

    Microchip Technology

    		 43 -
    RFQ
    		APT12040JVR 데이터시트 POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 26A (Tc) 10V 400mOhm @ 13A, 10V 4V @ 5mA 1200 nC @ 10 V ±30V 18000 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227 (ISOTOP®)
    MSCSM120SKM31CTBL1NG

    MSCSM120SKM31CTBL1NG

    PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

    Microchip Technology

    		 31 -
    RFQ
    		MSCSM120SKM31CTBL1NG 데이터시트 - Module Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 79A 20V 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232 nC @ 20 V +25V, -10V 3020 pF @ 1000 V - 310W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FBG04N30BC

    FBG04N30BC

    GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

    EPC Space, LLC

    		 141 -
    RFQ
    		FBG04N30BC 데이터시트 FSMD-B 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 30A (Tc) 5V 9mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 9mA 11.4 nC @ 5 V +6V, -4V 1300 pF @ 20 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    EPC7003AC

    EPC7003AC

    GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB

    EPC Space, LLC

    		 138 -
    RFQ
    		EPC7003AC 데이터시트 - 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 10A (Tc) 10V 42mOhm @ 10A, 5V 2.5V @ 1.4mA 1.5 nC @ 5 V +6V, -4V 168 pF @ 50 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    FBG30N04CC

    FBG30N04CC

    GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

    EPC Space, LLC

    		 165 -
    RFQ
    		FBG30N04CC 데이터시트 - 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 300 V 4A (Tc) 5V 404mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 600µA 2.6 nC @ 5 V +6V, -4V 450 pF @ 150 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    FBG20N18BSH

    FBG20N18BSH

    GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B

    EPC Space, LLC

    		 47 -
    RFQ
    		FBG20N18BSH 데이터시트 e-GaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 18A (Tc) 5V 28mOhm @ 18A, 5V 2.5V @ 3mA 7 nC @ 5 V +6V, -4V 900 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    FBG10N30BSH

    FBG10N30BSH

    GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B

    EPC Space, LLC

    		 40 -
    RFQ
    		FBG10N30BSH 데이터시트 eGaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 30A (Tc) 5V 12mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 5mA 11 nC @ 5 V +6V, -4V 1000 pF @ 50 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    PMN30XPEAX

    PMN30XPEAX

    SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

    Nexperia USA Inc.

    		 6,000 -
    RFQ
    		PMN30XPEAX 데이터시트 TrenchMOS™ SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Ta) 2.5V, 8V 33mOhm @ 5.4A, 8V 1.3V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±12V 1025 pF @ 10 V - 660mW (Ta), 7.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 6-TSOP
    MCQ16N03-TP

    MCQ16N03-TP

    MOSFET N-CH 30V 8-SOP

    Micro Commercial Co

    		 4,000 -
    RFQ
    		MCQ16N03-TP 데이터시트 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±20V 1550 pF @ 15 V - 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SSM3K37CT,L3F

    SSM3K37CT,L3F

    MOSFET N-CH 20V 200MA CST3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 8,794 -
    RFQ
    		SSM3K37CT,L3F 데이터시트 U-MOSIII SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 200mA (Ta) 1.5V, 4.5V 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA - ±10V 12 pF @ 10 V - 100mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount CST3
    SSM3K35CT,L3F

    SSM3K35CT,L3F

    MOSFET N-CH 20V 180MA CST3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 32,987 -
    RFQ
    		SSM3K35CT,L3F 데이터시트 - SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180mA (Ta) 1.2V, 4V 3Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - ±10V 9.5 pF @ 3 V - 100mW (Ta) 150°C - - Surface Mount CST3
    DMN3732UFB4Q-7B

    DMN3732UFB4Q-7B

    MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006

    Diodes Incorporated

    		 6,232 -
    RFQ
    		DMN3732UFB4Q-7B 데이터시트 - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 460mOhm @ 200mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.9 nC @ 4.5 V ±8V 40.8 pF @ 25 V - 490mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
    SSM3J35CT,L3F

    SSM3J35CT,L3F

    MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 6,186 -
    RFQ
    		SSM3J35CT,L3F 데이터시트 π-MOSVI SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100mA (Ta) 1.2V, 4V 8Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - ±10V 12.2 pF @ 3 V - 100mW (Ta) 150°C - - Surface Mount CST3
    2N7002KWHE3-TP

    2N7002KWHE3-TP

    N-CHANNEL MOSFET SOT-323

    Micro Commercial Co

    		 2,800 -
    RFQ
    		2N7002KWHE3-TP 데이터시트 - SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 340mA 4.5V, 10V 2.5Ohm @ 300mA, 10V 2V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 10 V - 330mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-323
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