FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFN80N50P

IXFN80N50P

MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B

Littelfuse Inc.

1,956 -
RFQ
IXFN80N50P

데이터시트

HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 66A (Tc) 10V 65mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 195 nC @ 10 V ±30V 12700 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2

MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B

Littelfuse Inc.

308 -
RFQ
IXTN110N20L2

데이터시트

Linear L2™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) 10V 24mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 3mA 500 nC @ 10 V ±20V 23000 pF @ 25 V - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXTX90N25L2

IXTX90N25L2

MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

442 -
RFQ
IXTX90N25L2

데이터시트

Linear L2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 90A (Tc) 10V 33mOhm @ 45A, 10V 4.5V @ 3mA 640 nC @ 10 V ±20V 23000 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
MKE38RK600DFEL-TRR

MKE38RK600DFEL-TRR

MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

IXYS

200 -
RFQ
MKE38RK600DFEL-TRR

데이터시트

CoolMOS™ 9-SMD Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
IXFK32N100Q3

IXFK32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

Littelfuse Inc.

694 -
RFQ
IXFK32N100Q3

데이터시트

HiPerFET™, Q3 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V ±30V 9940 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXTX46N50L

IXTX46N50L

MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

686 -
RFQ
IXTX46N50L

데이터시트

Linear TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 46A (Tc) 20V 160mOhm @ 500mA, 20V 6V @ 250µA 260 nC @ 15 V ±30V 7000 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B

Littelfuse Inc.

528 -
RFQ
IXFN120N65X2

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X2 SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 108A (Tc) 10V 24mOhm @ 54A, 10V 5.5V @ 8mA 225 nC @ 10 V ±30V 15500 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
MSC025SMA120S

MSC025SMA120S

SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK

Microchip Technology

127 -
RFQ
MSC025SMA120S

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 89A (Tc) - - - - - - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
IXFB30N120P

IXFB30N120P

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

Littelfuse Inc.

448 -
RFQ
IXFB30N120P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 30A (Tc) 10V 350mOhm @ 500mA, 10V 6.5V @ 1mA 310 nC @ 10 V ±20V 22500 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B

Littelfuse Inc.

250 -
RFQ
IXFN360N15T2

데이터시트

HiPerFET™, TrenchT2™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 310A (Tc) 10V 4mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 715 nC @ 10 V ±20V 47500 pF @ 25 V - 1070W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN38N100P

IXFN38N100P

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Littelfuse Inc.

270 -
RFQ
IXFN38N100P

데이터시트

HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 38A (Tc) 10V 210mOhm @ 19A, 10V 6.5V @ 1mA 350 nC @ 10 V ±30V 24000 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B

Littelfuse Inc.

271 -
RFQ
IXFN300N20X3

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X3 SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 300A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 150A, 10V 4.5V @ 8mA 375 nC @ 10 V ±20V 23800 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
SCT3030KLGC11

SCT3030KLGC11

SICFET N-CH 1200V 72A TO247N

Rohm Semiconductor

265 -
RFQ
SCT3030KLGC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 72A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 131 nC @ 18 V +22V, -4V 2222 pF @ 800 V - 339W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
TW015N120C,S1F

TW015N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO

Toshiba Semiconductor and Storage

30 -
RFQ
TW015N120C,S1F

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 100A (Tc) 18V 20mOhm @ 50A, 18V 5V @ 11.7mA 158 nC @ 18 V +25V, -10V 6000 pF @ 800 V - 431W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247
APT50M38JLL

APT50M38JLL

MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP

Microchip Technology

89 -
RFQ
APT50M38JLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 88A (Tc) 10V 38mOhm @ 44A, 10V 5V @ 5mA 270 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT10021JFLL

APT10021JFLL

MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP

Microchip Technology

56 -
RFQ
APT10021JFLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 37A (Tc) 10V 210mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 5mA 395 nC @ 10 V ±30V 9750 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT12040JVR

APT12040JVR

MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227

Microchip Technology

43 -
RFQ
APT12040JVR

데이터시트

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 26A (Tc) 10V 400mOhm @ 13A, 10V 4V @ 5mA 1200 nC @ 10 V ±30V 18000 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227 (ISOTOP®)
MSCSM120SKM31CTBL1NG

MSCSM120SKM31CTBL1NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

Microchip Technology

31 -
RFQ
MSCSM120SKM31CTBL1NG

데이터시트

- Module Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 79A 20V 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232 nC @ 20 V +25V, -10V 3020 pF @ 1000 V - 310W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
FBG04N30BC

FBG04N30BC

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

EPC Space, LLC

141 -
RFQ
FBG04N30BC

데이터시트

FSMD-B 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 30A (Tc) 5V 9mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 9mA 11.4 nC @ 5 V +6V, -4V 1300 pF @ 20 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
EPC7003AC

EPC7003AC

GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB

EPC Space, LLC

138 -
RFQ
EPC7003AC

데이터시트

- 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 10A (Tc) 10V 42mOhm @ 10A, 5V 2.5V @ 1.4mA 1.5 nC @ 5 V +6V, -4V 168 pF @ 50 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
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