단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APT40GP60BG

APT40GP60BG

IGBT PT 600V 100A TO247

Microchip Technology

9,603 -
RFQ
APT40GP60BG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 600 V 100 A 160 A 2.7V @ 15V, 40A 543 W 385µJ (on), 352µJ (off) Standard 135 nC 20ns/64ns 400V, 40A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
APT40GP60B2DQ2G

APT40GP60B2DQ2G

IGBT PT 600V 100A

Microchip Technology

8,713 -
RFQ
APT40GP60B2DQ2G

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 100 A 160 A 2.7V @ 15V, 40A 543 W 385µJ (on), 350µJ (off) Standard 135 nC 20ns/64ns 400V, 40A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
APT70GR120L

APT70GR120L

IGBT NPT 1200V 160A TO264

Microchip Technology

4,755 -
RFQ
APT70GR120L

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT 1200 V 160 A 280 A 3.2V @ 15V, 70A 961 W 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Standard 544 nC 33ns/278ns 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
APT70GR120B2

APT70GR120B2

IGBT NPT 1200V 160A TO247

Microchip Technology

3,639 -
RFQ
APT70GR120B2

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 160 A 280 A 3.2V @ 15V, 70A 961 W 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Standard 544 nC 33ns/278ns 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXXX140N65B4H1

IXXX140N65B4H1

IGBT

IXYS

9,932 -
RFQ
IXXX140N65B4H1

데이터시트

XPT™, GenX4™ TO-247-3 Variant Tube Active - 650 V 340 A 840 A 1.9V @ 15V, 120A 1200 W 5.75mJ (on), 2.67mJ (off) Standard 250 nC 54ns/270ns 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V 105 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXYX100N65B3D1

IXYX100N65B3D1

IGBT PT 650V 225A PLUS247-3

IXYS

4,742 -
RFQ
IXYX100N65B3D1

데이터시트

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete PT 650 V 225 A 460 A 1.85V @ 15V, 70A 830 W 1.27mJ (on), 1.37mJ (off) Standard 168 nC 29ns/150ns 400V, 50A, 3Ohm, 15V 156 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXXK200N60B3

IXXK200N60B3

IGBT 600V 380A 1630W TO264

IXYS

7,913 -
RFQ
IXXK200N60B3

데이터시트

GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 380 A 900 A 1.7V @ 15V, 100A 1630 W 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) Standard 315 nC 48ns/160ns 360V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
IXBT2N250-TR

IXBT2N250-TR

IGBT 2500V 5A TO268

IXYS

7,342 -
RFQ

-

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active - 2500 V 5 A 13 A 3.5V @ 15V, 2A 32 W - Standard 10.6 nC 30ns/70ns 2000V, 2A, 47Ohm, 15V 920 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
IXBT42N170-TRL

IXBT42N170-TRL

IGBT 1700V 80A TO268

IXYS

2,970 -
RFQ

-

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active - 1700 V 80 A 300 A 2.8V @ 15V, 42A 360 W - Standard 188 nC 37ns/340ns 850V, 42A, 10Ohm, 15V - - - - Surface Mount TO-268
APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

IGBT PT 600V 150A

Microchip Technology

6,824 -
RFQ
APT50GP60B2DQ2G

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 150 A 190 A 2.7V @ 15V, 50A 625 W 465µJ (on), 635µJ (off) Standard 165 nC 19ns/85ns 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXYK30N170CV1

IXYK30N170CV1

DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(

IXYS

7,212 -
RFQ
IXYK30N170CV1

데이터시트

XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1700 V 100 A 250 A 4V @ 15V, 30A 937 W 3.6mJ (on), 1.8mJ (off) Standard 150 nC 16ns/143ns 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V 33 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXYK)
IXGX50N60AU1

IXGX50N60AU1

IGBT 600V 75A 300W TO247

IXYS

5,589 -
RFQ

-

HiPerFAST™ TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 75 A 200 A 2.7V @ 15V, 50A 300 W 4.8mJ (off) Standard 200 nC 50ns/200ns 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V 50 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXBT24N170

IXBT24N170

IGBT 1700V 60A TO268AA

IXYS

4,307 -
RFQ
IXBT24N170

데이터시트

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 60 A 230 A 2.5V @ 15V, 24A 250 W - Standard 140 nC - - 1.06 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXGX55N120A3H1

IXGX55N120A3H1

IGBT 1200V 125A 460W PLUS247

IXYS

2,769 -
RFQ
IXGX55N120A3H1

데이터시트

GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 125 A 400 A 2.3V @ 15V, 55A 460 W 5.1mJ (on), 13.3mJ (off) Standard 185 nC 23ns/365ns 960V, 55A, 3Ohm, 15V 200 ns - - - Through Hole PLUS247™-3
APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

IGBT NPT 600V 93A TO247

Microchip Technology

6,927 -
RFQ
APT50GS60BRDQ2G

데이터시트

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 600 V 93 A 195 A 3.15V @ 15V, 50A 415 W 755µJ (off) Standard 235 nC 16ns/225ns 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
APT102GA60L

APT102GA60L

IGBT PT 600V 183A TO264

Microchip Technology

8,325 -
RFQ

-

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 183 A 307 A 2.5V @ 15V, 62A 780 W 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Standard 294 nC 28ns/212ns 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
APT102GA60B2

APT102GA60B2

IGBT 600V 183A 780W TO247

Microchip Technology

2,847 -
RFQ

-

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete PT 600 V 183 A 307 A 2.5V @ 15V, 62A 780 W 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Standard 294 nC 28ns/212ns 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

IGBT PT 900V 145A TO264

Microchip Technology

3,262 -
RFQ
APT80GA90LD40

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 900 V 145 A 239 A 3.1V @ 15V, 47A 625 W 1652µJ (on), 1389µJ (off) Standard 200 nC 18ns/149ns 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V 25 ns - - - Through Hole TO-264
IGC70T120T8RQ

IGC70T120T8RQ

IGBT 1200V 75A DIE

Infineon Technologies

5,766 -
RFQ
IGC70T120T8RQ

데이터시트

- Die Bulk Discontinued at Digi-Key Trench Field Stop 1200 V - 225 A 2.42V @ 15V, 75A - - Standard - - - - - - - Surface Mount Die
IXGR24N120C3D1

IXGR24N120C3D1

IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247

IXYS

9,046 -
RFQ
IXGR24N120C3D1

데이터시트

GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 48 A 96 A 4.2V @ 15V, 20A 200 W 1.37mJ (on), 470µJ (off) Standard 79 nC 16ns/93ns 600V, 20A, 5Ohm, 15V 220 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
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