단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

IGBT NPT FIELD STOP 1200V 67A

Microchip Technology

6,395 -
RFQ
APT25GN120B2DQ2G

데이터시트

- TO-247-3 Variant Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 67 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A 272 W 2.15µJ (off) Standard 155 nC 22ns/280ns 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXGK72N60B3H1

IXGK72N60B3H1

IGBT 600V 75A 540W TO264

IXYS

9,634 -
RFQ
IXGK72N60B3H1

데이터시트

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 75 A 450 A 1.8V @ 15V, 60A 540 W 1.4mJ (on), 1mJ (off) Standard 225 nC 31ns/152ns 480V, 50A, 3Ohm, 15V 140 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXGK)
IRGPC50FD2

IRGPC50FD2

IGBT W/DIODE 600V 70A TO-247AC

Infineon Technologies

2,983 -
RFQ
IRGPC50FD2

데이터시트

- TO-247-3 Bag Obsolete - 600 V 70 A - 1.7V @ 15V, 39A 200 W - Standard - - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IXGX320N60A3

IXGX320N60A3

IGBT 600V 320A 1000W PLUS247

IXYS

8,016 -
RFQ
IXGX320N60A3

데이터시트

GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete PT 600 V 320 A 700 A 1.25V @ 15V, 100A 1000 W - Standard 560 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT50GR120L

APT50GR120L

IGBT NPT 1200V 117A TO264

Microchip Technology

5,131 -
RFQ
APT50GR120L

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT 1200 V 117 A 200 A 3.2V @ 15V, 50A 694 W 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) Standard 445 nC 28ns/237ns 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
APT50GN60BDQ3G

APT50GN60BDQ3G

IGBT TRENCH FS 600V 107A TO247-3

Microchip Technology

7,609 -
RFQ
APT50GN60BDQ3G

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 107 A 150 A 1.85V @ 15V, 50A 366 W 1.185mJ (on), 1.565mJ (off) Standard 325 nC 20ns/230ns 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 35 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
APT35GN120SG/TR

APT35GN120SG/TR

IGBT NPT FS 1200V 84A D3PAK

Microchip Technology

4,650 -
RFQ
APT35GN120SG/TR

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 84 A 105 A 2.1V @ 15V, 35A 379 W -, 2.315mJ (off) Standard 220 nC 24ns/300ns 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
MIWP75N120-BP

MIWP75N120-BP

Interface

Micro Commercial Co

6,423 -
RFQ
MIWP75N120-BP

데이터시트

- TO-247-3 Bulk Not For New Designs Trench Field Stop 1200 V 150 A 300 A 2.3V @ 15V, 75A 789 W 11.3mJ (on), 4.7mJ (off) Standard 622 nC 112ns/478ns 600V, 75A, 10Ohm, 15V 293 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
MIWP75N120DH1Y-BP

MIWP75N120DH1Y-BP

IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247

Micro Commercial Co

8,167 -
RFQ
MIWP75N120DH1Y-BP

데이터시트

- TO-247-3 Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 1200 V 150 A 300 A 2.5V @ 15V, 75A 600 W 7.3mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 650 nC 23ns/227ns 600V, 75A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXA20RG1200DHG-TRR

IXA20RG1200DHG-TRR

IGBT 1200V 32A 125W SMPD

IXYS

3,565 -
RFQ
IXA20RG1200DHG-TRR

데이터시트

- 9-SMD Module Tape & Reel (TR) Active PT 1200 V 32 A - 2.1V @ 15V, 15A 125 W 1.55mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 48 nC - 600V, 15A, 56Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
APT50GP60LDLG

APT50GP60LDLG

IGBT 600V 150A 625W TO264

Microsemi Corporation

7,325 -
RFQ
APT50GP60LDLG

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete PT 600 V 150 A 190 A 2.7V @ 15V, 50A 625 W 456µJ (on), 635µJ (off) Standard 165 nC 19ns/85ns 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
IXGH40N120A2

IXGH40N120A2

IGBT 1200V 75A 360W TO247

IXYS

7,932 -
RFQ
IXGH40N120A2

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 75 A 160 A 2V @ 15V, 40A 360 W 15mJ (off) Standard 136 nC 22ns/420ns 960V, 40A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXGK320N60A3

IXGK320N60A3

IGBT 600V 320A 1000W TO264AA

IXYS

7,686 -
RFQ
IXGK320N60A3

데이터시트

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete PT 600 V 320 A 700 A 1.25V @ 15V, 100A 1000 W - Standard 560 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXGK)
IXXX100N60C3H1

IXXX100N60C3H1

IGBT 600V 170A 695W PLUS247

IXYS

4,633 -
RFQ
IXXX100N60C3H1

데이터시트

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 170 A 340 A 2.2V @ 15V, 70A 695 W 2mJ (on), 950µJ (off) Standard 150 nC 30ns/90ns 360V, 70A, 2Ohm, 15V 140 ns - - - Through Hole PLUS247™-3
IXXX100N60B3H1

IXXX100N60B3H1

IGBT 600V 200A 695W TO247

IXYS

6,108 -
RFQ
IXXX100N60B3H1

데이터시트

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 200 A 440 A 1.8V @ 15V, 70A 695 W 1.9mJ (on), 2mJ (off) Standard 143 nC 30ns/120ns 360V, 70A, 2Ohm, 15V 140 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT50GR120B2

APT50GR120B2

IGBT NPT 1200V 117A TO247

Microchip Technology

6,641 -
RFQ
APT50GR120B2

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 117 A 200 A 3.2V @ 15V, 50A 694 W 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) Standard 445 nC 28ns/237ns 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXA20RG1200DHG-TUB

IXA20RG1200DHG-TUB

IGBT 1200V 32A 125W SMPD

IXYS

4,883 -
RFQ
IXA20RG1200DHG-TUB

데이터시트

- 9-SMD Module Tube Active PT 1200 V 32 A - 2.1V @ 15V, 15A 125 W 1.55mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 48 nC - 600V, 15A, 56Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
IXGH10N300

IXGH10N300

IGBT 3000V 18A 100W TO247AD

IXYS

2,493 -
RFQ
IXGH10N300

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete - 3000 V 18 A 40 A 5.2V @ 15V, 30A 100 W - Standard 32 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

IGBT PT 600V 121A

Microchip Technology

3,816 -
RFQ
APT68GA60B2D40

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 121 A 202 A 2.5V @ 15V, 40A 520 W 715µJ (on), 607µJ (off) Standard 198 nC 21ns/133ns 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

IGBT PT 600V 121A TO264

Microchip Technology

9,600 -
RFQ
APT68GA60LD40

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 121 A 202 A 2.5V @ 15V, 40A 520 W 715µJ (on), 607µJ (off) Standard 198 nC 21ns/133ns 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 22 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
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