단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXYN120N65B3D1

IXYN120N65B3D1

IGBT PT 650V 250A SOT227B

IXYS

7,602 -
RFQ
IXYN120N65B3D1

데이터시트

GenX3™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete PT 650 V 250 A 770 A 1.9V @ 15V, 100A 830 W 1.34mJ (on), 1.5mJ (off) Standard 250 nC 30ns/168ns 400V, 50A, 2Ohm, 15V 28 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXGX100N170

IXGX100N170

IGBT 1700V 170A 830W PLUS247

IXYS

9,227 -
RFQ
IXGX100N170

데이터시트

- TO-247-3 Variant Tube Active NPT 1700 V 170 A 600 A 3V @ 15V, 100A 830 W - Standard 425 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
MMIX1Y82N120C3H1

MMIX1Y82N120C3H1

DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

IXYS

5,328 -
RFQ
MMIX1Y82N120C3H1

데이터시트

- 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active PT 1200 V 78 A 320 A 3.4V @ 15V, 82A 320 W 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) Standard 215 nC 29ns/192ns 600V, 80A, 2Ohm, 15V 78 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
IXGA20N250HV-TRL

IXGA20N250HV-TRL

DISC IGBT NPT VERY HI VOLTAGE TO

IXYS

4,960 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active - 2500 V 30 A 105 A 3.1V @ 15V, 20A 150 W - Standard 53 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IXGH36N60B3C1

IXGH36N60B3C1

IGBT 600V 75A 250W TO247

IXYS

6,817 -
RFQ
IXGH36N60B3C1

데이터시트

GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 75 A 200 A 1.8V @ 15V, 30A 250 W 390µJ (on), 800µJ (off) Standard 80 nC 20ns/125ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXGH48N60C3C1

IXGH48N60C3C1

IGBT 600V 75A 300W TO247

IXYS

9,205 -
RFQ
IXGH48N60C3C1

데이터시트

GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 75 A 250 A 2.5V @ 15V, 30A 300 W 330µJ (on), 230µJ (off) Standard 77 nC 19ns/60ns 400V, 30A, 3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXGK82N120A3

IXGK82N120A3

IGBT 1200V 260A 1250W TO264

IXYS

7,576 -
RFQ
IXGK82N120A3

데이터시트

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 260 A 580 A 2.05V @ 15V, 82A 1250 W 5.5mJ (on), 12.5mJ (off) Standard 340 nC 34ns/265ns 600V, 80A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXGK)
MMIX1X340N65B4

MMIX1X340N65B4

IGBT 650V 450A 24-SMPD

IXYS

8,266 -
RFQ
MMIX1X340N65B4

데이터시트

XPT™, GenX4™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active - 650 V 450 A 1200 A 1.7V @ 15V, 160A 1200 W 4.4mJ (on), 3.5mJ (off) Standard 553 nC 62ns/245ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V 76 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
IXBA16N170AHV-TRL

IXBA16N170AHV-TRL

DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-

IXYS

8,603 -
RFQ

-

BIMOSFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W 1.2mJ (off) Standard 65 nC 15ns/160ns 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 360 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IXGF20N300

IXGF20N300

IGBT 3000V 22A ISOPLUSI4

IXYS

8,217 -
RFQ
IXGF20N300

데이터시트

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3000 V 22 A 103 A 3.2V @ 15V, 20A 100 W - Standard 31 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXGF36N300

IXGF36N300

IGBT 3000V 36A 160W I4-PAK

IXYS

5,277 -
RFQ
IXGF36N300

데이터시트

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3000 V 36 A 400 A 5.2V @ 15V, 100A 160 W - Standard 136 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXGX82N120A3

IXGX82N120A3

IGBT 1200V 260A 1250W PLUS247

IXYS

7,732 -
RFQ
IXGX82N120A3

데이터시트

GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 260 A 580 A 2.05V @ 15V, 82A 1250 W 5.5mJ (on), 12.5mJ (off) Standard 340 nC 34ns/265ns 600V, 80A, 2Ohm, 15V - - - - Through Hole PLUS247™-3
IXGK120N120B3

IXGK120N120B3

IGBT 1200V 200A 830W TO264

IXYS

4,832 -
RFQ
IXGK120N120B3

데이터시트

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 200 A 370 A 3V @ 15V, 100A 830 W 5.5mJ (on), 5.8mJ (off) Standard 470 nC 36ns/275ns 600V, 100A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXGK)
IXBX75N170A

IXBX75N170A

IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247

IXYS

6,962 -
RFQ
IXBX75N170A

데이터시트

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 1700 V 110 A 300 A 6V @ 15V, 42A 1040 W 3.8mJ (off) Standard 358 nC 26ns/418ns 1360V, 42A, 1Ohm, 15V 360 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXGH25N250

IXGH25N250

IGBT 2500V 60A 250W TO247

IXYS

2,314 -
RFQ
IXGH25N250

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 2500 V 60 A 200 A 5.2V @ 15V, 75A 250 W - Standard 75 nC - - - - - - Through Hole TO-247AD
MMIX1G320N60B3

MMIX1G320N60B3

IGBT PT 600V 400A 24SMPD

IXYS

4,686 -
RFQ
MMIX1G320N60B3

데이터시트

GenX3™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Obsolete PT 600 V 400 A 1000 A 1.5V @ 15V, 100A 1000 W 2.7mJ (on), 5mJ (off) Standard 585 nC 44ns/250ns 480V, 100A, 1Ohm, 15V 66 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
IXYT12N250CV1HV

IXYT12N250CV1HV

IGBT 2500V 28A TO268HV

IXYS

6,488 -
RFQ
IXYT12N250CV1HV

데이터시트

XPT™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 28 A 80 A 4.5V @ 15V, 12A 310 W 3.56mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 56 nC 12ns/167ns 1250V, 12A, 10Ohm, 15V 16 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXYT)
IXGA20N250HV

IXGA20N250HV

DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO

IXYS

8,384 -
RFQ
IXGA20N250HV

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 2500 V 30 A 105 A 3.1V @ 15V, 20A 150 W - Standard 53 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IXBF20N300

IXBF20N300

IGBT 3000V 34A ISOPLUSI4

IXYS

4,455 -
RFQ
IXBF20N300

데이터시트

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3000 V 34 A 150 A 3.2V @ 15V, 20A 150 W - Standard 105 nC - - 1.35 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBH10N300HV

IXBH10N300HV

IGBT 3000V 20A 140W TO247AD

IXYS

3,123 -
RFQ
IXBH10N300HV

데이터시트

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 34 A 88 A 2.8V @ 15V, 10A 180 W - Standard 46 nC 36ns/100ns 960V, 10A, 10Ohm, 15V 1.6 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV (IXBH)
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