단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

IGBT 3000V 50A TO268AA

IXYS

5,066 -
RFQ
IXBT20N300HV

데이터시트

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Not For New Designs - 3000 V 50 A 140 A 3.2V @ 15V, 20A 250 W - Standard 105 nC - - 1.35 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXBF40N160

IXBF40N160

IGBT 1600V 28A ISOPLUSI4

IXYS

5,249 -
RFQ
IXBF40N160

데이터시트

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 1600 V 28 A - 7.1V @ 15V, 20A 250 W - Standard 130 nC - 960V, 25A, 22Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXXK200N65B4

IXXK200N65B4

IGBT 650V 370A 1150W TO264

IXYS

9,045 -
RFQ
IXXK200N65B4

데이터시트

GenX4™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 650 V 370 A 1000 A 1.7V @ 15V, 160A 1150 W 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 553 nC 62ns/245ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
APT80GP60B2G

APT80GP60B2G

IGBT PT 600V 100A TMAX

Microchip Technology

3,478 -
RFQ
APT80GP60B2G

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 100 A - 2.7V @ 15V, 80A 1041 W - Standard - - - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXYK120N120B3

IXYK120N120B3

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)

IXYS

4,256 -
RFQ
IXYK120N120B3

데이터시트

XPT™, GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 320 A 800 A 2.2V @ 15V, 100A 1500 W 9.7mJ (on), 21.5mJ (off) Standard 400 nC 30ns/340ns 960V, 100A, 1Ohm, 15V 54 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXYK)
GA35XCP12-247

GA35XCP12-247

IGBT 1200V SOT247

GeneSiC Semiconductor

8,846 -
RFQ
GA35XCP12-247

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete PT 1200 V - 35 A 3V @ 15V, 35A - 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) Standard 50 nC - 800V, 35A, 22Ohm, 15V 36 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
IXYN300N65A3

IXYN300N65A3

DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN

IXYS

5,463 -
RFQ
IXYN300N65A3

데이터시트

XPT™, GenX3™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 650 V 470 A 1600 A 1.6V @ 15V, 100A 1500 W 7.8mJ (on), 4.7mJ (off) Standard 565 nC 42ns/190ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V 125 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXYX120N120B3

IXYX120N120B3

IGBT

IXYS

6,775 -
RFQ
IXYX120N120B3

데이터시트

XPT™, GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active - 1200 V 320 A 800 A 2.2V @ 15V, 100A 1500 W 9.7mJ (on), 21.5mJ (off) Standard 400 nC 30ns/340ns 960V, 100A, 1Ohm, 15V 54 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXBF12N300

IXBF12N300

IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4

IXYS

7,490 -
RFQ
IXBF12N300

데이터시트

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Not For New Designs - 3000 V 26 A 98 A 3.2V @ 15V, 12A 125 W - Standard 62 nC - - 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 283A

Microchip Technology

7,125 -
RFQ
APT200GN60B2G

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 283 A 600 A 1.85V @ 15V, 200A 682 W 13mJ (on), 11mJ (off) Standard 1180 nC 50ns/560ns 400V, 200A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole -
IXG70IF1200NA

IXG70IF1200NA

IGBT PT 1200V 130A SOT227B

IXYS

3,156 -
RFQ

-

X2PT™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 1200 V 130 A - - - - Standard - - - - - - - Chassis Mount SOT-227B
IXXN340N65B4

IXXN340N65B4

IGBT MODULE DISC IGBT SOT227B

IXYS

8,406 -
RFQ
IXXN340N65B4

데이터시트

GenX4™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 650 V 520 A 1200 A 1.7V @ 15V, 160A 1500 W 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 553 nC 62ns/245ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V 65 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
RJQ7031PJWS-00#W0

RJQ7031PJWS-00#W0

POWER TRS1 CAR POWER IGBT DIO SA

Renesas Electronics Corporation

6,561 -
RFQ

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

IGBT TRENCH FS 600V 220A TO264

Microchip Technology

5,587 -
RFQ
APT150GN60LDQ4G

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active Trench Field Stop 600 V 220 A 450 A 1.85V @ 15V, 150A 536 W 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) Standard 970 nC 44ns/430ns 400V, 150A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXGK82N120B3

IXGK82N120B3

IGBT 1200V 230A 1250W TO264

IXYS

6,253 -
RFQ
IXGK82N120B3

데이터시트

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 230 A 500 A 3.2V @ 15V, 82A 1250 W 5mJ (on), 3.3mJ (off) Standard 350 nC 30ns/210ns 600V, 80A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXGK)
MMIX1X200N60B3

MMIX1X200N60B3

IGBT 600V 223A 625W SMPD

IXYS

4,504 -
RFQ
MMIX1X200N60B3

데이터시트

GenX3™, XPT™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active PT 600 V 223 A 1000 A 1.7V @ 15V, 100A 625 W 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) Standard 315 nC 48ns/160ns 360V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
IXYA12N250CHV

IXYA12N250CHV

DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D

IXYS

9,764 -
RFQ
IXYA12N250CHV

데이터시트

XPT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 2500 V 28 A 80 A 4.5V @ 15V, 12A 310 W 3.56mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 56 nC 12ns/167ns 1250V, 12A, 10Ohm, 15V 16 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IXGF25N300

IXGF25N300

IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK

IXYS

9,305 -
RFQ
IXGF25N300

데이터시트

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3000 V 27 A 140 A 5.5V @ 15V, 75A 114 W - Standard 75 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBT32N300

IXBT32N300

IGBT 3000V 80A TO268AA

IXYS

7,235 -
RFQ
IXBT32N300

데이터시트

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC - - 1.5 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXYN120N65C3D1

IXYN120N65C3D1

IGBT PT 650V 190A SOT227B

IXYS

6,261 -
RFQ
IXYN120N65C3D1

데이터시트

GenX3™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete PT 650 V 190 A 620 A 2.8V @ 15V, 100A 830 W 1.25mJ (on), 500µJ (off) Standard 265 nC 28ns/127ns 400V, 50A, 2Ohm, 15V 29 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
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